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公开(公告)号：CN101202325B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710198739.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/325 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，存储元件包括存储层、磁化固定层、自旋阻挡层、和自旋吸收层。存储层基于磁性材料的磁化状态来存储信息。通过隧道绝缘层对存储层设置磁化固定层。自旋阻挡层抑制自旋极化电子的扩散，并被设置在存储层与磁化固定层相对的一侧上。自旋吸收层由引起自旋抽运现象的非磁性金属层形成，并被设置在自旋阻挡层与存储层相对的一侧上。通过使电流沿层压方向流动注入自旋极化电子来改变存储层中的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且自旋阻挡层包括从氧化物、氮化物、氟化物中选出的至少一种材料。
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公开(公告)号：CN1941175B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610131712.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 本发明涉及一种存储元件，包括：存储层，其基于磁体的磁化状态保持信息；上被钉扎磁层，设置在该存储层上，其间有上中间层；以及下被钉扎磁层，设置在该存储层下，其间有下中间层，其中该上中间层和下中间层之一是形成隧穿势垒的绝缘层；另一个中间层是包括绝缘层和非磁导电层的叠层；且通过使电流沿所述叠层方向流过所述存储元件来改变所述存储层的磁化方向，从而能够在该存储层上记录信息。
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公开(公告)号：CN101266831A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810084068.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。
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公开(公告)号：CN101212018A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710302358.X
申请日：2007-12-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/935
Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10－7Ωm或更大。
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公开(公告)号：CN101071628A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710097364.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10－5或更大的磁致伸缩常数。
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公开(公告)号：CN1221041C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01804615.0
申请日：2001-11-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3227 , H01F10/3263 , H01F10/3277
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件和磁致电阻效应型磁头。在GMR元件的CPP结构中，具有叠层结构部(10)，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的自由层(1)、钉扎层(3)、钉扎该钉扎层(3)的磁化的反强磁性层(4)、夹在上述自由层(1)和上述钉扎层(3)之间的非磁性层(2)层叠而成；该磁致电阻效应元件以上述叠层结构部(10)的层叠方向作为检测电流的通电方向；且在上述自由层(1)和钉扎层(3)中的至少一个分散有异相粒子。由此，可以提高传导电子的自旋依赖散射，提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101527166B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910127201.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161
Abstract: 本发明提供一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括：具有记录层的分层结构；与所述分层结构的下部电连接的第一布线；与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及包围所述分层结构的层间绝缘层。该磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域。所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴。当形成记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值或负值时，低杨氏模量区域分别位于记录层的易磁化轴的延伸区域或难磁化轴的延伸区域中。本发明通过恰当地选择形成记录层的材料，例如可以降低自旋注入磁化反转的临界电流Ic，可以实现非易失性磁存储装置的低功耗。
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公开(公告)号：CN101751991A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910251375.4
申请日：2009-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。
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公开(公告)号：CN101751990A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910251369.9
申请日：2009-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L27/226 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 一种阻抗可变型存储装置，包括通过利用基于注入电流的自旋转移效应来写入数据的阻抗可变型存储单元；和产生多个写入脉冲和用于规定写入脉冲之间的电平的偏置脉冲的合成脉冲并且在写入时提供所述合成脉冲至所述存储单元的驱动电路。
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公开(公告)号：CN101252144A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810006185.1
申请日：2008-02-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/22 , H01L43/08 , H01L23/522 , G11C11/16 , G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , Y10S977/933
Abstract: 本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
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