公开(公告)号：KR1020100052814A

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：KR1020080111676

申请日：2008-11-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 송명호

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: PURPOSE: A method for forming the self aligned contacts of vertical transistors and the vertical transistors including contact-holes are provided to improve the contact property of the vertical transistors by removing a pattern-shift phenomenon due to a misalignment. CONSTITUTION: A source layer(110), a channel layer(120), a drain layer(130), an oxide layer and a silicon layer are successively stacked on the upper side of a substrate(100). A part of the source layer is etched to be exposed. A pillar(160) is formed on the exposed part of the source layer. A thermal oxide layer(170) is stacked on the pillar and the source layer. A gate electrode(180) is formed on the lateral side of the pillar. A pre-metal dielectric layer(190) is formed on the thermal oxide layer and the gate electrode. A contact hole is formed by removing the silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供用于形成垂直晶体管的自对准触点和包括接触孔的垂直晶体管的方法，以通过消除由于失准引起的图案偏移现象来改善垂直晶体管的接触特性。 构成：源极层（110），沟道层（120），漏极层（130），氧化物层和硅层依次层叠在基板（100）的上侧。 源层的一部分被蚀刻以暴露。 在源层的露出部分上形成有支柱（160）。 热氧化层（170）堆叠在支柱和源层上。 栅极电极（180）形成在支柱的侧面上。 在热氧化层和栅电极上形成预金属介电层（190）。 通过去除硅层形成接触孔。