公开(公告)号：KR101489758B1

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：KR1020130101199

申请日：2013-08-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김문석 ,  유상경 ,  이상한

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06F7/58 ,  G06F7/588 ,  G06F21/44 ,  G09C1/00 ,  G11C16/0408 ,  H04L9/3278 ,  G11C16/30 ,  G11C5/147 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/22 ,  G11C16/26

Abstract: 플래시 메모리 컨트롤러의 전압 조건만을 바꾸어서 플래시 메모리를 PUF 회로로 동작 가능하게 하는 플래시 메모리의 동작 제어 방법 및 장치를 제시한다. 제시된 장치는 PUF 모드 선택신호를 입력받게 됨에 따라 플래시 메모리에 대한 프로그램 전압 조건과 소거 전압 조건 및 읽기 전압 조건중에서 하나 이상을 변화시키는 제어신호를 출력하는 제어부 및 제어부로부터의 제어신호를 입력받게 됨에 따라 플래시 메모리에 대한 프로그램 전압 조건과 소거 전압 조건 및 읽기 전압 조건중에서 하나 이상을 변화시키는 전압 조절부를 포함한다.

Abstract translation: 提供了一种用于控制闪速存储器的操作的方法和装置，其可以仅改变闪速存储器控制器的电压状态并且操作闪存作为PUF电路。 所提供的装置包括控制信号，当控制信号接收到PUF模式选择信号时，输出控制信号，该控制信号在编程电压条件，删除电压条件和闪速存储器的读取电压条件之间改变一个或多个; 以及电压调整部，其在接收到来自控制器的控制信号时，在闪存的编程电压条件，删除电压条件和读取电压条件之间改变一个或多个。