김서림 방지용 투명 전도성 코팅막의 형성방법
    11.
    发明公开
    김서림 방지용 투명 전도성 코팅막의 형성방법 有权
    用于防雾的透明导电涂料组合物和使用该组合物具有防雾性的透明导电涂膜的制造方法

    公开(公告)号:KR1020170006615A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:KR1020150097507

    申请日:2015-07-09

    Abstract: 본발명은, Ag 나노와이어분산액과, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 테트라에틸오르소실리케이트, 알콜, 물및 산(acid)을포함하는하이브리드바인더용액을포함하며, 상기 Ag 나노와이어분산액은 Ag 나노와이어가 0.1∼7중량% 함유되어있는용액이고, 상기 Ag 나노와이어분산액과상기하이브리드바인더용액은 1:2∼10의중량비로혼합되어있는것을특징으로하는김서림방지용투명전도성코팅조성물및 이를이용한습식공정에의한김서림방지용투명전도성코팅막의형성방법에관한것이다. 본발명에의하면, 유리와같은기판에코팅할경우에기판과의밀착력이강하기때문에코팅막을문지르더라도벗겨지지않고내구성이우수하며, 이에따라내구성이강한김서림방지용투명전도성코팅막을형성할수 있으며, 가시광투과율이높고, 표면저항이낮으며, 전기를인가하지않아도김서림현상을억제할수 있는특성을갖는다.

    측면 성장을 이용한 고품질 질화물 기판의 제조방법
    12.
    发明授权
    측면 성장을 이용한 고품질 질화물 기판의 제조방법 有权
    使用横向生长的高磷酸盐底物的制备方法

    公开(公告)号:KR101614300B1

    公开(公告)日:2016-04-21

    申请号:KR1020150080942

    申请日:2015-06-09

    Abstract: 본발명은, 제1 기판및 제2 기판상부에증착방식으로 SiO층또는 SiN층을형성하는단계와, 상기제1 기판상부에형성된상기 SiO층또는 SiN층상부에질화물씨드를위치시켜고정하는단계와, 상기질화물씨드상부에 SiO층또는 SiN층이형성된제2 기판을위치시켜고정하는단계와, 상기제1 기판및 상기제2 기판사이에존재하는공간으로Ⅲ족원소소스와질소(N) 소스가유입되게하여상기질화물씨드를측면성장시키는단계및 상기 SiO층또는 SiN층을선택적으로습식공정방법으로식각하여제거하고, 측면성장되어형성된질화물기판을상기제1 기판및 상기제2 기판으로부터분리하는단계를포함하는고품질질화물기판의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 공정이매우간단하면서도재현성이매우높고, 고품질의질화물기판을얻을수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种使用横向生长制造高质量氮化物衬底的方法,其包括以下步骤:以SiO_2或SiN层沉积在第一和第二衬底上的方式形成SiO 2层或SiN层; 将氮化物种子放置在形成在第一基板上的SiO_2或SiN层上以将氮化物种子固定到第一基板上; 将其上形成有SiO 2或SiN层的第二衬底放置在氮化物种子上以将第二衬底固定到氮化物种子上; 通过将III族元素源和N源引入存在于第一和第二基底之间的空间中来横向生长氮化物种子; 并且通过湿法选择性地蚀刻SiO 2或SiN层以去除蚀刻SiO_2或SiN层,并将形成在横向生长中的氮化物衬底与第一和第二衬底分离。 根据本发明,该方法非常简单,重复性非常好,可以获得高质量的氮化物基板。

    리튬이온 이차전지용 고이온전도성 글라스세라믹스 및 그 제조방법
    13.
    发明公开
    리튬이온 이차전지용 고이온전도성 글라스세라믹스 및 그 제조방법 有权
    高离子导电玻璃陶瓷,用于锂离子二次电池

    公开(公告)号:KR1020150080074A

    公开(公告)日:2015-07-09

    申请号:KR1020130166776

    申请日:2013-12-30

    CPC classification number: Y02E60/122 Y02P70/54 H01M10/0562 H01M10/0525

    Abstract: 본발명은리튬이온이차전지용고이온전도성글라스세라믹스및 그제조방법에관한것으로서, 특히리튬이온을삽입/탈리할수 있는양극및 음극을포함하는리튬이온이차전지용다층구조의전해질의제조방법을개시한다. 이상과같은본 발명에따르면, 이온전도도가우수하고, 전지의충방전사이클특성을개선시키며, 전지의충방전용량도향상할수 있고, 전지의장기적안정성을향상시킬수 있는리튬이온이차전지용글라스세라믹스, 특히고체전해질을제조하도록하는작용효과가기대된다.

