公开(公告)号：KR101625043B1

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：KR1020140135936

申请日：2014-10-08

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 이준형 ,  허영우 ,  김정주 ,  권승운

IPC: G06F3/041

Abstract: 본발명은도전성페이스트를이용하여기판상에메쉬(mesh) 패턴을형성하는단계, 상기기판상에형성된상기메쉬패턴을열처리하는단계및 열처리된메쉬패턴을가압하는단계를포함하는터치스크린패널용전극형성방법, 터치스크린패널의제조방법, 터치스크린패널, 디스플레이패널및 디스플레이장치에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150097045A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020140018116

申请日：2014-02-17

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 허영우 ,  서호준 ,  김인지 ,  정선휘

IPC: E03C1/262 ,  E03C1/23 ,  A47K1/14

CPC classification number: E03C1/262 ,  A47K1/14 ,  E03C1/2306 ,  E03C1/264

Abstract: 본 발명은 세면대 폽업에 관한 것으로, 상기 세면대의 배수구멍을 채우는 폽업 뚜껑과, 상기 폽업 뚜껑 및 배수트랩과 연결되는 샤프트로 구성되고, 상기 폽업 뚜껑을 잡고 위로 올리면 상기 샤프트의 높이가 커지고, 상기 세면대의 이물질 제거후 상기 폽업 뚜껑을 다시 눌러주면, 상기 샤프트의 원래 높이대로 이동하여 상기 샤프트의 높이 조절이 가능한 세면대 폽업을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种高度可调的水槽弹出单元，包括：弹出盖，用于填充水槽的排水孔; 以及连接到弹出盖和排水阱的轴。 当弹起盖被抓住并抬起时，轴的高度增加。 当在水槽中除去异物后，当弹出盖帽被推动时，轴移回到其原始位置。

公开(公告)号：KR102093431B1

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：KR1020180109878

申请日：2018-09-13

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 정희수 ,  김상협 ,  한정우 ,  백승태 ,  이준형 ,  이상욱 ,  허영우

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L31/0256

公开(公告)号：KR1020160041618A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020140135937

申请日：2014-10-08

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 이준형 ,  허영우 ,  김정주 ,  김태형

IPC: H01B1/02 ,  G06F3/041

CPC classification number: H01B1/14 ,  G06F3/041 ,  H01B1/02

Abstract: 본발명은분말형태의은(Ag) 및분말형태의금속합금을포함하고, 상기금속합금은저온융점금속합금인것을특징으로하는도전성페이스트조성물, 터치스크린패널의제조방법, 도전성페이스트, 터치스크린패널, 디스플레이패널및 디스플레이장치에관한것으로서, 본발명에따르면, 도전성페이스트에포함된금속합금이은(Ag) 입자의연결성(connectivity)을향상시켜전도성페이스트에의해형성되는전극의전기적특성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及：包含粉末型银（Ag）和粉末型金属合金的导电浆料组合物，其中金属合金具有低熔点; 一种制造触摸屏面板的方法; 导电膏; 触摸屏面板; 显示面板; 和显示装置。 根据本发明，包含在导电浆料中的金属合金改善了银（Ag）颗粒的连通性，因此提高了由导电浆料形成的电极的电性能。

公开(公告)号：KR1020160041617A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020140135936

申请日：2014-10-08

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 이준형 ,  허영우 ,  김정주 ,  권승운

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F2203/04103

Abstract: 본발명은도전성페이스트를이용하여기판상에메쉬(mesh) 패턴을형성하는단계, 상기기판상에형성된상기메쉬패턴을열처리하는단계및 열처리된메쉬패턴을가압하는단계를포함하는터치스크린패널용전극형성방법, 터치스크린패널의제조방법, 터치스크린패널, 디스플레이패널및 디스플레이장치에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及触摸屏面板电极的形成方法，触摸屏面板的制造方法，触摸屏面板，显示面板和显示装置。 用于形成触摸屏面板电极的方法包括以下步骤：通过使用导电浆料在衬底上形成网格图案; 通过加热处理形成在基板上的网格图案; 并对经过热处理的网格图案加压。 本发明的目的是提供一种形成触摸屏面板电极的方法，其可以增强电极的电性能。

