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公开(公告)号：KR1020010027889A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990039867
申请日：1999-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: PURPOSE: An optical mode size converting device is provided to reduce a coupling loss and a reflection loss by connecting an optical fiber and an optical waveguide integrated device efficiently, thereby having a power transfer capability over 90 percents and having a taper area about 300 um. CONSTITUTION: In an optical mode size converting device, the first optical waveguide layer as an incident part(104) of an optical waveguide(106) and the second optical waveguide layer as an exit part(102) of the optical waveguide are formed, wherein the respective terminals of the layers are dual-tapered latera-jointed. The respective terminals of the latera-jointed parts in the first and second waveguide layers are opposed to each other and have a tapered shape. The latera-jointed parts have a sine wave shape. The second waveguide layer includes another tapered part except for the latera-jointed part.
Abstract translation: 目的：提供一种光学模式尺寸转换装置，以有效地连接光纤和光波导集成装置来减少耦合损耗和反射损耗，从而具有超过90％的功率传递能力并且具有约300um的锥形面积。 构成：在光模式尺寸转换装置中，形成作为光波导（106）的入射部（104）的第一光波导层和作为光波导的出射部（102）的第二光波导层，其中， 层的相应端子是双锥形连接的。 第一和第二波导层中的接合部分的相应端子彼此相对并具有锥形形状。 后缘部分具有正弦波形。 第二波导层包括除了接合部分之外的另一锥形部分。
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公开(公告)号：KR100277698B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970050791
申请日：1997-10-01
IPC: G02B5/20
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 제조 분야에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거할 수 있는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
도파로 상에 TE모드에 해당하는 격자주기와 TM모드에 해당하는 격자주기를 동시에 설치하되 공간적으로 분리하고, 각각의 격자가 존재하는 도파로에 전류 주입의 방법 또는 전기장 효과에 의해 독립적인 파장 가변이 가능케 함으로써 도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100216528B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960066279
申请日：1996-12-16
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing: 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5∼1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5∼1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05∼0.2㎛로 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1∼1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2∼3㎛로 적층되고 1∼5㎛의 폭과 3∼10㎜의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1∼3㎛로 적충된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05∼0.3㎛로 적충된 p형 InGaAsP 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SINx) 또는 이산화 규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.-
公开(公告)号：KR100211039B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019960069272
申请日：1996-12-20
IPC: G02B6/42
Abstract: 광스위치 장치를 광섬유와 수동적으로 결합시키는 실리콘 기판을 이용한 광결합 장치에 관한 것이다. 일반적으로 광결합장치는 광소자 간의 미크론 정도의 매우 정교한 기계적인 정렬 작업과 레이저 용접과 같은 순간적이고 견고한 접착 방식을 필요로 하는 것이 특징이다. 이러한 종래의 광결합 장치는 각각의 광소자들이 매우 복잡한 기계적인 구조물로 먼저 패키징 되고 다시 이들을 별도의 케이스에 상호 정렬하여 부착시키는 방식으로 패키징되기 때문에 부품 수가 많고 정렬 작업이 복잡하여 그 제조코스트가 매우 고가로 되는 단점을 갖고 있다. 한편으로 반도체장치제조에 사용되는 반도체공정기술을 실리콘 기판의 기계적인 가공에 이용하면 기계적인 가공으로는 얻을 수 없는 미크론 이하의 매우 정밀한 기계적 구조물의 제작이 가능하고 이를 각종 광소자 및 부품의 조립을 위한 기판으로 사용하고자 하는 것이 실리콘 광학 벤치(silicon optical bench) 기술이다. 본 발명은 반도체제조공정으로 가공된 실리콘 기판을 이용하여 광스위치 장치와 광섬유를 수동적으로 광결합 시킬 수 있는 광결합장치에 관한 것으로서, 상기 목적을 달성하기 위하여 실리콘 기판에 광스위치 장치의 플립칩 본딩을 위한 솔더 범프와 광섬유의 정렬 및 고정을 위한 브이홈을 형성시키고, 상기 솔더 범프 위에 광스위치 장치를 플립칩 본딩시킴으로써 광스위치 장치를 기판에 고정시키며, 동시에 광스위치 장치가 상기 브이홈과 자동 정렬되게 하며, 또한 광스위치 장치에 전기적이 연결이 가능한 전기적인 접촉을 형성시키며, 상기 브이홈 내에 광섬유를 정렬하여 고정시킴으로써 광스위치 장치와 광섬유 간에 광결합이 자동적으로 이루어지도록 함으로써 부품 수의 감소와 조립 공정의 단순화를 달성하여 광결합 장치의 크기를 소형화� ��고 제조코스트를 저렴하게 하고자 한 것이다.
