公开(公告)号：CN108475679A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074925.8

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛门·罗芙尔 ,  阿宾德·库马尔 ,  崔斯坦·马 ,  沈圭河 ,  约翰·哈塔拉 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28167 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/42368

Abstract: 本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。

公开(公告)号：CN107924818A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048977.8

申请日：2016-06-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛门·罗芙尔 ,  约翰·哈塔拉 ,  亚当·普兰德 ,  戴辉雄

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/06 ,  G03F7/20 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。

公开(公告)号：CN104380492B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201380033033.X

申请日：2013-04-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 ,  丝特芬·舍曼 ,  约翰·J·哈塔拉 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L43/12 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁性存储器以及制造方法。形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。