Abstract:
본 발명은 별도의 루프부 시트와 다이폴부 시트로 이루어진 UHF RFID 태그에 관한 것으로 Rfid칩이 결합되어 폐쇄 루프를 형성하는 루프부 시트와 이와는 별도인 다이폴부 시트로 이루어진 UHF RFID 태그를 제공한다. 본 발명에 의하여, 분리형으로 Rfid UHF 태그를 제조하면, 비교적 단순한 형태의 루프부 시트를 소품종으로 각 종류마다 다량 제조하고 이에 Rfid칩을 접합하는 루프부 시트를 정밀작업으로 제조하여 이를 다품종의 다이폴부 시트와 결합함으로써 Rfid칩 본딩 공정을 단순화할 수 있으며 이렇게 제조된 Rfid칩을 접합한 소품종의 루프부 시트와 다양한 다이폴부 시트를 조합하여 제품 환경에 다양하게 적용할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 다중 홉 릴레이 시스템에서 데이터 전송 방법에 관한 것으로서, 기지국이 제1 단말로부터 상기 기지국과 상기 제1 단말간 채널의 정보(H d ,1 )를 수신하는 단계, 상기 기지국이 상기 H d , 1 를 이용하여 간섭 제거 프리코딩 매트릭스를 생성하는 단계, 상기 기지국이 중계기로 제1 데이터를 전송하는 단계, 및 상기 중계기가 상기 제1 데이터를 상기 제1 단말로 전송하고, 상기 기지국이 상기 간섭 제거 프리코딩 매트릭스를 이용해 변환한 제2 데이터를 상기 제2 단말로 전송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다중 홉 릴레이 시스템에서 데이터 전송 방법에 의하면 중계기가 단말로 데이터를 전송할 시 기지국이 다른 단말로 효율적으로 데이터를 전송할 수 있으므로, 기존의 전송 방식으로 인하여 낭비되던 자원을 효율적으로 사용할 수 있으며, 기지국의 전체적인 데이터 전송률을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 N,N-디메틸 이미도디카르본이미딕 디아미드의 니코틴산염, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 약제학적 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 용해도, 안정성, 비흡습성, 정제 제형으로서의 가공성 등의 물리화학적 성질이 개선되었을 뿐 아니라, 독성이 낮고, N,N-디메틸 이미도디카르본이미딕 디아미드가 본질적으로 발휘하는 약화학적 특성인 당뇨 및 당뇨병, 비만증, 고지혈증, 지방간, 관상동맥질환, 골다공증, 다낭성 난소증후군 등이 복합적으로 나타나는 이른바 대사성 증후군을 지닌 자들의 당뇨병 치료, 당뇨병자의 합병증의 근본 핵심 원인 물질인 중성 지질 저하 작용에 의한 합병증 예방 및 치료 그리고 p53 유전자가 결여된 암, 근육통, 근육세포 독성 및 횡문근 융해의 예방 및 치료 효과를 더욱 증가시켜줄 수 있는 치료제로서 유효한 N,N-디메틸 이미도디카르본이미딕 디아미드의 니코틴산염, 그의 제조방법과 그의 약제학적 조성물에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 기존의 소형 가스버너에 연결 접속하여 확장형 받침대로 사용할 수 있으며, 대형 조리용기도 안전하게 올려놓고 조리할 수 있는 휴대형 가스버너용 조리용기 받침대를 제공하려는 것으로서, 휴대형 가스버너와 봄베에 각기 조립되는 상부의 숫나사와 하부의 암나사를 가진 접속구가 복판에 위치하고 이 접속구의 주위에는 방사상으로 조리용기 받침용 종형 꽂이공이 형성된 어댑터와, 상기 꽂이공에 탈착가능하게 꽂는 전개 폭이 넓은 조리용기 받침대로 이뤄진 휴대용 소형 가스버너의 확장형 받침대를 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A method for texturing a surface nano structure of a SiC photovoltaic cell and a diode structure using the same are provided to increase the energy efficiency of a photovoltaic cell by using a minute pattern on a SiC substrate. CONSTITUTION: An n type SiC substrate grows a low doped n type SiC epitaxial layer. An anode is formed on the n type SiC substrate. The anode is generated with ohmic contact. A cathode and a light receiving unit are formed on the n type SiC epitaxial layer. The cathode and the light receiving unit are generated with the Schottky contact method.