전도성 고분자 블랜드 조성물 및 이의 제조 방법
    12.
    发明公开
    전도성 고분자 블랜드 조성물 및 이의 제조 방법 有权
    导电聚合物混合组合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020130089207A

    公开(公告)日:2013-08-09

    申请号:KR1020130011240

    申请日:2013-01-31

    CPC classification number: H01B1/128

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a conductive polymer blend composition produces a multi-phased polymeric composition with improved conductivity, mechanical and thermal properties, etc. by mixing inherently conducting polymers with a polymeric deaggregating agent. CONSTITUTION: A manufacturing method for a conductive polymer blend composition comprises a step of making a molecular composite by mixing conductive polymers with a polymer deaggregating agent. The conductive polymer blend composition has the molecular composite of the conductive polymers and a polymer deaggregating agent having poly (alkylene carbonate), or copolymers or derivatives thereof. The weight ratio of the conductive polymer and the polymers deaggregating agent is 1:100-100:1.

    Abstract translation: 目的:导电聚合物共混物组合物的制造方法通过将固有导电聚合物与聚合物解聚剂混合而产生具有改进的导电性,机械和热性能等的多相聚合物组合物。 构成:导电聚合物共混物组合物的制造方法包括通过将导电聚合物与聚合物解聚剂混合来制备分子复合物的步骤。 导电聚合物共混组合物具有导电聚合物的分子复合物和具有聚(碳酸亚烷基酯)或其共聚物或衍生物的聚合物解聚剂。 导电聚合物和聚合物解聚剂的重量比为1:100-100:1。

    N-벤질 스틸바졸리움 및 음이온을 포함하는 비선형광학 결정
    13.
    发明授权
    N-벤질 스틸바졸리움 및 음이온을 포함하는 비선형광학 결정 有权
    含有N-苄基苯并咪唑和阴离子的非线性光学晶体

    公开(公告)号:KR101202712B1

    公开(公告)日:2012-11-20

    申请号:KR1020100054975

    申请日:2010-06-10

    Inventor: 권오필 김필주

    Abstract: 본 발명은 새로운 비선형과학 중심구조 양이온 N-벤질 스틸바졸리움 및 음이온을 포함하는 비선형광학 결정에 관한 것이다. 본 발명에서 N-벤질 스틸바졸리움 양이온 중심구조는 비극성이고 굽은 모양의 N-벤질 그룹을 스틸바졸리움 그룹에 도입함으로써 높은 다이폴 모먼트에 의한 다이폴-다이폴 상호작용을 극복하여 높은 거시적 비선형 광학 특성을 보이며, 기존의 대칭성 N-알킬 스틸바졸리움 중심구조를 바탕으로 하는 비선형광학 결정에 비해 높은 물에 대한 안정성 및 손쉬운 결정 성장 등의 장점이 나타나 비선형광학 재료로서 유용하게 응용 될 수 있다.

    다기능성 전자 주게 빌딩블록에 기반하는 비선형 광학 활성을 갖는 유기 이온 결정
    14.
    发明授权
    다기능성 전자 주게 빌딩블록에 기반하는 비선형 광학 활성을 갖는 유기 이온 결정 有权
    基于多功能电子给体构建模块的非线性光学活性有机离子晶体

    公开(公告)号:KR101797358B1

    公开(公告)日:2017-11-13

    申请号:KR1020160057763

    申请日:2016-05-11

    CPC classification number: C07D401/10 C07D401/06 H01L51/0067 H01L51/0071

    Abstract: 전자주게특성과수소결합특성을동시에지닌다기능성전자주게빌딩블록의도입을통하여비-중심대칭성의분자배열을유도하여비선형광학특성을나타내는유기이온결정을제공한다. 유기이온결정은전자를공여하는전자주게빌딩블록및 상기전자를수용하는전자받게빌딩블록을구비하는양이온분자및 설포네이트음이온작용기를구비하고양이온분자와이온결합하는음이온분자를포함하고, 전자주게빌딩블록은전자주게작용기로기능하는피페리디노기(piperidino group) 및상기음이온분자의설포네이트음이온작용기와수소결합을형성하는수산화기(hydroxyl group)를구비한다.