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公开(公告)号：KR100198464B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960055704
申请日：1996-11-20
IPC: G02B6/24
Abstract: 본 발명은 광도파로 격자 라우터(WGR:Waveguide Grating Router)는 차세대의 WDM(Wavelength Division Multiplexing) 전광네트웍(All-Optical Network)을 실현하는데 있어서 핵심부품인 다중모드 간섭형 NxN 광도파로 격자 라우터에 관한 것으로서, 종래의 WGR은 방사형 성형결합기(Radiative Star Coupler)와 광도파로열을 집적하여 구현하고 있으며, 성형결합기의 방사에 의하여 약 3-4dB의 잉여 삽입 손실(chip 내부)이 필연적으로 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 방사형 성형결합기를 다중모드 간섭형(MMI:Multimode Interference) 성형결합기로 대체함으로서 MMI 성형결합기의 저손실성을 WGR의 설계에 반영하여 고성능의 새로운 구조의 NxN WGR을 제안하였다. 파장 채널 간격이 주어지고 입력도파로 i로 빛이 입사할 때 출력도파로에 적절한 채널 파장이 할당되도록 광도파로열에 사용될 도파로의 경로차를 찾아낸다. 그러면 입력도파로 i 이외의 입력단으로 입사되는 광파는 출력단에서 N개의 같은 채널파장들이 다른 출력단으로 할당됨을 전산모사를 통하여 확인한 것이다. 즉, NxN MMI WGR에서 찾아낸 광도파로열의 도파로 경로차를 적용한 8x8 WGR은 BPM(Beam Propagation Method)를 이용한 전산 모사 결과 현재 파장 분할 방식의 표준화 움직임이 있는 1.6㎚(200GHz) 파장 채널 간격에서 0.4 dB이하의 잉여손실과 -25dB이하의 누화를 갖을 수 있는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100198463B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960055703
申请日：1996-11-20
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 광신호를 임의의 횟수만큼 반복하여 지연할 수 있는 광신호 버퍼 구조에 관한 것으로서, 종래 광신호 지연 버퍼가 갖고 있는 구조적인 복잡성 혹은 광신호 지연횟수의 증가에 따른 신호대 잡음 특성 감소현상을 해결하기 위하여 반도체 광증폭기로 구성된 마하젠더(Mach-Zehnder) 간섭계 및 1:2 광스위치를 이용하여 구조가 간단하면서도 광신호 지연회수의 임의 반복이 가능하며, 광신호 지연횟수의 증가에 대해서도 신호대 잡음 특성 감소가 적은 광신호 지연버퍼 구조를 제공하여 상기 마하젠더 간섭계가 갖는 특징을 이용하여 1:2 광스위치와, 광증폭기 및 광섬유 지연선을 마하젠더 간섭계와 함께 이용하는 것을 특징으로 하며, 광섬유 지연선을 통하여 지연된 광신호를 마하젠더 간섭계의 입력신호로 궤환함으로써 광증폭기에 의하여 신호대 � ��음 특성이 저하 되더라도 마하젠더 간섭계에서 다시 신호대 잡음 특성을 개선하여 주므로 신호대 잡음 특성의 저하가 없거나 무시할 수 있게 되어 N번의 반복 시간 지연을 하더라도 원래의 광신호에 비하여 신호대 잡음 특성 저하가 적은 장점을 지니고 있다.
