제올라이트 촉매의 제조 방법 및 이를 이용한 ε-카프로락탐의제조 방법
    11.
    发明授权
    제올라이트 촉매의 제조 방법 및 이를 이용한 ε-카프로락탐의제조 방법 失效
    - 制备沸石催化剂的方法和使用催化剂制备ε-己内酰胺的方法

    公开(公告)号:KR100327157B1

    公开(公告)日:2002-03-13

    申请号:KR1019990025559

    申请日:1999-06-30

    Abstract: 본발명은제올라이트촉매의제조방법및 이촉매를이용하여베크만전환반응에의해시클로헥사논옥심으로부터ε-카프로락탐을제조하는방법에관한것으로, 제올라이트촉매의제조방법은, MFI, MEL형의제올라이트촉매의제조에있어서, Si/Al의몰비가 500 이상되도록제조된촉매를산으로더 처리해주는단계를포함하는것을특징으로하고, ε-카프로락탐의제조방법은, Si/Al의몰비가 500 이상이고산으로더 처리된제올라이트촉매를사용하여기상의베크만전환반응에의해시클로헥사논옥심으로부터ε-카프로락탐을제조하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 제올라이트촉매가시클로헥사논옥심의베크만전환반응에서시클로헥사논옥심의전환율과ε-카프로락탐의선택도를더욱높여줄 뿐만 아니라촉매의수명이연장되게되며, 이러한촉매를이용하여시클로헥사논옥심으로부터ε-카프로락탐을경제적이고효율적으로제조할수 있게된다.

    기스몬다인구조를 갖는 갈로실리케이트 분자체 및 그 제조방법
    12.
    发明公开
    기스몬다인구조를 갖는 갈로실리케이트 분자체 및 그 제조방법 失效
    具有GISMONDINE结构的GALLOSILICATE分子筛及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020010011156A

    公开(公告)日:2001-02-15

    申请号:KR1019990030397

    申请日:1999-07-26

    CPC classification number: C01B39/082

    Abstract: PURPOSE: A preparation method of gallosilicate molecular sieve with a gismondine structure in K2O-Ga2O3-SiO2-H2O system is provided to control the molar ratio of structure components freely by substituting Ga and K for Al and Na of zeolite, respectively. The gallosilicate molecular sieve is applicable to catalysts, adsorbents and ion exchangers. CONSTITUTION: The gallosilicate molecular sieve is prepared by the following steps: mixing H2O, KOH, and a source of Ga such as gallium oxide or Ga2O3xH2O for 2-4hrs.; heating it for 12-24hrs. and cooling to room temperature; adding a source of Si such as colloid silica, sodium silicate and fumed silica, and stirring for 4-24hrs., resulting in a gel represented as vK2O : 1.0Ga2O3 : wSiO2 : zH2O (v=6.0-8.0, w=5.0-15.0, z=50-250); heating at 80-130deg.C for 1-10days; washing with H2O and drying.

    Abstract translation: 目的:提供K2O-Ga2O3-SiO2-H2O体系中具有结晶组分的硅酸盐分子筛的制备方法,通过分别用Ga和K代替沸石的Al和Na来自由控制结构组分的摩尔比。 硅酸盐分子筛适用于催化剂,吸附剂和离子交换剂。 构成:通过以下步骤制备聚硅酸盐分子筛:将H 2 O,KOH和诸如氧化镓或Ga 2 O 3 xH 2 O的Ga源混合2-4小时。 加热12-24小时。 并冷却至室温; 加入Si胶体硅胶,硅酸钠和煅制二氧化硅等硅源,搅拌4〜24h,得到表示为vK2O的凝胶:1.0Ga 2 O 3 :WSiO 2 :zH 2 O(v = 6.0-8.0,w = 5.0〜15.0 ,z = 50-250); 加热80-130℃,持续1-10天; 用H2O洗涤并干燥。

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