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公开(公告)号：KR1020050114152A
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020040039373
申请日：2004-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정지호
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: H01L21/02032
Abstract: 개시된 반도체 분석용 웨이퍼 재생장치는 그 내부에 산성의 전해액이 수용되며 그 상면에 구리금속이 증착된 웨이퍼를 수용시키는 저장용기와 전해액에 잠긴 구리금속을 전기 화학적으로 에칭하도록 전위를 가하되, 웨이퍼의 구리금속과 전기적으로 연결되는 제 1전극과, 전해액에 전류를 주도록 전기적으로 연결된 제 2전극과, 제 1, 2전극과 전기적으로 연결되어 소정 전압을 공급하는 전원부를 포함하는 전위발생수단을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020080037935A
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：KR1020060105253
申请日：2006-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정지호
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/288 , H01L21/76877
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve operation reliability of the semiconductor device by omitting a metal oxide film formed between a metal film pattern and a conductive film pattern. A metal film pattern(110) is formed on a semiconductor substrate(100). The substrate with the metal film pattern is submerged in an electrolyte solution(220). A pH of the electrolyte solution is adjusted, such that a passivation film having a metal oxide film is formed on the metal film pattern. The pH of the electrolyte solution is adjusted to correspond to an immovable region in a pourbaix diagram of the metal film pattern. An interlayer dielectric is formed on the substrate having the passivation film. A contact hole, which penetrates the interlayer dielectric to expose the passivation film, is formed.
Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的方法，以通过省略在金属膜图案和导电膜图案之间形成的金属氧化物膜来提高半导体器件的操作可靠性。 在半导体衬底（100）上形成金属膜图案（110）。 具有金属膜图案的基板浸没在电解质溶液（220）中。 调整电解液的pH，使得在金属膜图案上形成具有金属氧化物膜的钝化膜。 将电解质溶液的pH调节为对应于金属膜图案的倾倒图中的不可移动区域。 在具有钝化膜的基板上形成层间电介质。 形成穿透层间电介质以露出钝化膜的接触孔。
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公开(公告)号：KR1020060108437A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020050030820
申请日：2005-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정지호
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/283 , H01L21/76841
Abstract: 희생양극패턴을 갖는 반도체소자 및 그 형성방법이 제공된다. 이 소자는 기판 및 상기 기판 상에 배치된 금속배선을 포함한다. 또한, 상기 기판 상에 상기 희생양극패턴이 배치된다. 상기 희생양극패턴은 상기 금속배선 보다 기전력이 낮은 금속물질이어야 한다. 예를 들면, 상기 금속배선이 구리(Cu)인 경우, 상기 희생양극패턴은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 주석(Sn)을 포함하는 물질막일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070030628A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：KR1020050085432
申请日：2005-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정지호
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0068
Abstract: 인시튜로 다층막들을 형성하는 데 적합한 스퍼터링 장치를 제공한다. 상기 스퍼터링 장치는 진공챔버를 구비한다. 상기 진공챔버 내부의 일측에 반도체 기판이 안착되는 제1 전극이 배치된다. 상기 진공챔버 내부의 타측에 제2 전극이 배치되되, 상기 제1 및 제2 전극들은 서로 대향되게 위치한다. 상기 제2 전극 상에 적어도 복수개의 타겟들이 배치되되, 상기 타겟들은 서로 다른 원자량을 갖는 물질들로 이루어진다. 상기 스퍼터링 장치를 이용하여 다층막을 형성하는 방법 또한 제공한다.
스퍼터링 장치, 진공챔버, 타겟들, 제1 및 제2 전극들
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