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公开(公告)号：KR1019930008526A
公开(公告)日：1993-05-21
申请号：KR1019910018988
申请日：1991-10-28
IPC: G03F7/26
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 습식식각(wet etching)방법에 관한 것으로 특히, 암모늄프로라이드(NH
4 F)를 이용한 금속박막 식각방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래의 식각용액(인산 : 질산 : 초산 : 물=80 : 5 : 5 : 10)에 암모늄프로라이드(NH
4 F)를 전체용액의 0.5% 내지 1% 정도로 혼합하여 제조한 새로운 식각용액을 사용하여 금속 박막(4)을 식각 함으로써 별도의 실리콘 잔유물(5)을 제거하기 위한 공정이 필요치 않을 뿐만 아니라, 본 발명을 이온센서 반도체 장치의 제조방법에 적용하는 경우 금속 패턴을 형성하는 공정에서 발생되는 게이트 질화막의 표면 손상을 방지할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019940010597B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910018988
申请日：1991-10-28
IPC: G03F7/26
Abstract: The wet etching technique reduces the fabrication steps of semiconductor devices and manufacturing cost by both etching of Al metal thin film and removing Si remnant. The wet etching technique comprises (A) employing the mixture of the conventional Al wet etching etchant with 0.5 % to 1 % NH4F; (B) wet etching of Al thin film with 1 % Si (1) and removing simultaneously Si remnant on the nitride layer (2).
Abstract translation: 湿蚀刻技术通过蚀刻Al金属薄膜和去除Si残留物来减少半导体器件的制造步骤和制造成本。 湿式蚀刻技术包括（A）采用常规Al湿蚀刻蚀刻剂与0.5％至1％NH4F的混合物; （B）用1％Si（1）湿式蚀刻Al薄膜，同时在氮化物层（2）上同时去除Si残余物。
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