公开(公告)号：KR1020130042911A

公开(公告)日：2013-04-29

申请号：KR1020110107064

申请日：2011-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  티오에스주식회사

Inventor： 전현수 ,  김용규 ,  박두병 ,  이동복 ,  김봉선 ,  이동윤 ,  정재홍 ,  나민재

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32944 ,  H01J37/32972

Abstract: PURPOSE: A plasma facility and a managing method thereof are provided to increase or maximize productivity by processing the information of the generation of the arcing or hunting in a plasma reaction. CONSTITUTION: A chamber(10) induces a plasma reaction(12). A detector(20) detects a spectrum signal from the plasma reaction inside the chamber. A control part(30) controls reaction gas which directly affects the plasma reaction. A regulation part(40) outputs a regulation signal regulating the control part. A plasma monitoring module(50) determines the generation of the arcing or hunting of the plasma reaction with the variation of the amplitude of the spectrum signal. [Reference numerals] (32) Flow rate control part; (34) High frequency adjustment part; (40) Control part; (50) Plasma monitoring module;

Abstract translation: 目的：提供等离子体设备及其管理方法，以通过处理在等离子体反应中产生电弧或狩猎的信息来增加或最大化生产率。 构成：室（10）引起等离子体反应（12）。 检测器（20）检测室内等离子体反应的光谱信号。 控制部件（30）控制直接影响等离子体反应的反应气体。 调节部（40）输出调节控制部的调节信号。 等离子体监测模块（50）根据频谱信号的振幅的变化来确定等离子体反应的电弧或捕获的产生。 （附图标记）（32）流量控制部; （34）高频调整部; （40）控制部分; （50）等离子体监测模块;

公开(公告)号：KR1020060118768A

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：KR1020050041105

申请日：2005-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 나민재

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01L21/67069

Abstract: An etching apparatus for semiconductor device manufacturing is provided to reduce deposition amount and minute particles by using a plate baffle coated with Y2O3 to improve reliability and productivity of a semiconductor device. An upper electrode(102) and a lower electrode(104) are formed in a process chamber(100) to apply RF power for forming plasma. A gas inlet unit(110) is formed on a center of the upper electrode and supplies a reactive gas necessary to an etching process into the process chamber. A vacuum pump(112) performs a pumping operation to keep a vacuum state in an inside of the process chamber. A pressure gage(114) measures a degree of vacuum of the process chamber. A plate baffle(116) coated with Y2O3 exhausts a non-reactive gas remaining in the process chamber to the outside. The plate baffle prevents a vortex flow due to pumping in the process chamber form generating to form stable plasma.

Abstract translation: 提供一种用于半导体器件制造的蚀刻装置，通过使用涂覆有Y 2 O 3的板挡板来减少沉积量和微小颗粒，以提高半导体器件的可靠性和生产率。 在处理室（100）中形成上电极（102）和下电极（104），以施加用于形成等离子体的RF功率。 在上部电极的中心形成气体入口单元（110），并向处理室提供蚀刻过程所需的反应气体。 真空泵（112）执行泵送操作以在处理室的内部保持真空状态。 压力表（114）测量处理室的真空度。 涂有Y2O3的板挡板（116）将残留在处理室中的非反应性气体排出到外部。 板式挡板防止由于泵送处理室形式产生涡流而形成稳定的等离子体。

公开(公告)号：KR100513404B1

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：KR1020030088480

申请日：2003-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 나민재

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67276

Abstract: 본 발명은 RF 시간에 따라 식각공정을 제어하여 생산수율을 향상시키고, 생산성을 높일 수 있는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법에 대하여 개시한다. 그의 제어방법은, 식각공정을 제어하는 반도체 제조설비 관리시스템에 있어서, 상기 식각공정을 진행할 해당 롯의 정보를 인식하는 단계와, 상기 해당 롯의 정보가 식각장치의 미리 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행하는 공정인지를 확인하는 단계와, 상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행되어야 할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 상기 설정된 RF시간과 비교하여 상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정의 가능 여부를 판단하는 단계를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020050055303A

公开(公告)日：2005-06-13

申请号：KR1020030088480

申请日：2003-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 나민재

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67276

Abstract: 본 발명은 RF 시간에 따라 식각공정을 제어하여 생산수율을 향상시키고, 생산성을 높일 수 있는 반도체 제조설비 관리시스템의 제어방법에 대하여 개시한다. 그의 제어방법은, 식각공정을 제어하는 반도체 제조설비 관리시스템에 있어서, 상기 식각공정을 진행할 해당 롯의 정보를 인식하는 단계와, 상기 해당 롯의 정보가 식각장치의 미리 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행하는 공정인지를 확인하는 단계와, 상기 해당 롯이 상기 설정된 RF 시간을 경과하여 식각공정을 진행되어야 할 경우, 상기 식각장치의 RF 시간을 상기 설정된 RF시간과 비교하여 상기 식각장치에서 상기 해당 롯의 식각공정의 가능 여부를 판단하는 단계를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020030015640A

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：KR1020010049482

申请日：2001-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉선 ,  최정민 ,  나민재 ,  김응수

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A cover ring of dry etch equipment is provided to eliminate a reason causing a particle by making the cover ring installed inside an etch process chamber composed of two parts so that only a part exposed to plasma is replaced. CONSTITUTION: An assistance ring(20) is exposed to plasma. A main ring(22) is not exposed to plasma, covered with the assistance ring. An exhaust ring of the dry etch equipment is composed of the assistance ring and the main ring. The covering is made of a quartz material. The main ring is made of a ceramic material. The assistance ring is installed in a position where the assistance ring is exposed and worn out.

Abstract translation: 目的：提供干蚀刻设备的盖环，以通过将盖环安装在由两部分组成的蚀刻处理室内，以便只有暴露于等离子体的部分被更换才能消除造成颗粒的原因。 构成：辅助环（20）暴露于等离子体。 主环（22）不暴露于等离子体，被辅助环覆盖。 干蚀刻设备的排气环由辅助环和主环组成。 覆盖物由石英材料制成。 主环由陶瓷材料制成。 辅助环安装在辅助环暴露并磨损的位置。