정전기 분사법을 이용한 그래핀 박막 및 이의 제조방법
    12.
    发明授权
    정전기 분사법을 이용한 그래핀 박막 및 이의 제조방법 有权
    石墨烯薄膜通过静电喷涂沉积及其制造方法

    公开(公告)号:KR101260433B1

    公开(公告)日:2013-05-06

    申请号:KR1020110040229

    申请日:2011-04-28

    Abstract: 본발명은정전기분사법을이용한그래핀박막및 이의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는그라파이트옥사이드(Graphite oxide)를전구용액으로하고, 정전기적인력을이용하여전구용액을승온된기판상에분사하여전극을이룸과동시에온도에의한그라파이트옥사이드(Graphite oxide)의작용기(Functionality) 탈착(decomposition) 현상을이용하여그래핀박막을제조하는방법, 및상기제조방법으로제조되며, 기존커패시터용그래핀전극보다전기화학적특성이향상된그래핀박막에관한것이다.

    매크로 크기 동공과 메조 크기 동공의 혼합 동공구조를 가지는 3차원 다공성 탄소나노튜브 박막의 제조
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101000476B1

    公开(公告)日:2010-12-14

    申请号:KR1020080050278

    申请日:2008-05-29

    Abstract: 본 발명은 매크로 크기 동공과 메조 크기 동공의 혼합 동공구조를 가지는 3차원 다공성 탄소나노튜브 박막 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따르면 매크로 크기 동공과 메조 크기 동공의 혼합 동공구조를 가지는 3차원 다공성 탄소나노튜브 박막을 손쉽게 형성할 수 있다. 상기 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브 박막은 매크로포러스 구조를 갖고 있어 비표면적이 크며, 그 구조가 안정적이다. 특히 박막의 내부 형태는 메조동공에 의한 다공성을 가지는 구조로서 에너지저장소재(2차전지, 연료전지, 슈퍼캐패시터), 여과막, 화학검출기, 가스 센서 등에서의 활용성이 매우 크다.
    탄소나노튜브, 탄소나노튜브 박막, 매크로포러스 구조, 매크로 동공, 나노 동공의 혼합 동공구조, 3차원 다공성 구조, 계면활성제, EASP 장치

    그래핀 기반 나노복합소재의 합성 방법 및 상기 방법을 이용하여 합성된 그래핀 기반 나노복합소재
    14.
    发明公开
    그래핀 기반 나노복합소재의 합성 방법 및 상기 방법을 이용하여 합성된 그래핀 기반 나노복합소재 无效
    使用该方法合成基于石墨烯的纳米复合材料和基于石墨烯的纳米复合材料的方法

    公开(公告)号:KR1020150027870A

    公开(公告)日:2015-03-13

    申请号:KR1020130102981

    申请日:2013-08-29

    Abstract: 그래핀 기반 나노복합소재의 합성 방법 및 상기 방법을 이용하여 합성된 그래핀 기반 나노복합소재가 제공된다. 본 발명에 따른 금속 산화물을 포함하는 그래핀 기반 나노복합소재의 제조방법으로서, 상기 방법은: 그래핀 산화물이 분산된 용액을 제공하는 단계; 상기 그래핀 산화물이 분산된 용액에 금속 산화물 형성용 원료 물질을 첨가하는 단계; 및 상기 그래핀 산화물과 상기 금속 산화물 형성용 원료 물질의 산화 환원반응을 이용하여 환원된 그래핀 표면의 적어도 일면에 상기 금속 산화물이 형성된 나노복합소재를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속 산화물의 환원 전위는 1.0V 이하인 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 提供了一种用于合成基于石墨烯的纳米复合材料的方法和使用该方法合成的基于石墨烯的纳米复合材料。 根据本发明的包含金属氧化物的石墨烯纳米复合材料的制造方法包括以下步骤:提供分散有氧化石墨烯的溶液; 在分散有石墨烯氧化物的溶液中加入用于形成金属氧化物的原料; 以及形成纳米复合材料,其具有通过使用氧化还原反应还原的石墨烯的至少一个表面上形成的金属氧化物和用于形成金属氧化物的原料。 金属氧化物的还原电位的特征在于1.0V以下。