    Abstract translation: 本发明涉及锂离子二次电池用高离子导电性玻璃陶瓷及其制造方法。 特别地,公开了一种用于锂离子二次电池的多层结构的电解质的制造方法,所述锂离子二次电池包括能够插入/分离锂离子的正极和负极。 根据本发明,锂离子二次电池用玻璃陶瓷具有优异的离子传导性,能够提高电池的充放电循环特性,提高电池的充放电量, 细胞的长期稳定性。 特别地,预期是制造固体电解质的效果。

    코어-쉘 구조를 갖는 YSZ-Ni 입자의 제조방법 및 이로부터 제조한 YSZ-Ni 입자를 포함하는 고체산화물 연료전지용 연료극

    公开(公告)号:KR1020150072529A

    公开(公告)日:2015-06-30

    申请号:KR1020130159602

    申请日:2013-12-19

    CPC classification number: C23C18/32 C23C18/18

    Abstract: 본발명에따른 YSZ-Ni 입자의제조방법은 YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia) 입자를전처리하는단계; 및전처리된 YSZ 입자를무전해니켈도금하여코어-쉘구조의 YSZ-Ni 입자를제조하는단계를포함하며, 본발명에따른방법에의해서제조된 YSZ-Ni 입자는탄소침적률이낮다.

    Abstract translation: 根据本发明,制造具有核 - 壳结构的YSZ-Ni颗粒的方法包括:预热氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)颗粒的步骤; 以及通过预处理的YSZ颗粒的无电镀镍制造具有核 - 壳结构的YSZ-Ni颗粒的步骤。 通过本发明的方法制造的YSZ-Ni粒子具有低的碳沉积速率。 本发明的目的是提供一种制造具有核 - 壳结构和低碳沉积速率的YSZ-Ni颗粒的方法; 本发明的另一个目的是提供一种包含根据所述制造方法制造的具有核 - 壳结构的YSZ-Ni颗粒的燃料电池。

    적층된 음극재를 구비하는 아연 공기 전지 및 제조방법
    15.
    发明授权
    적층된 음극재를 구비하는 아연 공기 전지 및 제조방법 失效
    具有层状阳极的锌空气及其制造方法

    公开(公告)号:KR101219022B1

    公开(公告)日:2013-01-07

    申请号:KR1020100132159

    申请日:2010-12-22

    Abstract: 본발명은적층된음극재를구비하는아연공기전지및 그제조방법에관한것으로, 보다상세하게는아연공기전지에있어서, 아연을용매와혼합하여슬러리로제조하는단계; 상기슬러리로제조된아연을쉬트형상으로성형하는단계; 및상기쉬트형상의아연을니켈메쉬또는니켈폼과교번하여적층하는단계;를포함하여구성되는아연공기전지용음극재의제조방법을제공함으로써충방전이가능하고, 지속적사용으로인한음극재의변형이거의없으며, 따라서실용화가능한아연공기전지를제조할수 있다.

    p형 전도성을 나타내는 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101182737B1

    公开(公告)日:2012-09-13

    申请号:KR1020090134318

    申请日:2009-12-30

    Abstract: 본 발명은 p형 전도성을 나타내는 SrCu
    2 O
    2 계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 p형 투명 산화물 반도체인 SrCu
    2 O
    2 의 p형 전기전도성을 증진할 목적으로 SrCu
    2 O
    2 의 원자가가 +2인 Sr의 일부를 원자가가 +1인 K와 Ag로 공도핑함으로써 도핑량을 현저히 증가시켜서 전기전도도 특성을 향상시킨 복합금속산화물로 이루어지는 SrCu
    2 O
    2 계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법을 제공한다.
    본 발명에 의하면, SrCu
    2 O
    2 의 p형 전기전도성의 향상을 위하여 첨가하는 원자가가 +1인 K의 도핑량의 한계인 3 atomic%를 상회하는 Ag와 K의 합산 도핑량 기준, 25 atomic%의 치환 도핑이 가능하여 종래에 비하여 약 42배에 달하는 전기전도도의 증진을 나타내는 작용효과가 기대된다.
    p형 전도성, SrCu2O2, 투명 산화물 반도체, K, Ag, 공도핑, 조성물, 전기전도도

    초친수성 산화티타늄 박막의 제조방법
    17.
    发明公开
    초친수성 산화티타늄 박막의 제조방법 有权
    超级氧化钛氧化物薄膜和氧化钛薄膜的制造方法

    公开(公告)号:KR1020120069093A

    公开(公告)日:2012-06-28

    申请号:KR1020100130493

    申请日:2010-12-20

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of super hydrophilic titanium oxide thin film and a titanium oxide thin film which is manufactured by using thereof are provided to improve light transparency and to have super hydrophilicity by using sol-gel process. CONSTITUTION: A manufacturing method of super hydrophilic titanium oxide thin film comprises the following steps: mixing titanium tetraisoproxide, isopropyl alcoho, acid catalyst, and ethyl alcohol in order to form sol; coating the sol on the substrate in order to form TiO2 thin film; making the sol to gel by drying the substrate on which the sol is coated; and forming a TiO2 thin film by heat treating the gelled outcome at 400-650 deg. Celsius. A molar ratio of titanium tetraisoproxide, isopropyl alcoho, acid catalyst, and ethyl alcohol is 1:10-30:2-10:0.2-3.

