연속 변수 양자키 분배의 정보 조정을 위한 이진 비트키 추정 방법 및 장치

    公开(公告)号:WO2019004527A1

    公开(公告)日:2019-01-03

    申请号:PCT/KR2017/013566

    申请日:2017-11-24

    CPC classification number: H04L1/00 H04L1/24 H04L9/08

    Abstract: 정보 수신부가, 송신단측 이진 비트키에 기초하여 생성된 송신 신호를 송신단으로부터 수신하는 단계, 오류 산출부가, 송신 신호, 미리 저장된 수신단측 이진 비트키 및 기설정된 패리티 체크 행렬(Parity Check Matrix) 중 적어도 하나에 기초하여 송신단측 이진 비트키와 수신단측 이진 비트키 상호 간의 차이를 나타내는 이진 비트 오류를 산출하는 단계 및 이진 비트키 추정부가, 수신단측 이진 비트키 및 이진 비트 오류에 기초하여 송신단측 이진 비트키를 추정하는 단계를 포함하는, 연속 변수 양자키 분배의 정보 조정을 위한 이진 비트키 추정 방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이다.

    그래프 상태를 이용한 양자 오류 정정 부호의 생성 방법 및 장치
    12.
    发明申请
    그래프 상태를 이용한 양자 오류 정정 부호의 생성 방법 및 장치 审中-公开
    用图形状态生成量子纠错码的方法和装置

    公开(公告)号:WO2017217577A1

    公开(公告)日:2017-12-21

    申请号:PCT/KR2016/006809

    申请日:2016-06-24

    Inventor: 허준 손일권

    Abstract: 그래프 상태를 이용한 양자 오류 정정 부호의 생성 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래프 상태를 이용한 양자 오류 정정 부호의 생성 방법 은 적어도 하나의 얽힌 큐비트(entangled qubit: ebit)를 포함하는 복수의 큐비트에 대하여, 각 큐비트 간의 인접 관계를 나타내는 그래프 상태(graph state)를 생성하는 단계; 상기 그래프 상태에 대응되며, 상기 복수의 큐비트의 오류를 검출하기 위한 복수의 안정연산자로 구성되는 제1 안정연산자 생성자(stabilizer generator)를 생성하는 단계; 및 상기 제1 안정연산자 생성자 및 상기 적어도 하나의 얽힌 큐비트에 기초하여, 코드워드의 위상플립연산에 이용되는 적어도 하나의 논리 Z 연산자, 코드워드의 비트플립연산에 이용되는 적어도 하나의 논리 X 연산자 및 상기 제1 안정연산자 생성자의 부분집합인 제2 안정연산자 생성자를 생성하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation:

    提供一种使用图状态生成量子纠错码的方法。 根据本发明实施例的使用图状态生成量子纠错码的方法包括:使用至少一个纠缠量子位生成量化纠错码, 生成图形状态; 产生对应于图状态的第一稳定器发生器,并且包括用于检测多个量子位的错误的多个稳定性算子; 和第一稳定操作发电机,并且其中,缠结量子位的基础上的所述至少一个,其在至少一个逻辑Ž操作者使用的至少一个逻辑X运算符,用于逐渐码字的翻页操作的代码字的位翻转操作 并生成第二个稳定性算子构造函数,它是第一个稳定性算子构造函数的一个子集。

    양자 부호 설계 장치 및 방법
    13.
    发明申请
    양자 부호 설계 장치 및 방법 审中-公开
    设计量子码的设备和方法

    公开(公告)号:WO2013118931A1

    公开(公告)日:2013-08-15

    申请号:PCT/KR2012/001291

    申请日:2012-02-21

    Inventor: 허준 신정환

    CPC classification number: H03M13/13 H03M13/033 H03M13/05 H03M13/21 H03M13/615

    Abstract: CWS(Code Word Stabilized Quantum) 코드의 표준 방식(standard form)을 이용하여 양자 오류 채널에서 발생하는 하나 이상의 양자 오류를 하나 이상의 이진 오류(binary error)로 분석하는 분석부, 상기 하나 이상의 이진 오류를 수정하는 이진 오류 정정 부호를 생성하는 부호 생성부, 상기 하나 이상의 이진 오류 정정 부호를 이용하여 상기 CWS 코드의 하나 이상의 워드 연산자(word operator)를 생성하는 워드 연산자 생성부 및 상기 하나 이상의 워드 연산자를 이용하여 하나 이상의 얽힘 큐비트(ebit: entangled qubit)을 포함하는 하나 이상의 코드 워드를 생성하는 코드 워드 생성부를 포함하는 양자 부호 설계 장치를 제공한다.

    Abstract translation: 提供了一种量子代码设计装置,包括:分析单元,用于使用标准形式的码字稳定(CWS)量子码将量子误差信道中产生的一个或多个量子误差分析成一个或多个二进制误差; 代码生成单元,用于生成用于校正所述一个或多个二进制错误的二进制纠错码; 一个字操作者产生单元,用于使用所述一个或多个二进制纠错码产生CWS量子码的一个或多个字操作符; 以及代码字产生单元,用于使用所述一个或多个字操作器生成包括一个或多个纠缠量子位(ebits)的一个或多个代码字。

    층 교차 기반 3차원 터보 곱 코드의 복호 방법 및 그 장치
    16.
    发明授权
    층 교차 기반 3차원 터보 곱 코드의 복호 방법 및 그 장치 有权
    基于层交叉的三维涡轮产品代码解码方法及其装置

