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公开(公告)号：CN110501768A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810476042.0
申请日：2018-05-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种多光谱、大带宽光子筛，光子筛上设有环带状分布的通光小孔，所述通过小孔的位置分布满足： ，其中为设计焦距，m为通光环带的环带序号，P为谐衍射参数（P为大于1的整数），α为三次位相编码系数， 为波数，λ0为设计波长，R为光子筛的半径，和 是第m环上第n个小孔的位置， 。本发明提出了新的多光谱、大带宽光子筛，使得光子筛可有效工作在可见光范围内的4个波段，使得单片光子筛实现多光谱、大带宽消色差成像。
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公开(公告)号：CN107121715B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710235356.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体及其制备方法，所述吸收体包括SiO2衬底，所述SiO2衬底的上表面具有多孔阵列结构，Si层，形成在所述多孔阵列结构上，Cr层，形成在所述Si层之上，所述吸收体包括三层系统，底层是由SiO2衬底包围的Si柱的阵列，中间层是由Si层包围的Cr柱的阵列，以及顶层是多孔阵列的Cr层。本发明所提出的耦合米氏共振的超表面完美吸收器具有良好的宽带宽角度吸收性能，器件结构简单、超薄且易于集成制作和大面积制作，在太阳能电池和薄膜工业中具有许多重大的潜在应用。
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公开(公告)号：CN107290059B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710572343.9
申请日：2015-09-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种含阿基米德螺旋线的亚波长圆偏振光检偏器的制备方法，能够实现对左右旋圆偏振光的区分，该结构包括无机基片、设于无机基片上的二维阿基米德螺旋线和覆盖于二氧化硅基片和二维阿基米德螺旋线表面的金属膜层；本发明的检偏器在3.75um‑6.0um波段圆二色性平均在0.1以上，在3.85um处圆二色性最高可达到0.16，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106028614B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610602628.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置，包括放电电源、框架、安装在框架上的氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管，框架包括上下平行设置的两个第一有机玻璃板以及连接两个第一有机玻璃板的多个支撑管，氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管均穿过两个第一有机玻璃板，等离子体放电管位于所述氧化铝陶瓷棒阵列之间，等离子体放电管与放电电源相连接。本发明还涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的方法。本发明具有结构简单，操作方便，缺陷模连续可调节的优点，为等离子体光子晶体的研究提供了更为广阔的空间，有望在工业应用中产生重要的作用。
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公开(公告)号：CN106199814B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610810350.3
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm‑300nm,占空比为0.5‑0.7,厚度为90nm‑110nm;金属层的厚度为70nm‑90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105954826B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610469385.5
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105223638B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510743908.6
申请日：2015-11-05
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米块阵列偏振元件，包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列，每个偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元，偏振单元的长度Sx范围为607～647nm，宽度Sy范围为450～550nm，相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640～680nm，相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950～1050nm，所述偏振单元的高度h范围为110～230nm，相邻偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。本发明相比于现有光学偏振元件具有厚度薄、体积小、重量轻的优点，同时加工难度低，符合未来光学元件的发展趋势。
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公开(公告)号：CN104849791B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510285816.8
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种亚波长反射式一维金属波片及其制备方法，其能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm,占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。介质层的材料可为SiO2、MgF2、PMMA，金属层为金、银、铝、镉等反射率高的材料。本发明具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106847667A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611229170.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/505 , C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法。采用射频等离子体增强化学气相沉积方法直接在氮化物半导体表面生长二维或三维垂直结构石墨烯，能够连续调制氮化物半导体表面的疏水性，使氮化物半导体对水的接触角从原来的60°提高到140°，实现亲疏水的可控转换。本发明对氮化物半导体表面改性的方法简单、可控性强，不仅不影响氮化物半导体材料自身的优异性能，还为其附加了表面自清洁能力，在生物电子领域有应用潜力。能够实现连续、可控地改善氮化物半导体表面疏水性。
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公开(公告)号：CN103996778B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410094597.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振出光发光二极管，具体涉及一种复合光栅结构的偏振装置。它的LED芯片包括由衬底、n型GaN层、p型GaN层、量子阱、过渡层、空气隙和表面金属光栅结构组成。本发明在过渡层和表面金属光栅结构之间加入空气隙，构成复合光栅结构，空气隙的厚度为60～350nm。与传统的亚波长金属光栅实现偏振相比，在过渡层和金属光栅结构中间加入空气隙，可以实现更优良的偏振特性。
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