Abstract:
본 발명은 극초단 초고출력 펄스 레이저 발생 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 극초단 초고출력 펄스 레이저를 생성하고 펄스폭을 신장한 후, 기 설정된 편광각을 가지는 펄스 레이저만을 선택하여 제공하는 펄스 레이저 제공부; 상기 펄스 레이저 제공부로부터 제공되는 펄스 레이저를 S편광성분 광과 P편광성분 광으로 분기하고, 상기 S편광성분 광과 상기 P편광성분 광의 위상차 및 진폭차를 가변한 후 광결합하여 편광 특성이 가변된 펄스 레이저를 생성하는 편광 특성 조절부; 및 상기 편광 특성 조절부에 의해 편광 특성이 가변된 펄스 레이저의 펄스폭을 압축하여 출력하는 펄스 압축부를 포함할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An ion beam profiler, an ion beam filter, and an ion beam generator including the ion beam filter are provided to measure the energy distribution of an ion beam in real time and to pass only the ion beam of a desired wavelength range. CONSTITUTION: An ion beam profiler comprises a flash detection module (1210), a photoelectric conversion module (1220), and an analysis module (1230). The flash detection module generates light in response to ion beams. The photoelectric conversion module converts light into an electric pulse. The analysis module calculates the energy distribution and travel route of the ion beams by analyzing the electric pulse. The flash detection module has flash detection layers which are extended in one direction and include flash bodies which generate light in response to the ion beams. [Reference numerals] (1110) Pulse laser; (1120) Pulse elongation device; (1130) Pulse selector; (1140) Amplifier; (1150) Pulse reducing device; (1211) 1 scintillation detection layer; (1212) 2 scintillation detection layer; (121n) N scintillation detection layer; (1220) Photoelectric conversion module; (1230) Analysis module; (AA) Ion beams
Abstract:
양성자 발생용 타겟 물질을 포함하는 양성자를 이용한 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 환자가 위치할 수 있는 내부 공간을 갖는 원통형의 보어 부재, 보어 부재의 내측면에 제공된 양성자 발생용 타겟 물질 및 양성자 발생용 타겟 물질로부터 양성자를 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 양성자 발생용 타겟 물질로 레이저 빔을 제공하는 레이저를 포함한다. 양성자 발생용 타겟 물질은 지지 박막 및 지지 박막 상에 제공된 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a field effect transistor is provided to control the thickness of the lower insulating layer of an electric field electrode by adjusting the over-etching depth of an insulating layer, thereby optimizing the electric field electrode effect. CONSTITUTION: An insulating layer(34) is deposited on a semiconductor substrate. A photoresist pattern includes narrow opening regions for exposing the insulating layer and a lowermost layer photoresist film. An insulating layer etching process and a gate recess process are performed using a gate and electric field electrode manufacturing pattern as an etching mask. A gate and electric field electrode metal layer are deposited on the gate and electric field electrode manufacturing pattern. A lift-off process is performed to form a gate and an electric field electrode(38).
Abstract:
본 발명은 치료 대상체 내부, 즉 인체 내부에 삽입되어 인체 내부에 발생된 암 세포에 근접하여 입자빔을 출사할 수 있는 저침투형 입자빔 암치료 장치에 관한 것으로, 치료 대상체 내부에 형성된 병변 부위에 입자빔을 출사하고, 상기 입자빔 출사시 적어도 일부가 상기 치료 대상체 내부에 삽입되는 입자빔 출사기와, 사전에 설정된 길이를 갖는 파이프 형상을 하고, 상기 입자빔 출사기와 물리적으로 연결되며, 상기 파이프 형상의 적어도 일부가 길이 방향으로 상기 입자빔 출사기 일부와 함께 상기 치료 대상체 내부에 삽입되어 상기 입자빔 출사기의 치료 대상체 내부 삽입을 돕는 의료 장치 몸체와, 상기 입자빔 출사기의 구동을 제어하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 저침투형 입자빔 암치료 장치를 제공하는 것이다. 의료(Medical), 치료(Therapy), 입자빔(Particle Beam), 삽입(Insertion), 저침투(Minimally Invasive), 암(Cancer)
Abstract:
PURPOSE: A treatment apparatus using protons and a treatment method using the same are provided to obstruct the growth of the tumor cell of a tumor region or to kill the tumor cell. CONSTITUTION: A treatment apparatus using protons comprises: a proton generating unit(100) for projecting protons to the tumor region of a patient; a magnet(210) for forming a magnetic field that surrounds the patient; and a bore member(200) which has a hollow where the patient locates and in which a magnet locates in the outside thereof. The protons perform a spiral motion through the Lorentz force by magnetic field.
Abstract:
PURPOSE: A method for detecting antigen and a microfluid chip are provided to reduce reaction time by active mixing and to quickly detect antigen using a small amount of blood. CONSTITUTION: A method for detecting antigen comprises: a step of binding a nanobead with a first antibody to prepare an antibody-nanobead(S110); a step of binding the antibody-nanobead and an antigen to prepare an antibody-antigen-nanobead(S120); a step of binding the antibody-antigen-nanobead with a second antibody(S130); and a step of detecting antibody-antigen-nanobead which is conjugated to the second antibody(S140). The nanobead has a dielectric or metal. The dielectric has dipole moment.
Abstract:
Provided are a target for generating ions and a treatment apparatus using the same. The treatment apparatus comprises: a net shaped grid which is made up of nano wires; a thin film which is attached to one side of the grid, and which generates ions by injected laser beam; and laser which injects laser beam with the nano wires of the grid for projecting ions on tumor part of a patient by generating ions from the thin film for generating ions. The laser beam, injected with nano wires, forms near-field light which has increased strength than that of laser beam by a nano plasmonics phenomenon, and ions are emitted from the thin film for generating ions by the near-field light.
Abstract:
양성자를 이용한 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 환자의 종양 부위에 양성자를 투사하기 위한 양성자 발생부 및 환자를 둘러싸는 자기장을 형성하기 위한 자석을 포함한다. 양성자는 종양 부위의 원자와의 충돌 및 자기장에 의한 로렌츠의 힘에 의해 나선운동을 하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 양성자는 환자의 종양 부위에 집중되어, 종양 부위 내의 종양 세포의 성장을 저해하거나 또는 종양 세포를 괴사시킬 수 있다. 양성자, 종양, 암, 치료, 로렌츠