Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of magnesium silicide type thermoelectric materials is provided to improve performance of the thermoelectric materials by doping impurities on Mg2Si. CONSTITUTION: Mg and Si powders of an element state are prepared. The powders are mixed. The mixed powder is reacted in a solid state reaction. A mechanical alloying process is performed by mixing the reacted powder and dopant powder. The mechanically alloyed powder is heat-compressed.
Abstract:
PURPOSE: An Mg2Si thermoelectric material manufacturing method and a Mg2Si thermoelectric material manufactured by the same are provided to reduce the costs for manufacturing a Mg2Si thermoelectric material by employing a mechanical alloying process. CONSTITUTION: An Mg2Si thermoelectric material manufacturing method comprises steps of: preparing Mg and Si powder of element state, mixing the powder, mechanically alloying the mixed powder, and hot-forming the alloyed powder.
Abstract:
PURPOSE: In-Co-Fe-Sb based skutterudite thermoelectric material and a method for manufacturing the same are provided to improve the thermoelectric figure of merit in the medium temperature range of CoSb3 skutterudite. CONSTITUTION: Co, Sb, In, and Fe are encapsulated under vacuum. The mixture of the vacuum encapsulated materials is heated and molten in an encapsulated induction melting furnace by high frequency induction electricity. The material is heat-treated under vacuum for the activation of Fe and pore filling of In, thereby making skutterudite having the composition of InzCo4-xFexSb12.
Abstract:
PURPOSE: In-Co-Ni-Sb-based skutterudite thermoelectric material and a manufacturing method thereof are provided to manufacture InzCo4-xNixSb12 skutterudite thermoelectric material having excellent performance and to improve thermoelectric figures of merit in a medium temperature range of CoSb2 skutterudite. CONSTITUTION: In-Co-Ni-Sb-based skutterudite thermoelectric material has composition of InzCo4-xNixSb12 in which an air gap within a unit lattice is filled with In and in which Ni is doped. The z and x have the range of 0
Abstract:
A CoSb3 skutterudite thermoelectric material and method for manufacturing the same is provided to reduce resistivity by replacing Te with antimony producing overcharge through Te doping. A CoSb3 skutterudite thermoelectric material and method is comprised of the steps: inserting cobalt, antimony, indium, and tellurium into the quartz tube; performing air-tight in vacuum condition; heating and melting the inserted material with high frequency induction power; perform vacuum heating treatment to fill indium into the aperture and activate Te.
Abstract:
A skutterudite thermoelectric material and method for manufacturing the same is provided to realize excellent thermal conduction characteristic by making indium filled into an aperture of an inner lattice. A skutterudite thermoelectric material and method for manufacturing the same is comprised of the steps: Inserting cobalt, an antimony, and indium into the quartz tube and making it air-tight; Heating the inserted material by high frequency induction electricity and melting it; performing a vacuum heat treatment to make the raw material uniform and fill indium into the aperture.
Abstract:
IC 패키지의 하나인 기밀형 4측면 밀봉 타입에 응용하기 위한 히프싱크 기판을 회전식 플라즈마 용사법에 의한 제조방법이 개시된다. IC 패키지용 히트싱크 제조방법에 있어서, 모재로서 무산소동을 준비하는 단계; 상기 모재의 일면에 Ni 도금을 실시하는 단계; 상기 모재의 다른 쪽면에 절연성, 내식성 및 열전도성을 부여하기 위해 다음 (a) 내지 (d)의 공정을 실시하는 단계; (a)인위적인 표면 거칠기를 부여하기 위해 그리트 블라스팅을 실시하는 단계; (b)상기 모재 표면을 흑화처리하는 단계; (c)상기 흑화처리된 표면을 Ni 도금하는 단계; (d)상기 Ni 도금 위에 알루미나를 용사 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 용사는 회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(Ar) 유량 50-130 scfh, 보조가스(H 2 ) 유량 6∼100 scfh, 캐리어 가스(Ar) 유량 21-40 scfh, 분말공급율 3.5lb/hr, 아크(Ar) 가스압 6.2 kg/㎠, 보조가스(H 2 ) 압력 4.5 kg/㎠, 캐리어 가스(Ar) 압력 4.5 kg/㎠의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 IC 패키지용 히트싱크 제조방법.
Abstract:
A method for fabricating a thermoelectric skutterudite is provided to improve a thermoelectric characteristic by performing an AM(arc melting) process and an HP(hot pressing) process. Co and Sb of an element state are prepared as a raw material. An arc melting process is performed on the raw material to form a CoSb3 ingot. The arc-melted ingot is crushed. A hot pressing process is performed on the crushed CoSb3 in a vacuum state. A vacuum heat treatment is performed on the hot-pressed material.
Abstract:
본 발명의 기계부품 코팅방법은 니켈을 함유한 그라파이트계 용사 코팅용 분말소재를 마련하는 단계; 상기 분말소재를 상기 기계부품에 고온, 고속으로 용사하여 코팅하는 단계를 포함한다. 코팅의 물성을 향상시키기 위한 추가 공정 및 작업 조건이 제공된다. 이에 의하여, 상대적으로 저렴하고 그 기계적 성질이 우수한 신소재로서의 니켈 함유 그라파이트계 용사 코팅재로 기계부품을 용사 코팅하여 기계적 성질(내마모성 등)을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은, 용사 코팅의 접착력과 내마모성을 동시에 향상시키기 위하여, WC 함유 니켈 기지 자용성 합금 분말을 기재에 용사 코팅하고, 표면에 용사 코팅층을 갖는 상기 기재를 일정 속도로 회전시키면서 상기 코팅층 표면을 고정식 토치로 가열하여 휴징 처리를 수행함으로써, 고경도 WC 입자를 표면 부위에 집중 분산시키고 기재와의 계면으로 니켈 기지 자용성 합금으로 충진된 버퍼층을 형성하는 WC 함유 니켈 기지 합금의 내마모성 용사 코팅의 제조방법을 제공한다.