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公开(公告)号：KR101855569B1
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR1020160010538
申请日：2016-01-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M4/60 , H01M10/052 , C08G61/12
Abstract: 이차전지용활물질및 그제조방법이제공된다. 상기이차전지용활물질은, 전도성고분자, 및공액카르보닐기를갖는화합물의반응에의해제조된다. 상기이차전지용활물질의제조방법은, 전도성고분자를형성하는단계, 공액카르보닐기를갖는화합물을형성하는단계, 및상기전도성고분자와상기공액카르보닐기를갖는화합물을반응시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101692138B1
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150013787
申请日：2015-01-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M2/16 , H01M2/14 , H01M10/052
Abstract: 본발명은리튬이차전지분리막및 이를포함하는리튬이차전지를제공한다. 상기리튬이차전지분리막은분리막, 및상기분리막표면에폴리페놀로형성된코팅막을포함한다. 상기리튬이차전지는상기리튬이차전지분리막을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种锂二次电池隔板和包含该锂二次电池隔板的锂二次电池。 锂二次电池隔板包括：隔膜; 以及在隔膜的表面上由多酚制成的涂膜。 锂二次电池包括锂二次电池隔板。 包括锂二次电池隔板的锂二次电池能够以高速充电。
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公开(公告)号：KR1020140059508A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120126044
申请日：2012-11-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L31/101 , G01R19/165 , H01L31/09
Abstract: An infrared ray detector according to the present invention includes a silicon substrate having a channel region where a channel is formed, a gate recess which is formed with a constant depth in the silicon substrate, a source which is adjacent to one side of the gate recess and doped with a first conductivity type, a drain which is adjacent to the other side of the gate recess and doped with a second conductivity type, and a gate which is formed by interposing a gate insulating layer in the recess. The infrared ray detector detects an infrared ray which is emitted to the bonding part of the source and the channel region. The wavelength of an infrared ray to be detected is controlled by controlling bias applied to the gate.
Abstract translation: 根据本发明的红外线检测器包括：具有形成沟道的沟道区的硅衬底;在硅衬底中形成有恒定深度的栅极凹槽;与栅极凹部的一侧相邻的源极 并且掺杂有第一导电类型，与栅极凹槽的另一侧相邻并掺杂有第二导电类型的漏极，以及通过在所述凹部中插入栅极绝缘层而形成的栅极。 红外线检测器检测发射到源极和沟道区域的接合部分的红外线。 通过控制施加到栅极的偏置来控制要检测的红外线的波长。
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公开(公告)号：KR101813363B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160019961
申请日：2016-02-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M10/0565 , C08J5/22
Abstract: 고체상의이차전지용전해질이제공된다. 상기고체상의이차전지용전해질은, 싸이올기를갖는제1 화합물과상기싸이올기와결합하는가교제의반응에의해형성된고분자매트릭스를포함한다. 고체상의이차전지용전해질은유기용매를사용하지않기때문에액체상전해질에비해누액, 휘발, 폭발등의위험이적어안정성이높다. 또, 상기고체상의이차전지용전해질은우수한이온전도도등 우수한전기적특성을가질수 있고, 간단한공정으로제조될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160092862A
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020150013787
申请日：2015-01-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M2/16 , H01M2/14 , H01M10/052
CPC classification number: H01M2/1686 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M10/052
Abstract: 본발명은리튬이차전지분리막및 이를포함하는리튬이차전지를제공한다. 상기리튬이차전지분리막은분리막, 및상기분리막표면에폴리페놀로형성된코팅막을포함한다. 상기리튬이차전지는상기리튬이차전지분리막을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种锂二次电池隔板和包含该锂二次电池隔板的锂二次电池。 锂二次电池隔板包括：隔膜; 以及在隔膜的表面上由多酚制成的涂膜。 锂二次电池包括锂二次电池隔板。 包括锂二次电池隔板的锂二次电池能够以高速充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101438726B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020120126044
申请日：2012-11-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/101
Abstract: 본 발명에 의한 적외선 검출기는 채널이 형성되는 채널 영역을 포함하는 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판 내에 일정 깊이로 형성된 게이트 리세스(gate recess), 상기 게이트 리세스 일측면에 인접하여 제1 도전형으로 도핑되어 형성된 소스, 상기 게이트 리세스 타측면에 인접하여 제2 도전형으로 도핑되어 형성된 드레인 및 상기 리세스 내에 게이트 절연막을 개재하여 형성된 게이트(gate)를 포함하여 상기 소스와 상기 채널 영역의 접합부에 입사한 적외선을 검출하는 적외선 검출기로, 게이트에 인가된 바이어스를 조절하여 검출하고자 하는 적외선의 파장을 조절한다.
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公开(公告)号：KR101270643B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020120079375
申请日：2012-07-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7311 , H01L29/66931 , H01L29/7376
Abstract: PURPOSE: A tunneling field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve a current operation by using an MOS(Metal Oxide Semiconductor) process. CONSTITUTION: A semiconductor substrate has a gate recess of a preset depth. The gate(130) is formed by inserting a gate insulating layer into the gate recess. A source(140) is doped with a first conductive dopant. The depth of the source is deeper than that of the gate recess. A drain(150) is doped with a second conductive dopant.
Abstract translation: 目的：提供隧道场效应晶体管及其制造方法，以通过使用MOS（金属氧化物半导体）工艺来改善电流操作。 构成：半导体衬底具有预设深度的栅极凹槽。 栅极（130）通过将栅极绝缘层插入栅极凹部中而形成。 源极（140）掺杂有第一导电掺杂剂。 源的深度比栅极凹槽深。 漏极（150）掺杂有第二导电掺杂剂。
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公开(公告)号：KR101928133B1
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：KR1020150010114
申请日：2015-01-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 수처리막 코팅재 및 상기 수처리막 코팅재로 코팅된 수처리막이 제공된다. 상기 수처리막은, 고분자 분리막 및 상기 고분자 분리막 표면에 금속 이온과 폴리페놀의 배위 화합물로 형성된 코팅막을 포함한다. 상기 금속은 철, 바나듐, 크롬, 가돌리늄, 구리, 및 카드뮴 중에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 폴리페놀은 탄닌산, 갈산, 피로갈롤, EGCG(epigallocatechin gallate), ECG(epicatechin gallate), 및 EGC(epigallocatechin) 중에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170090098A
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020160010538
申请日：2016-01-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M4/60 , H01M10/052 , C08G61/12
Abstract: 이차전지용활물질및 그제조방법이제공된다. 상기이차전지용활물질은, 전도성고분자, 및공액카르보닐기를갖는화합물의반응에의해제조된다. 상기이차전지용활물질의제조방법은, 전도성고분자를형성하는단계, 공액카르보닐기를갖는화합물을형성하는단계, 및상기전도성고분자와상기공액카르보닐기를갖는화합물을반응시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供了用于二次电池的活性材料及其制造方法。 二次电池活性材料通过导电聚合物与具有共轭羰基的化合物的反应来制备。 用于制造二次电池的活性材料，并且形成导电性高分子，以形成具有共轭羰基的化合物，以及具有该导电性高分子和共轭基团的化合物反应的方法。
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公开(公告)号：KR1020170019150A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113156
申请日：2015-08-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M10/0565 , H01M10/052
Abstract: 본발명은리튬이차전지용고체상고분자전해질에관한것으로, 구체적으로메타크릴폴리에틸렌글리콜을불포화말단탄닌산으로가교하여제조되며, 고체상이면서도액체상에준하는이온전도도를갖고제조과정이단순한장점또한보유하고있다.
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