    Abstract translation: 它同时具有供电子性质和氢键性质,通过引入功能性供电子结构单元,它引起非中心对称分子排列,并提供呈现非线性光学性质的有机离子晶体。 有机离子晶体接收电子邮件,用于接收所述电子供体构建模块和电子供体的电子与阳离子分子和磺酸盐阴离子型官能团具有结构单元和包含阳离子分子和离子键合的阴离子分子,电子供体的建筑 该嵌段具有用作电子供体官能团的哌啶子基和与阴离子分子的磺酸根阴离子官能团形成氢键的羟基。

    비선형 광학용 퀴놀리늄 단결정
    16.
    发明授权
    비선형 광학용 퀴놀리늄 단결정 有权
    用于TERAHERTZ波浪应用的QUINOLINIUM SINGGLE CRYSTALS

    公开(公告)号:KR101523636B1

    公开(公告)日:2015-05-29

    申请号:KR1020140024333

    申请日:2014-02-28

    Inventor: 권오필

    Abstract: 본발명은높은분자배향도및 거시적광학비선형성을나타내는비선형광학용퀴놀리늄유도체결정에대한것이다. 본발명에따른퀴놀리늄유도체결정을테라헤르츠파광원에이용하는경우, 무기결정이나기존의유기결정에비하여더 높은테라헤르츠파발생효율을나타낸다.

    스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법
    17.
    发明授权
    스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법 有权
    生长芪唑盐晶体的方法

    公开(公告)号:KR101289851B1

    公开(公告)日:2013-07-26

    申请号:KR1020110076103

    申请日:2011-07-29

    Inventor: 권오필 김필주

    Abstract: 본 발명은 서로 다른 용매에서 순차적으로 성장하는 것을 특징으로 하는 스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법에 관한 것으로, 본 발명의 스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법은 스틸바죠리늄-염 결정을 서로 다른 용매에서 순차적으로 성장시킴으로써 선택적으로 결정의 두께 및 형태를 최적의 상태로 조절할 수 있고, 이는 광대역 THz 발생 및 검출원 등 결정의 특정 두께 및 형태가 요구되는 다양한 기술에 적용 가능하다.

    스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법
    18.
    发明公开
    스틸바죠리늄-염 결정의 성장 방법 有权
    硫酸钡晶体生长方法

    公开(公告)号:KR1020130014154A

    公开(公告)日:2013-02-07

    申请号:KR1020110076103

    申请日:2011-07-29

    Inventor: 권오필 김필주

    Abstract: PURPOSE: A method for growing stilbazolium-salt crystals in different solvents is provided to gradually grow the stilbazolium-salt crystals and to selectively and optimally control the thickness and form of the crystal. CONSTITUTION: A stilbazolium-salt crystal of chemical formula 1 gradually grows in different solvents. In chemical formula 1: R1, R2, and R3 are identical or different H, C1-C4 alkyl, substituted C1-C4 alkyl, a benzene ring, or a substituted benzene ring; and R4 is a benzene ring or a substituted benzene ring. The solvent is methanol, acetonitrile, acetone, methylethyl ketone, ethanol, or methylene chloride.

    Abstract translation: 目的:提供在不同溶剂中生长芪唑鎓晶体的方法,以逐渐生长芪唑盐晶体,并选择性地和最佳地控制晶体的厚度和形式。 构成:化学式1的芪唑鎓盐晶体在不同的溶剂中逐渐生长。 在化学式1中:R 1,R 2和R 3是相同或不同的H,C 1 -C 4烷基,取代的C 1 -C 4烷基,苯环或取代的苯环; R4是苯环或取代的苯环。 溶剂为甲醇,乙腈,丙酮,甲基乙基酮,乙醇或二氯甲烷。

    전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 성장 특성 조절 방법
    20.
    发明授权
    전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 성장 특성 조절 방법 失效
    用于控制含有具有电子供体和电子受体的多烯化合物的晶体的生长特性的方法

    公开(公告)号:KR101102457B1

    公开(公告)日:2012-01-05

    申请号:KR1020090074345

    申请日:2009-08-12

    Inventor: 권오필 최은영

    Abstract: 본 발명은 전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 성장 방법에 관한 것으로서, 상기 결정의 성장 방법은, 금속염 첨가제의 존재 하에서 상기 폴리엔 화합물을 포함하는 결정을 성장시키는 것을 포함하며, 이러한 결정 성장 방법에 의하여 상기 전자 주게 및 전자 받게를 포함하는 폴리엔 화합물을 포함하는 결정의 두께, 모폴로지 등을 포함한 결정 특성을 조절할 수 있다.
    폴리엔, 결정 두께 조절, 첨가제, 금속염

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