公开(公告)号：KR1020150089742A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：KR1020140010721

申请日：2014-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  심재우 ,  박형열 ,  이재호

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/78

Abstract: 튜너블배리어를구비한그래핀트랜지스터가개시된다. 개시된그래핀트랜지스터는반도체기판상에배치된절연박막과, 상기절연박막상의그래핀층과, 상기그래핀층의일단부와연결된제1전극과, 상기그래핀층의타단부로부터이격되며상기반도체기판과접촉하는제2전극과, 상기그래핀층상의게이트전극을포함한다. 상기반도체기판및 상기그래핀층사이에튜너블에너지배리어가형성된다.

Abstract translation: 公开了一种包括可调屏障的石墨烯晶体管。 所公开的石墨烯晶体管包括布置在半导体衬底上的绝缘薄膜; 绝缘薄膜上的石墨烯层; 连接到所述石墨烯层的一端的第一电极; 与石墨烯层的另一端分离并与半导体基板接触的第二电极; 和石墨烯层上的栅电极。 在半导体衬底和石墨烯层之间形成能量势垒。