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公开(公告)号：CN106229341A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610900600.2
申请日：2012-05-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT，在IE型沟槽IGBT中，在单元区域内，交替或者梳齿状地配置实际与发射电极相连接的有源单元以及具有浮置P体区的待用单元，由此构成为在半导体衬底的装置主面侧容易累积空穴。但是，当要使IE型沟槽IGBT中的传导率调制进一步加快以及使装置简单化而扩大待用单元的宽度时，耐压迅速地下降。在本申请的发明中，在IE型沟槽IGBT中，构成单元区域的各线状单位单元区域主要由线状有源单元区域以及线状待用单元区域构成，该线状有源单元区域在其长度方向上，被分割为具有发射区域的有源区以及待用区。
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公开(公告)号：CN117690959A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311103373.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了用于抑制浮置区中的空穴积聚并且改进诸如绝缘栅双极等的半导体器件的开关时间的技术。该半导体器件包括形成在半导体衬底中的沟槽栅极和沟槽发射极，以及形成在半导体衬底中的、被夹持在沟槽栅极与沟槽发射极之间的第一导电类型的浮置区。该浮置区的底部位于沟槽栅极和沟槽发射极底部的下方，并且该浮置区具有晶体缺陷区，该晶体缺陷区包括在该浮置区中在靠近该半导体衬底的上表面的位置处选择性地形成的晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN106611784B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201610911950.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松浦仁
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括能够在独立于单元性能的情况下实现栅极电容的精细调节的沟槽栅极IGBT。在栅极布线引出区域中，多个沟槽在与Y方向正交的X方向上相互隔开地布置。在平面图中每个沟槽具有被矩形外轮廓和矩形内轮廓包围的形状。沟槽栅极电极设置在每个沟槽中，以便电耦合到引出电极。为了在集电极和发射极之间获得足够的击穿电压，将沟槽形成在p型浮置区域中。在平面图中n‑型漂移区域形成在位于沟槽内轮廓的内部的区域中，由此在n‑型漂移区域和沟槽栅极电极之间形成的电容可以被用作反向传输电容。
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公开(公告)号：CN107731896B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201710948162.1
申请日：2013-01-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松浦仁
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种IE型沟槽栅极IGBT。一种用于进一步增强具有有源晶元的宽度比无源晶元更窄的窄有源晶元IE型沟槽栅极IGBT的性能的方法，有效的是缩减晶元从而增强IE效应。然而，当简单地缩减晶元时，由于增加的栅极电容而降低了切换速度。IE型沟槽栅极IGBT晶元形成区域基本上包括具有线性有源晶元区域(40a)的第一线性单元晶元区域(40f)、具有线性孔集电极区域(40c)的第二线性单元晶元区域(40s)以及布置在它们之间的线性无源晶元区域(40i)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103489905B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201310240332.2
申请日：2013-06-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松浦仁
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/66348
Abstract: 本发明的实施例涉及窄的有源单元IE型沟槽栅极IGBT及其制造方法。在等宽有源单元IE型IGBT、宽有源单元IE型IGBT等中，有源单元区域在沟槽宽度方面等于无源单元区域，或者无源单元区域的沟槽宽度更窄。因此，相对易于确保击穿电压。然而，采用该结构，试图增强IE效应引起诸如结构复杂化之类的问题。本发明提供了一种窄的有源单元IE型IGBT，具有有源单元二维薄化结构，并且不具有用于接触的衬底沟槽。
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公开(公告)号：CN107819032A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710794982.X
申请日：2017-09-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/7396 , H01L29/7393 , H01L29/0684 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在有效区域(ACR)中，在沟槽(TRC)内配置有栅电极(GEL)。与栅电极(GEL)隔开距离地在沟槽(TRC)内配置有发射极电极(EEL)。在有效区域(ACR)形成有源极扩散层(SDR)和基极扩散层(BDR)。基极扩散层(BDR)的基极底部以发射极电极(EEL)侧的基极底部的部分位于比栅电极(GEL)侧的基极底部的部分深的位置的形态倾斜。接触部(CCN)的接触底部以与发射极电极(EEL)接触的接触底部的部分位于比与基极扩散层(BDR)接触的接触底部的部分深的位置的形态倾斜。
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公开(公告)号：CN106469752A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610601900.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松浦仁
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。通过在半导体衬底的主表面上方与沟槽栅极电极一体地形成发射极耦合部以在发射极耦合部的侧壁上方形成分隔物，致使形成在发射极耦合部上方的层间绝缘膜的表面和形成在层间绝缘膜上方的发射极电极的表面特别地在发射极耦合部的端部具有平缓形状。由此，当发射极布线耦合到发射极电极/发射极焊盘时，应力被分散，而不是集中在发射极耦合部的锐角部，因此可抑制裂缝的出现。另外，通过形成分隔物，发射极电极的表面中中将形成的凹陷和突起可减少，由此，发射极电极和发射极布线之间的粘附性可提高。
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公开(公告)号：CN102790082B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201210155987.5
申请日：2012-05-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种IE型沟槽栅IGBT，在IE型沟槽IGBT中，在单元区域内，交替或者梳齿状地配置实际与发射电极相连接的有源单元以及具有浮置P体区的待用单元，由此构成为在半导体衬底的装置主面侧容易累积空穴。但是，当要使IE型沟槽IGBT中的传导率调制进一步加快以及使装置简单化而扩大待用单元的宽度时，耐压迅速地下降。在本申请的发明中，在IE型沟槽IGBT中，构成单元区域的各线状单位单元区域主要由线状有源单元区域以及线状待用单元区域构成，该线状有源单元区域在其长度方向上，被分割为具有发射区域的有源区以及待用区。
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公开(公告)号：CN119403142A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410996758.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 松浦仁
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种包括具有改进的开关特性的IGBT的半导体器件。在有源单元的半导体衬底内部形成的沟槽内部，通过栅极绝缘膜形成沟槽栅极电极和沟槽发射极电极。n型孔隔离区被形成在位于沟槽之间的半导体衬底内部。p型基极区被形成在孔隔离区内部。n型发射极区被形成在基极区内部。p型浮置区被形成在无源单元的半导体衬底内部。浮置区的深度比沟槽的每个深度浅，并且比基极区的深度深。
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