    전이금속 산화물/그래핀 복합체 및 이의 제조방법
    16.
    发明公开
    전이금속 산화물/그래핀 복합체 및 이의 제조방법 无效
    过渡金属氧化物/石墨复合材料及其合成方法

    公开(公告)号:KR1020120103947A

    公开(公告)日:2012-09-20

    申请号:KR1020110021940

    申请日:2011-03-11

    Abstract: PURPOSE: A transition metal oxide/graphene composite and a method for preparing the same are provided to mix aqueous graphene dispersion and a transition metal precursor aqueous solution and thermally treat the mixture to reduce a transition metal precursor. CONSTITUTION: A transition metal oxide/graphene composite includes the following: aqueous graphene dispersion and a transition metal precursor aqueous solution are mixed; and the mixture is thermally treated to reduce a transition metal precursor. The aqueous graphene dispersion is obtained by treating graphene with ultrasound waves and dispersing the treated graphene in distilled water. The transition metal precursor is the salt of one selected from a group including manganese, iron, and titanium.

    Abstract translation: 目的:提供过渡金属氧化物/石墨烯复合材料及其制备方法以混合水性石墨烯分散体和过渡金属前体水溶液,并热处理该混合物以还原过渡金属前体。 构成:过渡金属氧化物/石墨烯复合材料包括:水性石墨烯分散体和过渡金属前体水溶液混合; 并且将该混合物进行热处理以还原过渡金属前体。 通过用超声波处理石墨烯并将经处理的石墨烯分散在蒸馏水中获得石墨烯水分散体。 过渡金属前体是选自包括锰,铁和钛的组中的一种的盐。

    정전기 분사법을 이용한 그래핀 박막 및 이의 제조방법
    17.
    发明公开
    정전기 분사법을 이용한 그래핀 박막 및 이의 제조방법 有权
    通过静电喷雾沉积法制成的薄膜薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110121569A

    公开(公告)日:2011-11-07

    申请号:KR1020110040229

    申请日:2011-04-28

    CPC classification number: C01B32/184 B01J19/10 B05D5/12 C23C16/26 H01B1/04

    Abstract: PURPOSE: A graphene thin film using an electrostatic spraying method and a method for manufacturing the same are provided to improve the electrochemical characteristic of the graphene thin film by spraying graphite oxide as a precursor solution to a temperature-raised substrate based on electrostatic attraction. CONSTITUTION: Graphite oxide powder is dispersed in a solvent to obtain a precursor solution based on ultrasound treatment. Electrostatic attraction is generated between the precursor solution and a substrate due to electric potential difference. The precursor solution is sprayed on the substrate to form a graphene thin film. The substrate is maintained at a temperature between 200 and 350 degrees Celsius. The graphene thin film satisfies a general formula, 1X >= 140 F/g. The X represents the charging and discharging capacity of an electrode at 0.5 A/g of a charging and discharging rate.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用静电喷涂方法的石墨烯薄膜及其制造方法,以通过基于静电吸引将氧化石墨作为前驱体溶液喷射到升温基板来改善石墨烯薄膜的电化学特性。 构成:将石墨氧化物粉末分散在溶剂中以获得基于超声处理的前体溶液。 由于电位差,在前体溶液和基板之间产生静电吸引。 将前体溶液喷涂在基材上以形成石墨烯薄膜。 基板保持在200和350摄氏度之间的温度。 石墨烯薄膜满足通式1X> = 140F / g。 X表示电极的充放电能力,充放电率为0.5A / g。

    그래핀 나노 시트의 형성 방법
    18.
    发明公开
    그래핀 나노 시트의 형성 방법 有权
    使用该方法形成石墨纳米薄片和蓝宝石纳米薄片的方法

    公开(公告)号:KR1020110119270A

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:KR1020100038881

    申请日:2010-04-27

    CPC classification number: C01B32/184 B01J19/126 B82B1/00 B82B3/00

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphene nano-sheet and the graphene nano-sheet formed using the same are provided to mass-produce graphene by reducing a time required for synthesizing the graphene. CONSTITUTION: A method for forming a graphene nano-sheet includes the following: Graphite oxide is formed based on a graphite material. A carbon material additive is mixed with the graphite oxide. Microwave is applied to the graphite oxide mixed with the carbon material additive under a hydrogen atmosphere. The graphite oxide is formed based on a hummers process. The graphite process is powder, and the diameter of the powder is between 1 and 10um.

