고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법
    12.
    发明授权
    고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법 失效
    高频电介质组合物

    公开(公告)号:KR1019970005884B1

    公开(公告)日:1997-04-21

    申请号:KR1019940024328

    申请日:1994-09-27

    Inventor: 박융 김윤호

    Abstract: Title composition, where the quantity of added elements can be controlled accurately and the dielectric constant of it exhibits over 40, consists of Zn1-xSnxTiO4 and yTiO2, where x is 0.1-0.4 mol% and y is 0-0.1 mol%, wherein NiCl2, ZnCl2 and Mn(NO3)2= H2O are added to the fundamental composition as the ratio of NiO is less than 1wt.%, ZnO is less than 1wt.%, Ta2O5 is less than 5wt.%, and MnO is less than 1wt.% according to the weight ratio of its oxide, respectively.

    Abstract translation: 标题组合物,其中可以精确控制添加元素的量并且其介电常数超过40,由Zn1-xSnxTiO4和yTiO2组成,其中x为0.1-0.4摩尔%,y为0-0.1摩尔%,其中NiCl 2 ,ZnCl 2和Mn(NO 3)2 = H 2 O加入到基础组成中,NiO的比例小于1wt。%,ZnO小于1wt。%,Ta2O5小于5wt。%,MnO小于1wt 根据其氧化物的重量比分别为%。

    고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR1019960010586A

    公开(公告)日:1996-04-20

    申请号:KR1019940024328

    申请日:1994-09-27

    Inventor: 박융 김윤호

    Abstract: 본 발명은 고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 자기조성물은 유전율(k)이 40미만의 값을 가지며, 첨가물을 산화물 형태로 첨가하기 때문에, 미량 첨가시 정확한 공정제어에 어려움이 많은 문제점이 있었다.
    이에 본 발명에 의한 고주파 유전체 자기 조성물은 Zn
    1-X Sn
    x Tio
    4 +YTiO
    2 의 유전체 자기조성물을 주성분으로 하며, 이때 상기 X, Y는 몰(mol)비로서 0.1<X<0.4, 0<Y<0.1를 가지도록 하는 것이며, 첨가원소는 물에 녹는 염화니켈(NiCl
    2 ) 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO
    3 )
    2- 4H
    2 O)형태로 첨가하였다.
    또한 이와같은 고주파 유전체 자기조성물을 산화지르코늄(ZrO
    2 ), 산화 주석(SnO
    2 ), 산화티탄(TiO
    2 )으로 구성된 주조성물에 첨가원소로 수용성의 염화니켈(NiCl
    2 ), 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO
    3 )
    2- 4H
    2 O)을 첨가하여 혼합후, 1000℃ 내지 1200℃에서 하소 하고, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1400℃의 온도의 산소 분위기에서 소성하는 순서로 진행되는 제조방법에 의해 제조함을 특징으로 하고 있다.

    고주파용 유전체 자기 조성물
    14.
    发明授权
    고주파용 유전체 자기 조성물 失效
    使用高频的电磁性组合物

    公开(公告)号:KR1019960004395B1

    公开(公告)日:1996-04-02

    申请号:KR1019930017504

    申请日:1993-09-02

    CPC classification number: H01B3/12 C04B35/49

    Abstract: A microwave dielectric magnetic composition comprises Zr1-xSnxTi1-yO4 as a main component with sintering-aiding agent of aZnO + bSb2O3, where 0.1

    Abstract translation: 微波介电磁性组合物包含Zr1-xSnxTi1-yO4作为主要成分,其中α0+ bSb2O3的烧结助剂为0.1

    고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법
    17.
    发明授权
    고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법 失效
    高频电介质陶瓷组合物及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019960012726B1

    公开(公告)日:1996-09-24

    申请号:KR1019940000349

    申请日:1994-01-11

    CPC classification number: C04B35/49 H01B3/12

    Abstract: The dielectric ceramic composition for high frequency and the process for preparation, capable of being advantageously used for a global positioning system or materials of dielectric resonator and the like in high frequency regions, which consists of a main component of Zr1-xSnxTiO4, wherein the molar ratio X is in a range of 0.1= X= 0.4.

    Abstract translation: 用于高频的电介质陶瓷组合物和制备方法,其能够有利地用于由Zr1-xSnxTiO4的主要组分组成的高频区域的全球定位系统或介质谐振器等的材料,其中摩尔 比X在0.1 = X = 0.4的范围内。

    고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR1019950023632A

    公开(公告)日:1995-08-18

    申请号:KR1019940000349

    申请日:1994-01-11

    Abstract: 본 발명은 위치변위시스템 및 유전체 공진기 재료로 사용되는 고주파 유전체 자기조성물에 관한 것이다. 본 발명의 유전체 자기조성물은 Zr
    1 -
    x Sn
    x TiO
    4 계 조성으로서, 이때 x는 몰비로 0.1 ≤ x ≤ 0.4이며, 이는 산화지르코늄(ZrO
    2 ), 산화티탄(TiO
    2 ), 산화주석(SnO
    2 )의 원료분말을 혼합하여 1000~1200℃에서 하소하여 분쇄한 후 소정형상으로 성형하여 1500~1800℃의 온도에서 소성한 다음 냉각공정중 1250~1400℃에서 어닐링하고, 어닐링 후 상온에 이르기까지 급냉하는 제조방법에 의해 제조된다. 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 향상된 품질계수(Q)와 유전율(k)을 나타낸다.

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