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公开(公告)号：KR100198427B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960052614
申请日：1996-11-07
IPC: H04B10/29 , H04B10/2581
Abstract: 본 발명은 파장분할 다중(Wavelength Division Multiplexing, WDM) 광통신에서 여러개(M)의 파장과 여러(N)개의 입력단자를 갖는 M×N개의 광신호를 서로 충돌없이 목적지로 전송할 수 있도록 하는 광신호 교환장치에 관한 것으로서, 종래 광통신에서 광신호를 상호 교환하는 경우 광신호를 전기 신호로 바꾼 다음 전기적으로 신호를 스위칭 하고 이 신호를 다시 광신호로 바꾸어서 목적지까지 전송하는 시스템은 전기적 스위칭 속도가 느리기 때문에 초고속 광통신 신호의 경우 신호자체를 느린 여러개의 신호로 풀고 이를 스위칭한 후 다시 압축하여야 하는 등 전자교환기의 부피가 커지게 되고 사실상 쓸모없게 되는 문제점이 발생하므로 상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 광교환 장치는 입력광을 파장별로 분해하는 광파장분해부와 각각의 광파장 분해부에� � 분리된 광신호중 같은 파장만 입력되도록 하고 N개의 스위칭 입력단자를 갖는 N×N 공간 광스위치부와, 스위칭된 광신호를 파장별로 모은 다음 필요한 파장으로 변환하고 다시 분해해주는 파장변환분배부와, 그 뒤에 연결된 같은 파장만 입력되는 N개의 스위칭 입력단자를 갖는 N×N 공간 광스위칭부 및 광파장결합기로 구성되어 N×M개의 광신호를 교환할 수 있는 것을 특징으로 하며, 광신호들을 충돌없이 교환할 수 있도록 고안된 새로운 개념으로 전자교환기로는 불가능한 광신호의 교환을 위해 상기와 같은 개념을 쓰면 광신호의 상호 충돌없이도 광교환을 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980047765A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066279
申请日：1996-12-16
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing : 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장 선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5~1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5~1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05~0.2㎛로 적층되고 10~20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1~1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2~3㎛로 적층되고 1~5㎛의 폭과 3~10mm의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1~3㎛로 적층된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05~0.3㎛로 적층된 p형 InGaAs 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1~10㎛ 더 넓은 창폭을 갖 도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 이산화규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1019980037021A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960055703
申请日：1996-11-20
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 광신호를 임의의 횟수만큼 반복하여 지연할 수 있는 광신호 버퍼 구조에 관한 것으로서, 종래 광신호 지연 버퍼가 갖고 있는 구조적인 복잡성 혹은 광신호 지연횟수의 증가에 따른 신호대 잡음 특성 감소현상을 해결하기 위하여 반도체 광증폭기로 구성된 마하젠더(Mach-Zehnder) 간섭계 및 1:2 광스위치를 이용하여 구조가 간단하면서도 광신호 지연회수의 임의 반복이 가능하며, 광신호 지연횟수의 증가에 대해서도 신호대 잡음 특성 감소가 적은 광신호 지연버퍼 구조를 제공하여 상기 마하젠더 간섭계가 갖는 특징을 이용하여 1:2광스위치와, 광증폭기 및 광섬유 지연선을 마하젠더 간섭계와 함께 이용하는 것을 특징으로 하며, 광섬유 지연선을 통하여 지연된 광신호를 마하젠더 간섭계의 입력신호로 궤환함으로써 광증폭기에 의하여 신호대 � �음 특성이 저하 되더라도 마하젠더 간섭계에서 다시 신호대 잡음 특성을 개선하여 주므로 신호대 잡음 특성의 저하가 없거나 무시할 수 있게 되어 N번의 반복 시간 지연을 하더라도 원래의 광신호에 비히여 신호대 잡음 특성 저하가 적은 장점을 지니고 있다.
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