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公开(公告)号：CN107286856A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710212454.9
申请日：2013-10-09
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J175/08 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/06
CPC classification number: C09J133/06 , C08F220/06 , C08F220/10 , C09J7/385 , C09J133/08 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08L2201/08 , C08L2203/20 , C09J2203/326 , C09J2467/006 , C08F2220/283 , C08L75/08
Abstract: 本发明涉及一种粘合片，其具有由粘合剂组合物形成的粘合剂层，所述粘合剂组合物含有50质量％以上的丙烯酸类共聚物(A)，所述丙烯酸类共聚物(A)包含来源于具有碳原子数1～20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(a1)的结构单元(a1)，并且含有3摩尔％以上的来源于丙烯酸衍生物(a2)的结构单元(a2)，所述丙烯酸衍生物(a2)具有羧基且其均聚物的玻璃化转变温度为80℃以下。所述粘合片即使将该粘合剂层薄膜化至10.0μm以下，也具有高粘合力，且耐热黄变性优异。
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公开(公告)号：CN106489189A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580032859.3
申请日：2015-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。
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公开(公告)号：CN109005667B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201780020935.8
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/16 , C08J3/24 , C08J5/18 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性，在照射能量射线而制成保护膜时，保护膜的拉伸弹性模量为1×108Pa以上。保护膜形成用复合片具有支撑片、并在支撑片上具有该保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，保护膜与支撑片之间的粘着力为50～1500mN/25mm。
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公开(公告)号：CN108604542B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780011276.1
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
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公开(公告)号：CN108350108B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201680062585.7
申请日：2016-10-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：在通过照射能量线使该保护膜形成用膜固化而形成固化物时，该固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111279468A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069262.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/00 , B32B27/16 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1-G2)/G1×100为30％以下。
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公开(公告)号：CN107001664B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201580063556.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , B32B27/16 , B32B27/30 , C09J7/30 , C09J133/04 , C09J133/18 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种再剥离性及端部密合性优异的树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)。要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下；要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm；要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有由特定粘合剂形成的厚度10～50μm的粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上。
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公开(公告)号：CN111107994A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880060878.0
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该能量射线固化性成分(a0)与该非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A为6.5以下，该能量射线固化性成分(a0)与该树脂成分(X)的HSP距离R13A为2.2以上。
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公开(公告)号：CN106463373B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580025643.4
申请日：2015-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J7/29 , C09J201/00 , H01L23/00
Abstract: 本发明的保护膜形成用复合片是具备支撑片(4)和叠层于支撑片(4)的第1面侧的保护膜形成膜(1)的保护膜形成用复合片(3)，其中，支撑片(4)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，将支撑片(4)在130℃下加热2小时后，支撑片(4)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
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公开(公告)号：CN110211912A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910444689.X
申请日：2015-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/30
Abstract: 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
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