公开(公告)号：KR1020150097864A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020140018114

申请日：2014-02-17

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 허영우 ,  한용택 ,  임용훈 ,  권동윤 ,  조강우 ,  양지은

IPC: A47K10/38 ,  B65B57/00

CPC classification number: A47K10/38 ,  A47K2010/389 ,  F21V23/04 ,  F21V33/004 ,  F21Y2115/10

Abstract: 본 발명은 화장지 디스펜서에 설치되어 화장지의 부족시 조명등을 통해 그 부족을 알려주는 화장지 잔량 표시기에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 롤 형태의 화장지가 탑재되는 디스펜서에서, 화장지 부족 여부를 표시하는 LED; 상기 화장지 롤과 접촉하는 잔량 표시바; 상기 LED에 전원을 공급하는 전원부; 상기 디스펜서의 일측에 형성되어 상기 LED, 잔량 표시바 및 상기 전원부와 연결되는 스위치;를 포함하고, 상기 잔량 표시바가 상기 화장지 롤과 접촉하지 않아 수평 상태를 유지하면 상기 스위치는 온 상태가 되고 상기 LED도 온 상태가 되어 화장지 부족을 표시하고, 상기 잔량 표시바가 상기 화장지 롤과 접촉하여 기울어져 소정 각도를 유지하면 상기 스위치는 오프 상태가 되어 상기 LED도 오프 상태가 되어 화장지가 충분함을 표시하는 화장지 잔량 표시기를 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于显示残余量的卫生纸的装置，其能够通过安装在卫生纸分配器中通过照明装置通知卫生纸不足。 为了实现这一目的，该装置包括：在安装有卫生纸的分配器上显示卫生纸是否足够的LED; 剩余量显示栏与一卷卫生纸接触; 向LED供电的电源部; 以及通过形成在分配器的一侧上而连接到LED，剩余量显示栏和电源部分的开关。 当剩余量显示条通过不与辊接触而保持水平状态时，开关和LED被打开以显示卫生纸的不足。 当剩余量显示条通过与纸卷接触而保持预定角度时，开关和LED被关闭以便显示足够量的纸张。

公开(公告)号：KR1020120132219A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020110050913

申请日：2011-05-27

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 허영우 ,  김정주 ,  이준형 ,  성상윤 ,  조광민

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/242 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A method for forming a CuO thin film, a method for manufacturing an oxide thin film transistor, the oxide thin film transistor manufactured by the same, and the oxide thin film transistor with a CuO thin film are provided to improve electric field effect mobility and an on-off ratio by forming a CuO thin film at a low temperature. CONSTITUTION: A Cu2O thin film is formed by sputtering under Ar gas and O2 gas atmospheres(S1000). A Cu2O thin film is changed into a CuO thin film by a thermal process(S2000). A ratio of Ar gas to O2 gas is 4 : 1. A heating temperature of a thermal process is 100 to 500 degrees centigrade. The thermal process is performed under an air atmosphere. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1000) Forming a Cu2O thin film by sputtering under an atmosphere with a gas ratio of Ar gas : O2 gas that is 4:1; (S2000) Converting Cu2O into CuO through a thermal process

Abstract translation: 目的：提供一种形成CuO薄膜的方法，制造氧化物薄膜晶体管的方法，由该氧化物薄膜晶体管制造的氧化物薄膜晶体管和具有CuO薄膜的氧化物薄膜晶体管，以提高电场效应迁移率 和通过在低温下形成CuO薄膜的开关比。 构成：在Ar气体和O 2气体环境下通过溅射形成Cu 2 O薄膜（S1000）。 通过热处理将Cu 2 O薄膜变成CuO薄膜（S2000）。 Ar气体与O 2气体的比例为4:1。热处理的加热温度为100〜500摄氏度。 热处理在空气气氛下进行。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1000）在Ar气：O 2气体的气体比为4:1的气氛下通过溅射形成Cu 2 O薄膜; （S2000）通过热处理将Cu2O转化成CuO

