设备,信息处理设备,管理方法和信息处理方法

    公开(公告)号:CN101071465A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710102862.5

    申请日:2007-05-11

    CPC classification number: G06F21/10 G06F2221/0706

    Abstract: 本发明涉及一种设备,信息处理设备,管理方法和信息处理方法。更具体地,涉及一种用于将使用内容的许可提供给信息处理设备的管理设备,包括组管理单元,在每一组中注册至少一个信息处理设备并将专用于每一组的组密钥递送给信息处理设备;存储单元,存储与该组的组ID和组密钥相关联的信息处理设备的ID;许可发行单元,发行包括内容的使用条件和用于对加密内容进行解密的内容密钥的许可,通过组密钥加密内容的使用条件和内容密钥的至少任何一个;以及权限信息发行单元,将用于基于许可允许以规定的使用模式使用内容的权限信息发行给被允许的信息处理设备。

    用于形成欧姆电极的叠层体和欧姆电极

    公开(公告)号:CN1107339C

    公开(公告)日:2003-04-30

    申请号:CN96191112.3

    申请日:1996-08-20

    CPC classification number: H01L29/452 H01L21/28575

    Abstract: GaAs系等III-V族化合物半导体具有满足要求特性的欧姆电极的欧姆电极形成用叠层体及该欧姆电极。在n+型GaAs等III-V族化合物半导体衬底上,用溅射法等等依次形成非单晶In0.7Ga0.3As之类的非单晶半导体层,Ni之类的金属薄膜,WN之类的氮化金属薄膜以及W之类的高熔点金属薄膜,再用剥离等等构图以形成欧姆电极形成用叠层体,然后,用RTA法,在500~600℃,例如在550℃下进行1秒钟的热处理,使之形成欧姆电极。

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