公开(公告)号：KR3006550750000S

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：KR3020110002508

申请日：2011-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성

公开(公告)号：KR3006514160000S

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：KR3020100053397

申请日：2010-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성

公开(公告)号：KR3006431170000S

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：KR3020100047942

申请日：2010-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성

公开(公告)号：KR3006132490000S

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：KR3020100023203

申请日：2010-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성 ,  한범구 ,  황창환

公开(公告)号：KR3005760820000S

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：KR3020090030820

申请日：2009-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성 ,  조윤영 ,  황창환

公开(公告)号：KR3005760780000S

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：KR3020090030597

申请日：2009-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성 ,  조윤영 ,  황창환

公开(公告)号：KR3005760720000S

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：KR3020090029685

申请日：2009-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성 ,  조윤영 ,  황창환

公开(公告)号：KR3004522640000S

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：KR3020060046834

申请日：2006-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성 ,  이민혁 ,  황창환

公开(公告)号：KR3004244500000S

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：KR3020050042609

申请日：2005-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박제성 ,  김태중 ,  이민혁 ,  황창환

公开(公告)号：KR100603509B1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020000016008

申请日：2000-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정수 ,  박제성 ,  양창집 ,  최진오

IPC: H01L21/3213

Abstract: 전기적 불량률을 최소화할 수 있는 반도체 장치의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 제1 도전층, 제2 도전층 및 제1 절연층을 순차적으로 형성한다. 상기 제1 절연층 및 상기 제1 도전층보다 상기 제2 도전층에 대해 높은 식각률을 갖는 혼합 가스를 이용하여 상기 제1 절연층, 상기 제2 도전층 및 상기 제1 도전층을 선택적으로 이방성 식각 및 과식각하여 측면에 리세스가 형성된 게이트전극을 형성한다. 상기 게이트전극이 형성된 상기 반도체 기판 상에 상기 게이트전극의 형상을 따라 균일한 두께를 갖는 고온산화막 및 제2 절연막을 순착적으로 형성하고, 상기 제2 절연막 및 상기 고온산화막을 이방성 식각하여 상기 게이트전극의 측면에 스페이서 및 게이트보호막를 형성한다. 게이트전극의 측면에 고온산화물을 증착시켜 균일한 두께의 게이트보호막을 형성함으로써, 스페이서의 일부가 식각되는 경우에도 상기 도전층으로부터 인접한 컨택으로의 누설전류가 발생하는 것을 방지할 수 있어 반도체 장치의 전기적 불량률을 최소화할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造能够使电缺陷率最小化的半导体器件的方法。 在半导体衬底上顺序形成第一导电层，第二导电层和第一绝缘层。 第一绝缘层，并使用具有用于在第一绝缘层，第二导电层的导电层的高蚀刻速率和选择性地各向异性地蚀刻比第一导电层的第一导电层的混合气体的第二 并且在侧面上形成有凹部的栅电极。 第二通过的绝缘膜和形成在栅电极以形成高温氧化膜，并具有为了chakjeok沿着栅极电极的形状的均匀的厚度的第二绝缘膜在半导体衬底上各向异性地蚀刻所述高温氧化膜，栅电极 间隔物和栅极保护膜形成在栅电极的侧表面上。 电通过形成具有由在栅电极的侧上沉积高温氧化物均匀厚度的栅极保护膜，所以能够防止从导电层相邻的触点的漏电流发生，即使间隔物蚀刻半导体装置的一部分 缺陷率可以降到最低。