公开(公告)号：CN102086020B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201010581224.8

申请日：2010-12-06

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： A·法伊 ,  S·克尼斯

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L23/147 ,  B81C1/00515 ,  B81C2201/0143 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造硅中间承载体的方法。本发明涉及一种用于制造硅中间承载体(1)的方法，用于在衬底上、尤其是电路板上安装微电子机械装置和/或具有集成电路的电子装置，该方法包括以下方法步骤：a)借助激光方法将至少一个凹部(2)引入硅衬底(3)中，其中凹部(2)从硅衬底(3)的第一侧(I)延伸到第二侧(II)，b)至少在硅衬底(3)的表面的部分区域上构造第一绝缘层(4)，所述部分区域从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)延伸到第二侧(II)，以及c)将导电材料(5)施加到第一绝缘层(4)上用于构造至少一个从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)至第二侧(II)的穿通接触部。

公开(公告)号：CN102164847B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN200980137768.0

申请日：2009-09-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： K·戈特弗里德 ,  M·韦默 ,  A·弗兰克 ,  A·特劳特曼 ,  A·法伊 ,  S·克尼斯 ,  J·弗罗梅尔

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/038 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在晶片（1，4）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）来至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽的上边缘。

公开(公告)号：CN102483445B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201080037050.7

申请日：2010-07-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·沙茨 ,  T·富克斯 ,  A·法伊

IPC: G01R33/04

CPC classification number: G01R33/04 ,  H01F27/2804 ,  Y10T29/49073

Abstract: 本发明涉及一种包括衬底和磁芯的磁场传感器，其中，所述衬底具有用于在所述磁芯中产生磁通量的激励线圈并且所述激励线圈具有线圈横截面，该线圈横截面基本上垂直于所述衬底的主延伸平面定向，此外所述磁芯布置在所述线圈横截面外部。

公开(公告)号：CN102164848A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137984.5

申请日：2009-08-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·法伊

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/033 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  Y10T29/49126

Abstract: 按照本发明的用于制造微机械构件(300)的方法包括以下步骤：提供第一衬底(100)，在第一衬底(100)上形成微结构(150)，其中微结构(150)具有可动的功能元件(151)，提供第二衬底(200)，以及在第二衬底(200)中构造电极(251)，用以电容式检测功能元件(151)的偏移。该方法还包括将第一和第二衬底(100；200)相连接，其中，形成封闭的空腔，该空腔包围功能元件(151)，并且电极(251)在功能元件(151)的区域内邻接于该空腔。