公开(公告)号：KR1020210020650A

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：KR1020190100439

申请日：2019-08-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  중앙대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  백태종 ,  전상현

IPC: C01G21/00

Abstract: 본발명은극성/무극성용매특성을이용한무기페로브스카이트나노입자의표면처리를이용한크기의성장방법에관한것으로, 극성용매와비극성용매의극성차이를이용하여나노입자표면을개질하고이를통해크기를조절하는무기페로브스카이트결정의크기조절하는것에발명의목적이있다.

公开(公告)号：KR101990193B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020170055081

申请日：2017-04-28

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  이승욱 ,  성민기 ,  이우석 ,  조형목

IPC: G01L1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02

公开(公告)号：KR102237259B1

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020190100439

申请日：2019-08-16

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  중앙대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  백태종 ,  전상현

IPC: C01G21/00

Abstract: 본발명은극성/무극성용매특성을이용한무기페로브스카이트나노입자의표면처리를이용한크기의성장방법에관한것으로, 극성용매와비극성용매의극성차이를이용하여나노입자표면을개질하고이를통해크기를조절하는무기페로브스카이트결정의크기조절하는것에발명의목적이있다.

公开(公告)号：KR102135296B1

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：KR1020190070051

申请日：2019-06-13

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  우호균 ,  김한은

IPC: G01L1/18 ,  G01N27/12 ,  G01N27/327 ,  G01N33/543

公开(公告)号：KR102230346B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020190148377

申请日：2019-11-19

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  오승주 ,  손수민 ,  전상현 ,  채동우 ,  이상엽

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/29

Abstract: 본발명은발광형냉각소자를개시한다. 본발명의실시예에따른발광형냉각소자는기판상에형성되고, 가시광선영역및 중적외선영역의파장을갖는태양광을반사시키는반사층; 및상기반사층상에형성되고, 중적외선영역의파장을갖는태양광을흡수하여방사하는폴리머매트릭스와, 상기폴리머매트릭스내에형성되어특정색을발광하는발광미세입자가혼입된복사냉각발광층을포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101939884B1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：KR1020160171807

申请日：2016-12-15

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  윤호규 ,  성민기 ,  염용식 ,  이승욱 ,  이우석 ,  조형목

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  B05D7/14

公开(公告)号：KR102225811B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190095146

申请日：2019-08-05

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  호산모하메드아스라프 ,  전상현

IPC: G01L1/22 ,  H01B1/04 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은고감도스트레인센서및 이의제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른고감도스트레인센서는기판; 상기기판상에형성되고전도성나노입자를포함하는박막; 및상기전도성나노입자를둘러싸고상에절연성물질로형성된코팅부를포함하며, 상기절연성물질은상기전도성나노입자간 터널링(tunneling) 거리를증가시키는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR102087840B1

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：KR1020190014455

申请日：2019-02-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  이우석 ,  김동규

IPC: G01L1/22 ,  G01B7/16 ,  G01P13/00 ,  C08L83/04 ,  C08L33/12 ,  C08L79/08 ,  C01G19/00 ,  C01G9/02

公开(公告)号：KR102005666B1

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：KR1020180011614

申请日：2018-01-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  이우석 ,  이승욱 ,  성민기 ,  조형목 ,  강민수 ,  김한은 ,  김동규

IPC: G01L1/20 ,  H01B1/02 ,  H01B3/02

公开(公告)号：KR1020180069535A

公开(公告)日：2018-06-25

申请号：KR1020160171807

申请日：2016-12-15

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 오승주 ,  윤호규 ,  성민기 ,  염용식 ,  이승욱 ,  이우석 ,  조형목

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  B05D7/14

Abstract: 본발명은은 나노입자전극에관한것으로서, 본발명의실시예에따른은 나노입자전극은기판, 및상기기판상에배치되고, 유기리간드가짧은리간드로치환된은 나노입자박막을상압/저온/용액공정으로금, 백금, 팔라듐등의귀금속코팅을통해고안정성, 고전도성및 일함수조절가능성을갖는다.