公开(公告)号：CN107075662A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580055294.0

申请日：2015-10-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  丹尼尔·迪斯塔苏 ,  约翰·哈塔拉 ,  丝特芬·罗伯特·舍曼 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。

公开(公告)号：CN112385014B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201980045110.0

申请日：2019-07-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 凯文·安葛林 ,  克里斯多夫·汉特曼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种使用角度化离子来选择性地沉积层的方法、系统及装置。所述方法可包括提供衬底，衬底包括衬底表面，衬底表面具有三维形状。所述方法还可包括将沉积物种从沉积源引导到衬底表面，其中层沉积在衬底表面的沉积区上。所述方法可包括在进行引导期间或在进行引导之后实行衬底扫描，以将衬底从第一位置输送到第二位置。所述方法还可包括：在存在层的情况下将角度化离子引导到衬底表面，其中从沉积区的第一部分溅射蚀刻层，且其中所述层保留在沉积区的第二部分中。

公开(公告)号：CN107710390B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680036425.5

申请日：2016-06-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  萝丝·班迪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。本发明通过测量离子束的随离子束位置而变的实际处理速率剖面，可实现对工件的经改善处理。

公开(公告)号：CN111819678A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980015219.X

申请日：2019-01-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰伊·R·沃利斯 ,  赛门·罗芙尔 ,  凯文·安葛林 ,  泰勒·洛克威尔 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  凯文·M·丹尼尔斯 ,  理查德·J·赫尔特

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: 一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。