    Abstract translation: 目的:提供用于形成石墨烯纳米片的方法和使用其形成的石墨烯纳米片,以通过减少合成石墨烯所需的时间来大量生产石墨烯。 构成:形成石墨烯纳米片的方法包括以下:基于石墨材料形成石墨氧化物。 将碳材料添加剂与石墨氧化物混合。 在氢气氛下将微波施加到与碳材料添加剂混合的石墨氧化物上。 基于悍马工艺形成氧化石墨。 石墨法为粉末,粉末直径在1〜10um之间。

    무전해 도금에 의한 전이금속/탄소나노튜브 나노복합체의제조방법
    19.
    发明授权
    무전해 도금에 의한 전이금속/탄소나노튜브 나노복합체의제조방법 失效
    通过无电沉积制备过渡金属/碳纳米管纳米复合材料的方法

    公开(公告)号:KR101000475B1

    公开(公告)日:2010-12-14

    申请号:KR1020080050306

    申请日:2008-05-29

    Abstract: 본 발명은 무전해 도금을 통해 탄소나노튜브 상에 전이금속 박막을 형성함으로써 전이금속/탄소나노튜브 나노복합체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조 방법에서는, 수소화붕소염이 코팅된 탄소나노튜브인 수소화붕소염/탄소나노튜브 복합체를 환원제 및 전이금속박막층 형성을 위한 기판(substrate)로 사용함으로써 전이금속이온의 탄소나노튜브 표면상 환원 반응에 의한 전이금속박막 또는 전이금속입자를 탄소나노튜브 상에 용이하게 형성시킬 수 있다. 환원제로 작용하는 수소화붕소염이 탄소나노튜브상에 균일하게 분포되고 높은 환원력을 갖기 때문에 표준수소전극 대비 환원전위가 탄소나노튜브 보다 낮은 다양한 전이금속이온들을 자발적으로 탄소나노튜브 표면상 균일하게 나노복합화 할 수 있는 이점이 있다. 또한, 본 발명의 방법에서는 기존의 무전해도금시 요구되었던 활성화 전구체 금속이 필요하지 않고 공정이 간단한 이점이 있다. 또한, 본 발명의 방법에서는 무전해 도금을 통한 전이금속이온의 환원반응을 시키는 수소화붕소염의 함량을 조절함으로써 나노복합체 상의 전이금속 박막 또는 전이금속 입자의 크기를 용이하게 제어할 수 있다는 이점이 있다.
    무전해도금, 탄소나노튜브, 전이금속, 수소화붕소염, 전이금속/탄소나노튜브 복합소재

    금속 산화물의 탄소 코팅 방법
    20.
    发明授权
    금속 산화물의 탄소 코팅 방법 失效
    在金属氧化物上涂覆碳的方法

    公开(公告)号:KR100941148B1

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:KR1020080050321

    申请日:2008-05-29

    Abstract: 본 발명은 고용량, 고출력 전기화학 커패시터 및 리튬전지용 전극소재 제조를 위하여 금속 산화물의 표면에 탄소 코팅층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 금속 산화물의 표면에 아민 작용기를 유도함으로써 당 용액 내에서 마이크로웨이브 가열을 통한 수열 합성 조건에서 음의 표면 전하를 가지는 탄소 전구체가 아민 작용기와 반응할 수 있게 한다. 따라서 본 발명의 방법을 이용하면 영전하점이 낮은 pH 영역에 존재하는 산화가가 큰 금속 이온종을 갖는 금속 산화물 또한 쉽게 탄소 코팅을 형성할 수 있게 된다. 또한 당 용액의 농도, 마이크로웨이브 가열 온도, 가열 시간 등의 변수를 조절하면 탄소 코팅층의 두께를 제어할 수 있다.
    전기화학 커패시터 전극소재, 리튬전지 전극소재, 탄소 코팅, 금속산화물/탄소 나노복합소재

Patent Agency Ranking