    公开(公告)号:KR101811281B1

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:KR1020170049205

    申请日:2017-04-17

    CPC classification number: H03M13/2963 H03M13/2903 H03M13/6561

    Abstract: 3차원 TPC 복호장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른 3차원 TPC 복호장치는 m-1번째상위절반층의 Y축과 Z축의복호결과에기초하여 m번째상위절반층의 X축을복호하는 X축복호기; m-1번째하위절반층의 X축과 Z축의복호결과에기초하여 m번째하위절반층의 Y축을복호하는 Y축복호기; 및 m번째상위절반층의 Y축의복호결과와 m번째하위절반층의 X축의복호결과에기초하여 Z축을복호하는 Z축복호기를포함할수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种三维TPC解码设备。 根据用于Y轴和Z轴,第m-1个上半层呼气的解码结果的基础上的第m个半顶层的X轴进行解码的本发明X祝福的一个实施例的3D TPC解码装置; Y乘法器,用于基于第(m-1)下半层的X轴和Z轴的解码结果来解码第m下半层的Y轴; 以及用于基于第m上半层的Y轴的解码结果和第m下半层的X轴的解码结果来解码Z轴的Z乘法器。

    양자 오류 정정 부호간 결함 허용 방식의 상호 변환 장치 및 방법

    公开(公告)号:KR101768595B1

    公开(公告)日:2017-08-17

    申请号:KR1020160115723

    申请日:2016-09-08

    CPC classification number: H03M13/00 G06F11/10 G06F11/1691 G06N99/002 H03M13/61

    Abstract: 본발명은양자오류정정부호간결함허용방식의상호변환장치및 방법에관한것으로, 특히변환의대상이되는양자오류정정부호들을기준형으로변환한뒤 서로를비교하여변환에필요한게이트를선택하고, 해당게이트들을적절히배치하여변환과정이양자노이즈의영향을잘 제어할수 있도록한 양자오류정정부호간결함허용방식의상호변환장치및 방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 초기양자오류정정부호와목적양자오류정정부호를일반형에서표준형으로변환하는표준형변환기; 초기양자오류정정부호와목적양자오류정정부호를표준형에서기준형으로변환하는기준형변환기; 기준형으로변환된초기양자오류정정부호와목적양자오류정정부호를비교하여양자연산자들을선정하는양자연산자선정기; 선정된양자연산자들을배치하여양자회로를설계하는양자회로설계기; 및설계된양자회로를초기양자오류정정부호에적용하여목적양자오류정정부호를산출하는양자변환기를포함하는양자오류정정부호간결함허용방식의상호변환장치및 방법을제공한다.

    나노구조물을 포함하는 농도구배 세포칩, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 영상 분석 장치
    19.
    发明公开
    나노구조물을 포함하는 농도구배 세포칩, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 영상 분석 장치 审中-实审
    细胞芯片浓度梯度,包括纳米结构,其制造方法和使用它的图像分析的装置

    公开(公告)号:KR1020160098646A

    公开(公告)日:2016-08-19

    申请号:KR1020150020171

    申请日:2015-02-10

    CPC classification number: B01L9/527 B01L3/5023 B01L3/502715 B01L3/502761

    Abstract: 본발명의실시예에따라, 나노구조물을포함하는농도구배세포칩및 이의제조방법이제공된다. 상기농도구배세포칩은유체가유입되는유입부, 상기유체가이동하면서농도가희석되는농도구배채널, 챔버및 상기챔버내의유체가배출되는유출부를포함하는기판; 상기기판에부착되어, 상기유입부, 상기유출부및 상기농도구배채널중 적어도하나를외부로부터보호하는필름; 및세포성장이촉진되도록상기챔버내에배치되는나노구조물을포함하며, 상기유입부, 상기농도구배채널, 상기챔버및 상기유출부는기판의표면으로부터함몰되거나관통하여구현될수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施方案,具有包括纳米结构的浓度梯度的电池芯片,其制造方法和使用其的图像分析装置。 具有浓度梯度的电池芯片包括:包括其中插入流体的入口单元的衬底,通过移动流体稀释流体浓度的浓度梯度通道,腔室和排出单元以排出流体 从房间; 附着在基板上的膜,并保护入口单元,排出单元和浓度梯度通道中的至少一个; 以及布置在腔室中以促进细胞的纳米结构。 入口单元,浓度梯度通道,室和排出单元从基板的表面凹陷或穿透基板的表面。

    고출력 노킹센서용 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법
    20.
    发明公开
    고출력 노킹센서용 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법 无效
    用于高输出接头传感器的压电陶瓷组合物和制造压电陶瓷的方法

    公开(公告)号:KR1020160044085A

    公开(公告)日:2016-04-25

    申请号:KR1020140138139

    申请日:2014-10-14

    CPC classification number: C04B35/48 C04B35/46

    Abstract: 본발명은고출력노킹센서용압전세라믹조성물및 이의제조방법에관한것으로 xPb(ZrTi)O-(1-x)Pb(NiZn)NbO(0.60

    Abstract translation: 本发明涉及一种高输出爆震传感器的压电陶瓷组合物及其制造方法。 用于高输出敲击传感器的压电陶瓷组合物具有xPb(Zr_(1-y)Ti_y)O_3-(1-x)Pb(Ni_0.4Zn_0.6)_(1/3)Nb(2 / 3)O_3,其中x大于0.60且小于0.69; y大于0.500且小于0.525。 压电陶瓷组合物具有高的压电应变常数并且具有低介电常数,从而能够具有高的压电电压常数。

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