효소 전극 센서의 외부막 형성 방법
    11.
    发明授权
    효소 전극 센서의 외부막 형성 방법 失效
    ENTYMATIC电极传感器外部层的形成方法

    公开(公告)号:KR100508114B1

    公开(公告)日:2005-08-19

    申请号:KR1020020064638

    申请日:2002-10-22

    Abstract: 본 발명은 효소 전극 센서의 외부막 형성 방법에 관한 것으로, 특히 전극, 효소막 및 외부막을 포함하여 이루어진 효소 전극 센서의 외부막 형성 방법에 있어서, 상기 효소막 상부에 물로 이루어진 제1막을 형성하는 단계; 및 유기용매에 용해된 하이드로젤 또는 광중합 가능한 단분자 용액으로 이루어진 제2막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 물과 상기 유기용매에 용해된 하이드로젤 또는 광중합 가능한 단분자가 선택적으로 반응하여 젤을 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 효소 전극 센서의 외부막 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 효소 전극 센서의 외부막 형성 방법에 따라 외부막이 제조된 효소 전극 센서는 효소의 변성을 효율적으로 방지할 수 있어, 효소의 활성이 저하되는 근본적인 문제를 해결함으로써, 보다 효과적인 센서로서의 기능을 발휘할 수 있게 된다.

Patent Agency Ranking