    Abstract translation: 目的:提供通过使用其制造的超亲水性氧化钛薄膜和氧化钛薄膜的制造方法,以通过使用溶胶 - 凝胶法提高透光性并具有超亲水性。 构成:超亲水氧化钛薄膜的制造方法包括以下步骤:将四异丙氧基钛,异丙醇,酸催化剂和乙醇混合以形成溶胶; 在基体上涂覆溶胶以形成TiO 2薄膜; 通过干燥其上涂覆有溶胶的基材使溶胶凝胶化; 并通过在400-650度热处理凝胶化结果形成TiO 2薄膜。 摄氏度。 四异丙氧基钛,异丙醇,酸催化剂和乙醇的摩尔比为1:10-30:2-10:0.2-3。

    p형 전도성을 나타내는 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020120059478A

    公开(公告)日:2012-06-08

    申请号:KR1020120055695

    申请日:2012-05-24

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a transparent oxide semiconductor composition is provided to increase the dopant amount added into the SrCu2O2 based transparent oxide semiconductor composition by using a co-doping method, thereby capable of manufacturing transparent oxide semiconductor composition with improved physical properties . CONSTITUTION: A manufacturing method of a transparent oxide semiconductor composition of p-type SrCu2O2 comprises: a step of mixing CuO, SrCO3, K2CO3, and Ag2O; a step of conducting first-calcination the mixture; a step of crushing the mixture conducting second-calcination; and a step of crushing the mixture, molding the mixture, and plasticizing the mixture in nitrogen atmosphere.

    Abstract translation: 目的:提供透明氧化物半导体组合物的制造方法,以通过使用共掺杂方法来增加添加到SrCu 2 O 2的透明氧化物半导体组合物中的掺杂剂量,从而能够制造具有改善的物理性质的透明氧化物半导体组合物。 构成:p型SrCu 2 O 2的透明氧化物半导体组合物的制造方法包括:将CuO,SrCO 3,K 2 CO 3和Ag 2 O混合的工序; 混合物首先进行煅烧的步骤; 粉碎进行第二次煅烧的混合物的步骤; 以及粉碎混合物的步骤,将混合物成型,并在氮气气氛中使混合物增塑。

    축전 장치를 구비하는 태양전지 및 그 제조방법
    19.
    发明公开
    축전 장치를 구비하는 태양전지 및 그 제조방법 有权
    具有存储元件的光电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110077716A

    公开(公告)日:2011-07-07

    申请号:KR1020090134363

    申请日:2009-12-30

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521 H01L31/053

    Abstract: PURPOSE: A solar battery with an electricity charging device and a manufacturing method thereof are provided to obtain stability when a solar battery is operated even when the amount of receiving light is small or the amount of energy outputted from the solar battery is too much. CONSTITUTION: An electricity charging device includes a cathode, a conductive layer, an electrode active material layer, an electricity charging device, a titania layer, and an anode. A separation film is formed on the conductive layer. The cathode is made of glass materials on which white gold is coated. The anode is made of glass materials on which FTO(Fluorine Tin Oxide) is coated.

    Abstract translation: 目的:提供具有充电装置的太阳能电池及其制造方法,以便即使当接收光量小或者从太阳能电池输出的能量量太多时也能够在太阳能电池工作时获得稳定性。 构成:充电装置包括阴极,导电层,电极活性物质层,充电装置,二氧化钛层和阳极。 在导电层上形成分离膜。 阴极由涂有白金的玻璃材料制成。 阳极由涂覆有FTO(氟化锡)的玻璃材料制成。

    p형 전도성을 나타내는 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020110077677A

    公开(公告)日:2011-07-07

    申请号:KR1020090134318

    申请日:2009-12-30

    Abstract: PURPOSE: A method for preparing an SrCu2O2-based transparent oxide semiconductor composition is provided to obtain an SrCu2O2-based transparent oxide semiconductor with improved p-type electric conductivity by increasing the amount of dopants using a co-doping method. CONSTITUTION: A method for preparing an SrCu2O2-based transparent oxide semiconductor composition having p-type electric conductivity is obtained by substituting and co-doping potassium(K) and silver(Ag) at a position of strontium(Sr). A method for preparing the oxide semiconductor composition comprises the steps of: mixing cupric oxide(CuO), strontium carbonate(SrCO3), calcium carbonate(K2CO3) and silver oxide(Ag2O); calcining the mixture in a nitrogen atmosphere; pulverizing the calcined material and calcining again the resultant; and pulverizing the secondary calcined material, molding the pulverized material, and calcining the resultant in a nitrogen atmosphere.

    Abstract translation: 目的:提供一种制备SrCu2O2基透明氧化物半导体组合物的方法,以通过使用共掺杂方法增加掺杂剂的量来获得具有改善的p型导电性的SrCu 2 O 2基透明氧化物半导体。 构成:通过在锶(Sr)的位置上取代并共同掺杂钾(K)和银(Ag),获得制备具有p型导电性的SrCu 2 O 2基透明氧化物半导体组合物的方法。 制备氧化物半导体组合物的方法包括以下步骤:将氧化铜(CuO),碳酸锶(SrCO 3),碳酸钙(K 2 CO 3)和氧化银(Ag 2 O)混合; 在氮气气氛中煅烧该混合物; 粉碎煅烧的材料并再次煅烧所得物; 粉碎二次煅烧材料,成型粉碎物,并在氮气气氛中煅烧所得物。

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