公开(公告)号：KR1020080071466A

公开(公告)日：2008-08-04

申请号：KR1020070010540

申请日：2007-01-30

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 김정주 ,  이준형 ,  허영우 ,  이종철 ,  엄세영

IPC: C23C14/34 ,  C01G15/00 ,  C01G3/00 ,  C23C14/08

Abstract: A method for manufacturing Cu2O-In2O3 targets when depositing a P-type CuInO2 transparent conducting film using a pulsed laser deposition process and sputtering method is provided to simplify a manufacturing process by regulating oxygen ejection pressure and temperature of a substrate. In a Cu2O-In2O3 target for manufacturing a P-type CuInO2 transparent conducting film using a pulsed laser deposition process and sputtering method, a Cu2O(7a) and an In2O3(7b) are mixed in thereof. The ratio of the Cu2O and the In2O3 are 1:1 which are same as ratio of cation and anion of the CuInO2 thin film.

Abstract translation: 提供了使用脉冲激光沉积工艺和溅射方法沉积P型CuInO 2透明导电膜时制造Cu2O-In2O3靶的方法，以通过调节衬底的氧气喷射压力和温度来简化制造过程。 在使用脉冲激光沉积法和溅射法制造P型CuInO 2透明导电膜的Cu 2 O-In 2 O 3靶中，将Cu 2 O（7a）和In 2 O 3（7b）混合。 Cu2O和In2O3的比例为1：1，与CuInO2薄膜的阳离子和阴离子的比例相同。

公开(公告)号：KR100839337B1

公开(公告)日：2008-06-17

申请号：KR1020070015690

申请日：2007-02-13

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 김정주 ,  이준형 ,  허영우 ,  서경한

IPC: C23C14/34 ,  C01G15/00 ,  C01G9/00 ,  C01G30/00

Abstract: A composition of In2O3-ZnO-Sb2O5 target used for n-type transparent conductive film deposition through a sputtering process and a method for manufacturing the same are provided to obtain ceramic substance having thermally stable and superior conductivity by using indium oxide, zinc oxide and antimony oxide. A composition of In2O3-ZnO-Sb2O5 target used for n-type transparent conductive film deposition through a sputtering process contains indium oxide, zinc oxide and antimony oxide in which the atomic ratio of InO1.5/(InO1.5+ZnO+SbO2.5)=0.73 to 0.97, the atomic ratio of ZnO/(InO1.5+ZnO+SbO2.5)=0.02 to 0.18, and the atomic ratio of SbO2.5/(InO1.5+ZnO+SbO2.5)=0.01 to 0.09. Zinc cation and Antimony cation are added to Indium cation in the ratio of 2 to 1.

Abstract translation: 提供通过溅射法用于n型透明导电膜沉积的In 2 O 3 -ZnO 2-Sb 2 O 5靶的组成及其制造方法，以通过使用氧化铟，氧化锌和锑获得具有热稳定性和优异导电性的陶瓷物质 氧化物。 用于通过溅射工艺进行n型透明导电膜沉积的In2O3-ZnO-Sb2O5靶的组成包含氧化铟，氧化锌和氧化锑，其中InO1.5 /（InO1.5 + ZnO + SbO2）的原子比。 5）= 0.73〜0.97，ZnO /（InO1.5 + ZnO + SbO2.5）= 0.02〜0.18的原子比，SbO2.5 /（InO1.5 + ZnO + SbO2.5）= 0.01〜0.09。 将锌阳离子和锑阳离子以2比1的比例加入到铟阳离子中。