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公开(公告)号：CN101271707A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810087228.3
申请日：2008-03-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/243
CPC classification number: G11B7/2437 , G11B7/24 , G11B7/2433 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2578 , G11B2007/24306 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种能够提高耐久性的光记录媒体及其制造方法。光记录媒体是具有无机记录膜的光记录媒体，无机记录膜具备：包含钛(Ti)的第一记录膜、包含锗(Ge)和锡(Sn)的氧化物的第二记录膜。第一记录膜中锡(Sn)的含有量是3～12％原子。
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公开(公告)号：CN101101773A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128370.3
申请日：2004-01-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/241 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。
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公开(公告)号：CN1831982A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610054775.2
申请日：2006-03-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , Y10T428/21
Abstract: 一次性写入光记录介质具有无机记录薄膜，该无机记录薄膜包括主要成分是氧化物GeO的氧化物薄膜(3)以及与这个氧化物薄膜(3)相邻的金属薄膜(2)，金属薄膜(2)的主要成分为钛/硅合金TiSi。按照这个布置方案，能够构成可以通过使用短波长光源和具有出色性能的高数值孔径的光系统进行高密度记录的、具有很大强度而且廉价的一次性光记录介质。
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公开(公告)号：CN1698109A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000265.6
申请日：2004-01-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/241 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。
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