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    리튬을 이용한 금속 산화물이 재배열된 나노 결정의 에너지 저장 장치 및 이를 이용한 슈퍼커패시터
    11.
    发明公开
    리튬을 이용한 금속 산화물이 재배열된 나노 결정의 에너지 저장 장치 및 이를 이용한 슈퍼커패시터 审中-实审
    用于能源储存和超级储存的金属氧化物纳米晶体的诱导性还原

    公开(公告)号：KR1020160073013A

    公开(公告)日：2016-06-24

    申请号：KR1020140181261

    申请日：2014-12-16

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 강정구 ,  정형모 ,  최경민 ,  이동기 ,  박정효 ,  옥일우

    IPC: H01G11/36

    CPC classification number: H01M4/0402 ,  H01G11/06 ,  H01G11/28 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/50 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13

    Abstract: 본발명은리튬을이용한금속산화물이재배열된나노결정및 에너지저장장치및 이를이용한슈퍼커패시터(Supercapacitor)에관한것이다. 보다상세하게는전이금속나노입자를비표면적이넓은탄소계열의지지체에분산한다음, 환원력이강한리튬이온을이용하여지지체위에서분산및 재배열시킴으로서, 재배열된금속입자는 1나노크기미만의원자단위의입자로지지체위에분산및 재배치되는것을특징으로하는에너지저장장치이다. 또한이를이용한슈퍼커패시터에관한것이다. 본발명의재배열된금속입자의에너지저장장치는금속산화물재배열전 보다수 배높은정전용량을나타내었다. 또한재배열된금속입자는 1나노미만의원자단위크기의입자이기때문에입자간간섭이사라져서 100,000 사이클이상에서도성능이 100% 유지되는넘는수명특성을나타낸다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用锂重新布置金属氧化物的纳米晶体，能量存储装置和使用其的超级电容器。 特别地，本发明涉及一种能量储存装置，其中重新排列的金属颗粒在具有1纳米尺寸的原子单元的颗粒的载体上扩散和重新排列，通过将过渡金属纳米颗粒扩散到具有 宽比表面积，然后通过使用具有强还原力的锂离子扩散并重新排列载体上的过渡金属纳米颗粒。 此外，本发明涉及使用该超级电容器的超级电容器。 本发明的重排金属颗粒的储能装置显示了在金属氧化物重排之前几倍的电容。 此外，除去颗粒之间的干扰，因为重排的金属颗粒是原子单位尺寸小于1纳米的颗粒。 因此，能量存储装置示出了其中100％的性能保持在100,000次以上的服务提升特性。

    실리콘-기공성 탄소 복합 나노입자를 포함하는 리튬이차전지 음극 활물질 제조방법, 이에 의하여 제조된 리튬이차전지 음극 활물질 및 이를 포함하는 리튬이차전지
    12.
    发明公开
    실리콘-기공성 탄소 복합 나노입자를 포함하는 리튬이차전지 음극 활물질 제조방법, 이에 의하여 제조된 리튬이차전지 음극 활물질 및 이를 포함하는 리튬이차전지 审中-实审
    包含碳硅复合纳米颗粒的锂二次电池的阳极活性材料的制造方法，由其制造的锂二次电池的阳极活性材料，以及包含其的锂二次电池

    公开(公告)号：KR1020130071070A

    公开(公告)日：2013-06-28

    申请号：KR1020110138384

    申请日：2011-12-20

    Applicant: 한국과학기술원 ,  주식회사 케이씨씨

    Inventor： 최장욱 ,  강정구 ,  정형모 ,  공병선

    IPC: H01M4/139 ,  H01M10/052 ,  H01M4/38 ,  H01M4/583

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a negative electrode active material is provided to economically manufacture a composite active material for a negative electrode, having improved cycle performance. CONSTITUTION: A manufacturing method of a negative electrode active material comprises a step of mixing a carbon-containing resin particle and silicon nanoparticle; a step of forming a resin matrix containing the silicon nanoparticle by compressing the resin particle; and a step of heat-treating the resin matrix, and forming the porous carbon matrix containing silicon nanoparticle. The resin matrix has a spherical particle shape, and the carbon matrix also has a spherical particle shape. The carbon-containing resin particle additionally includes nitrogen atoms. On the spherical carbon particle, the nitrogen is doped. [Reference numerals] (AA) Mix resin particles containing carbon and silicon nanoparticles; (BB) Condense resin particles; (CC) Heat-process/carbonize resin matrix

    Abstract translation: 目的：提供一种负极活性物质的制造方法，以经济地制造负极复合活性物质，具有改善的循环性能。 构成：负极活性物质的制造方法包括将含碳树脂粒子和硅纳米粒子混合的工序; 通过压缩树脂颗粒形成含有硅纳米颗粒的树脂基体的步骤; 以及对树脂基体进行热处理的步骤，以及形成含有硅纳米颗粒的多孔碳基质。 树脂基体具有球形颗粒形状，并且碳基体也具有球形颗粒形状。 含碳树脂颗粒另外包括氮原子。 在球形碳颗粒上掺杂氮。 （AA）混合含有碳和硅纳米颗粒的树脂颗粒; （BB）冷凝树脂颗粒; （CC）热处理/碳化树脂基体

    질소 도핑된 그라핀, 이를 포함하는 울트라캐패시터 및 이의 제조방법
    13.
    发明公开
    질소 도핑된 그라핀, 이를 포함하는 울트라캐패시터 및 이의 제조방법 审中-实审
    氮化石墨，使用其的超声波灭菌器及其同样的方法

    公开(公告)号：KR1020130022565A

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：KR1020110085202

    申请日：2011-08-25

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 최장욱 ,  강정구 ,  정형모

    IPC: C01B31/02 ,  H01G9/058

    CPC classification number: Y02E60/13 ,  C01B32/194 ,  B01J19/12 ,  H01G11/22

    Abstract: PURPOSE: Nitrogen-doped graphene, an ultra capacitor which includes the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve the energy storage capacity and the life span of cycle by substituting at least one carbon atom with nitrogen, and arranging the nitrogen doping similar to pyridine, pyrrole, or graphite. CONSTITUTION: Nitrogen-doped graphene includes at least one carbon atom substituted with nitrogen. The nitrogen doping is arranged in a pyridine-like sequence, a pyrrole-like sequence, or a graphite-like sequence. The amount of the nitrogen doping is 1.5-3.0%. A manufacturing method of the nitrogen-doped graphene includes the following steps. Graphene is treated with nitrogen plasma. The graphene is annealed at a temperature of 250-400 deg. C. [Reference numerals] (AA) Graphene oxide; (BB) Nitrogen plasma; (CC) Nitrogen doped graphene

    Abstract translation: 目的：提供氮掺杂石墨烯，包括其的超级电容器及其制造方法，以通过用氮取代至少一个碳原子来提高储能能力和循环寿命，并将氮掺杂类似 吡啶，吡咯或石墨。 构成：氮掺杂石墨烯包括至少一个被氮取代的碳原子。 氮掺杂排列成吡啶状序列，吡咯样序列或石墨状序列。 氮掺杂量为1.5-3.0％。 氮掺杂石墨烯的制造方法包括以下步骤。 石墨烯用氮等离子体处理。 石墨烯在250-400度的温度下退火。 （标号）（AA）石墨烯氧化物; （BB）氮等离子体; （CC）氮掺杂石墨烯

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