公开(公告)号：KR1020130012308A

公开(公告)日：2013-02-04

申请号：KR1020110073416

申请日：2011-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용성 ,  이남희 ,  윤상용

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/34 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/3436 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

Abstract: PURPOSE: A method for programming a nonvolatile memory device is provided to shorten programming time by applying different program voltages to the groups of memory cells. CONSTITUTION: Multi-bit data is loaded on a page buffer unit(S111). Multilevel cells included in a multilevel cell block are programmed to a plurality of intermediate program states based on the multi-bit data(S113). It is verified whether the multilevel cells are programmed to the plurality of intermediate program states(S115). Cell group information about the plurality of intermediate program states is generated according to verification results about an uplink intermediate program state satisfies a preset reference(S117). The multilevel cells are programmed to the plurality of target program states corresponding to the multi-bit data based on the cell group information(S130). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S111) Loading a multi-bit on a page buffer unit; (S113) Programming multilevel cells to a plurality of intermediate program states; (S115) Verifying whether the multilevel cells are programmed to the plurality of intermediate program states; (S117) Generating cell group information based on verification results; (S130) Programming the multilevel cells to a plurality of target program states based on the cell group information

Abstract translation: 目的：提供一种用于编程非易失性存储器件的方法，通过将不同的编程电压施加到存储器单元组来缩短编程时间。 构成：多页数据装入页缓冲单元（S111）。 包括在多电平单元块中的多电平单元基于多位数据被编程为多个中间程序状态（S113）。 验证多电平单元是否被编程为多个中间程序状态（S115）。 根据关于上行链路中间程序状态的验证结果满足预先设定的参照，生成关于多个中间程序状态的单元组信息（S117）。 基于小区组信息将多层小区编程为与多比特数据相对应的多个目标节目状态（S130）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S111）在页面缓冲单元上加载多位; （S113）将多级单元编程为多个中间程序状态; （S115）验证多电平单元是否被编程为多个中间程序状态; （S117）基于验证结果生成单元组信息; （S130）基于小区组信息将多层小区编程为多个目标程序状态

公开(公告)号：KR1020110134748A

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：KR1020100054498

申请日：2010-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종훈 ,  이남희

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/08 ,  G11C16/04 ,  G11C16/30 ,  G11C5/14 ,  G06F1/28

CPC classification number: G11C16/08 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G06F1/28 ,  G11C5/14 ,  G11C16/30

Abstract: PURPOSE: A flash memory device and reading method thereof are provided to increase off-cell margin by controlling the voltage of a sensing node. CONSTITUTION: A sensing node voltage controller(230) generates and outputs precharge voltage and sensing node voltage control signal. A page buffer unit(220) receives the precharge voltage and the sensing node voltage control signal and is connected to a memory cell array through bit lines. The page buffer unit includes page buffers corresponding to the bit line.

Abstract translation: 目的：提供闪速存储器件及其读取方法，以通过控制感测节点的电压来增加离子间距。 构成：传感节点电压控制器（230）产生并输出预充电电压和感测节点电压控制信号。 页面缓冲单元（220）接收预充电电压和感测节点电压控制信号，并通过位线连接到存储单元阵列。 页缓冲器单元包括对应于位线的页缓冲器。

公开(公告)号：KR100621574B1

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：KR1019990027346

申请日：1999-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 이남희 ,  서선애 ,  이재원

IPC: G06F11/26

Abstract: 개시된 내장 시스템 소프트웨어 테스팅을 위한 테스트 드라이버 생성 시스템은 내장 시스템 소프트웨어 테스팅을 위해 테스트 케이스 생성기(Test Case Generator)에서 생성된 테스트 케이스를 수행할 수 있는 테스트 드라이버를 생성하는 것이다.
본 발명은 테스트 케이스 생성기의 테스트 드라이버 생성기를 통해 내장 시스템 소프트웨어의 테스팅 수행시 필요한 각종 함수들의 정보를 가지고 있는 인터페이스 명세표의 함수들에 대한 프로토 타입 정보를 읽어들이고, 필요한 초기화 코드, 함수들의 각 함수에 대한 파라미터 입력 루틴 및 각 함수의 함수 호출 부분을 삽입하여 테스트 드라이버를 생성하며, 생성된 테스트 드라이버를 함수 호출에 따라 체크하여 해당 결과를 화면상으로 출력한다.
따라서, 본 발명은 내장 시스템 소프트웨어를 테스트하는 데 필요한 테스트 드라이버를 작업자의 손을 거치지 않고 컴퓨터 시스템에 탑재된 프로그램에 의해 자동으로 생성할 수 있으므로 내장 프로그램의 테스팅 작업시 발생되는 오류를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 이로 인해 내장 시스템 소프트웨어를 테스트하는 데 소요되는 시간을 최소화하는 효과를 제공한다.
소프트웨어 테스팅, 내장 시스템 소프트웨어, 테스트 드라이버, 메시지 시퀀스 차트(Message Sequence Charts)