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    에너지 저장용 실 및 그 제조방법
    13.
    发明授权
    에너지 저장용 실 및 그 제조방법 有权

    公开(公告)号：KR101907302B1

    公开(公告)日：2018-10-11

    申请号：KR1020170034793

    申请日：2017-03-20

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 조진한 ,  신동엽

    IPC: D02G3/44 ,  D02G3/02

    CPC classification number: D02G3/02 ,  D02G3/44

    Abstract: 본발명은에너지저장용실 및그 제조방법에관한것으로서, 본발명에따른에너지저장용실은유연하고, 적어도하나이상의섬유 (fiber)로이루어지는실 (thread, 10), 에너지를저장하는전이금속산화물나노입자로이루어지고, 실(10)을둘러싸도록배치되는에너지저장층(20), 금속나노입자로이루어지고, 실(10)과에너지저장층(20) 사이에, 실(10)을둘러싸도록배치되는전도층(30), 제1 단분자물질로이루어지고, 실(10)과전도층(30) 사이에배치되어, 실(10)과전도층(30)을결합하는제1 결합층(40), 및제2 단분자물질로이루어지고, 전도층(30)과에너지저장층(20) 사이에배치되어, 전도층(30)과에너지저장층(20)을결합하는제2 결합층(50)을포함한다.

    다중벽 탄소나노튜브/전이금속 나노입자 다층박막 및 그 제조방법
    15.
    发明授权
    다중벽 탄소나노튜브/전이금속 나노입자 다층박막 및 그 제조방법 有权
    多层碳纳米管/过渡金属纳米颗粒多层的层叠组件及其制备方法

    公开(公告)号：KR101578911B1

    公开(公告)日：2015-12-18

    申请号：KR1020140086298

    申请日：2014-07-09

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 조진한 ,  고용민

    IPC: H01G11/36 ,  H01G11/86 ,  H01G11/34

    Abstract: 본발명은슈퍼커패시터전극을위한다중벽탄소나노튜브/전이금속나노입자다층박막제조방법에관한것으로, 보다상세하게는올레산으로안정화된전이금속나노입자와아민기(NH)간친화도를이용한공유결합기반의층상조립법(Layer-by-Layer Assembly)을이용하여, 유기용매상에서높은입자패킹밀도를갖는다층박막전극을제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造用于超级电容器电极的多壁碳纳米管和过渡金属纳米颗粒的多层薄膜的方法。 更具体地说，本发明提供一种通过使用基于共价键的逐层组装方法在有机溶剂上具有高的颗粒堆积密度的多层薄膜电极，使用通过油酸稳定的过渡金属纳米颗粒之间的亲和力 ，和胺基（NH 2）。

    단백질 레이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 메모리 장치 및 그의 제조방법
    16.
    发明授权
    단백질 레이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 메모리 장치 및 그의 제조방법 有权
    含有蛋白质层的FET存储器件及其制备方法

    公开(公告)号：KR101348090B1

    公开(公告)日：2014-01-09

    申请号：KR1020120114906

    申请日：2012-10-16

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 조진한

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    Abstract: The present invention relates to an FET memory device. The FET memory device includes a gate layer; a bonding layer; a memory layer; a semiconductor layer; a source electrode; and a drain electrode. The memory layer includes a ferritin; or a catalase including Fe. The bonding layer and the memory layer are alternately deposited one or 50 times. According to the present invention, the FET memory device has high capacitance, excellent data reliability, quick response time, and long term data storage. Also, costs are saved because of a simplified process. The FET memory device can also be used for a flexible substrate.

    Abstract translation: 本发明涉及一种FET存储器件。 FET存储器件包括栅极层; 接合层; 记忆层; 半导体层; 源电极; 和漏电极。 记忆层包括铁蛋白; 或包含Fe的过氧化氢酶。 接合层和存储层交替沉积一次或50次。 根据本发明，FET存储器件具有高电容，优异的数据可靠性，快速的响应时间和长期的数据存储。 此外，由于简化的过程，节省了成本。 FET存储器件也可以用于柔性衬底。

    야누스 나노복합체 다층막, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전극
    19.
    发明公开
    야누스 나노복합체 다층막, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전극 有权
    使用单层叠层组件的纳米复合多层薄膜及其制备方法和包含该组合物的电极

    公开(公告)号：KR1020160013725A

    公开(公告)日：2016-02-05

    申请号：KR1020140095913

    申请日：2014-07-28

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 조진한 ,  김영훈 ,  박민경 ,  고용민

    IPC: C08J5/18 ,  C08J5/22 ,  C08K3/08 ,  C08L101/02 ,  C08L81/00 ,  C08L25/00 ,  C08K3/22 ,  H01G11/54 ,  H01B1/22 ,  B82B3/00

    CPC classification number: Y02E60/13 ,  C08J5/18 ,  B82B3/00 ,  C08J5/22 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08L25/00 ,  C08L81/00 ,  C08L101/02 ,  H01B1/22 ,  H01G11/54 ,  H01L21/208

    Abstract: 자기조립법을이용한나노복합체다층막의제조방법및 이로부터제조된나노복합체다층막및 이를포함하는전기전자소자에관한것으로서, (a) 기판상에극성용매에분산되어있는친수성작용기를가진고분자또는탄소동소체를흡착시키는단계, (b) 상기기판에증착된고분자전해질또는탄소동소체상에무극성용매에분산되어있는무기물나노입자를흡착시켜상기고분자또는탄소동소체와무기물나노입자의자기조립을유도하는단계, 및 (c) 상기 (a)-(b) 단계또는 (a)-(b)-(a) 단계를 n회(n은 1 내지 500의정수) 반복하여층상자기조립된나노복합체다층막을수득하는단계를거쳐나노복합체다층막을제조하고, 상기나노복합체다층막을하이브리드커패시터전극과같은전기전자소자에이용함으로써커패시턴스가향상되는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用自组装方法的纳米复合材料多层的制备方法，由其制造的纳米复合多层及其组成的电子元件。 纳米复合材料多层的制备方法包括以下步骤：（a）将分散在极性溶剂中的具有亲水官能团的聚合物或碳同素异形体连接到基底上; （b）将分散在非极性溶剂中的无机纳米颗粒吸附到聚合物电解质或沉积到基底上的碳同素异形体上，诱导聚合物或碳同素异形体和无机纳米颗粒的自组装; 和（c）通过重复步骤（a）至（b）或步骤（a） - （b） - （a）n次得到层状形式的自组装纳米复合材料多层，其中n为1至500的整数 通过将纳米复合多层膜应用于诸如混合电容器电极的电子元件，可以提高电容。 本发明提供一种具有规则和密集填充的无机纳米颗粒的纳米复合多层体，而不需要用于配体交换的单独方法和由其制造的纳米复合多层。

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