신경모방 멤리스터 크로스바 회로

    公开(公告)号:KR101912881B1

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:KR1020160032826

    申请日:2016-03-18

    Abstract: 본발명은이미지인식이진멤리스터의두 개의동일한크로스바어레이로구성되는트윈크로스바회로를갖는신경모방멤리스터크로스바회로를제공하기위한것으로서, N X M 멤리스터로구성되는멤리스터어레이로이루어지고, 이미지벡터를저장하는제 1 크로스바어레이와, 상기제 1 크로스바어레이와트윈크로스바구조를갖는멤리스터어레이로이루어지며, 상기제 1 크로스바어레이의입력벡터의반전된벡터를입력받아, 반전된이미지벡터를저장하는제 2 크로스바어레이와, 상기제 1 크로스바어레이의출력벡터및 상기제 2 크로스바어레이의출력벡터를각각감산하여유사성의양을측정하는감산기와, 상기감산기에서측정된유사성양을저장된화상벡터와비교하여유사도가가장일치하는저장된이미지벡터를선택하여출력하는승자독점회로부(winner-take-all circuit)로구성되는데있다.

    열전 발전기 제어 장치
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102198601B1

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:KR1020190043097

    申请日:2019-04-12

    Inventor: 민경식 김창선

    Abstract: 열전발전기제어방법및 장치를개시한다. 본실시예에의하면, 최대전력점추적(MPPT: Maximum Power Point Tracking) 및영전류스위칭(ZCS: Zero-Current Switching)을기반으로에너지하베스팅장치에서복수의열전발전기를이용하는경우에도생산전력량대비전달전력량의효율성이떨어지지않는열전발전기제어장치를제공한다.

    신경모방 멤리스터 크로스바 회로
    16.
    发明公开
    신경모방 멤리스터 크로스바 회로 审中-实审
    神经障碍忆阻器交叉开关电路

    公开(公告)号:KR1020170108627A

    公开(公告)日:2017-09-27

    申请号:KR1020160032826

    申请日:2016-03-18

    Abstract: 본발명은이미지인식이진멤리스터의두 개의동일한크로스바어레이로구성되는트윈크로스바회로를갖는신경모방멤리스터크로스바회로를제공하기위한것으로서, N X M 멤리스터로구성되는멤리스터어레이로이루어지고, 이미지벡터를저장하는제 1 크로스바어레이와, 상기제 1 크로스바어레이와트윈크로스바구조를갖는멤리스터어레이로이루어지며, 상기제 1 크로스바어레이의입력벡터의반전된벡터를입력받아, 반전된이미지벡터를저장하는제 2 크로스바어레이와, 상기제 1 크로스바어레이의출력벡터및 상기제 2 크로스바어레이의출력벡터를각각감산하여유사성의양을측정하는감산기와, 상기감산기에서측정된유사성양을저장된화상벡터와비교하여유사도가가장일치하는저장된이미지벡터를선택하여출력하는승자독점회로부(winner-take-all circuit)로구성되는데있다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种神经模仿忆阻器纵横式电路,其具有由两个相同的图像感知式二元忆阻器的相交叉阵列组成的双横杆电路,其包括由NXM忆阻器组成的忆阻器阵列, 它由具有第一横杆阵列和所述第一交叉杆阵列和用于存储,接收所述交叉杆阵列矢量的第一输入端的反向矢量的双横杆结构的膜晶闸管阵列,存储权利要求的反转图像向量 减法器,用于减去第一交叉开关阵列的输出向量和第二交叉开关阵列的输出向量以测量相似量; 还有一个赢家通吃电路,用于选择和输出最接近匹配的存储图像矢量 还有用。

    저전력 멤리스터 구동회로 및 그 방법
    17.
    发明公开
    저전력 멤리스터 구동회로 및 그 방법 有权
    低功率驱动电路和方法

    公开(公告)号:KR1020120068347A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:KR1020100129935

    申请日:2010-12-17

    Inventor: 민경식 조관희

    Abstract: PURPOSE: A low power memristor driving circuit and a driving method thereof are provided to prevent a power loss by properly controlling an amount of currents. CONSTITUTION: A first low power driving control unit(200) generates a first internal write control signal of a memristor. A first operation signal applying unit applies a driving operation voltage to the first low power driving control unit. A first precharge unit(300) supplies a driving voltage of the memristor to the first low power driving control unit. A first write current applying unit(350) supplies a write current to the low power memristor driving circuit. An operating voltage applying unit(800) supplies an operation voltage to the low power memristor driving circuit.

    Abstract translation: 目的:提供低功率忆阻器驱动电路及其驱动方法,以通过适当地控制电流量来防止功率损耗。 构成:第一低功率驱动控制单元(200)产生忆阻器的第一内部写入控制信号。 第一操作信号施加单元向第一低功率驱动控制单元施加驱动操作电压。 第一预充电单元(300)将忆阻器的驱动电压提供给第一低功率驱动控制单元。 第一写入电流施加单元(350)向低功率忆阻器驱动电路提供写入电流。 工作电压施加单元(800)向低功率忆阻器驱动电路提供工作电压。

    데이터라인 리던던시 회로
    18.
    发明公开
    데이터라인 리던던시 회로 无效
    DATALINE REDUNDANCY电路

    公开(公告)号:KR1020080101353A

    公开(公告)日:2008-11-21

    申请号:KR1020070047993

    申请日:2007-05-17

    Inventor: 민경식

    CPC classification number: G11C29/70 G11C7/10 G11C8/10

    Abstract: A data line redundancy circuit is provided to be used in a redundancy circuit having small data pitch by making a circuit simpler than the conventional device. A data line redundancy circuit includes N+1 data lines are composed of n data line and redundant data line, n output lines, 2n data switches connecting each data lien to output line alternately, n shift logic circuits controlling a pair of data line switches, 2n data line switches connecting(n')-th data line,(n)-th data line,(n")-th data line alternately.

    Abstract translation: 通过使电路比传统的器件简单,提供了用于具有小数据间距的冗余电路中的数据线冗余电路。 数据线冗余电路包括N + 1条数据线,由n条数据线和冗余数据线,n条输出线,2n条数据开关组成,每条数据交替连接到输出线,n条逻辑电路控制一对数据线开关, 2n数据线交替地连接(n')数据线,(n)数据线,(n“)数据线。

Patent Agency Ranking