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公开(公告)号：KR1019960026935A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940032830
申请日：1994-12-05
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 콜렉터의 기생 저항을 감소시키고 초고주파 응답 특성이 매우 우수한 쌍극자 트랜지스터의 구조를 제공하기 위한 것으로, 금속성 박막(13)으로 콜렉터 매립층을 형성하고, 금속성 박막(13)을 산화막(14)에 대해 선택적으로 과식각하고 실리콘(15)을 선택적으로 성장시켜 쌍극자 트랜지스터를 제조한다.
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公开(公告)号：KR1019960026915A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036365
申请日：1994-12-23
IPC: H01L29/06
Abstract: 본 발명에서는 컬렉터(2-4)가 절연막(2-3)에 의해 격리가 되므로 종래의 도랑격리와 같은 소자간의 격리공정이 불필요해져 생략가능하고, 에미터, 베이스, 컬렉터의 면적이 거의 같아져서 베이스-컬렉터간의 기생용량 뿐만 아니라 에미터-베이스간이 자기정렬되어 종래의 초자기정렬 장점이 본 발명에도 그대로 있으며, 본 발명에서는 소자격리공정이 제거됨으로써 소자의 면적을 더욱 줄일 수 있으며 동시에 공정도 더욱 단순해졌다.
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公开(公告)号：KR1019960019794A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940031734
申请日：1994-11-29
Abstract: 규소게르마늄 에피택시층의 두께 및 품위를 이상적으로 한 후 쌍극자 트랜지스터의 소자격리를 하는 본 발명은 먼저 산화막이 없는 n
- 컬렉터 에피 위에 규소게르마늄 베이스에피택시층을 성장하여 에피택시층의 두께를 웨이피내에서 균일하게 하고 에피택시층의 품위를 이상적으로 한다. 이어, 상기 규소게르마늄 에피택시층 위에 화학증착법(Chemical Vapor Deposition)을 사용하여 산화막, 질화막 및 다결정규소막을 연속적으로 증착한다. 이어, 트렌치 격리마스크를 사용하여 소자격리를 위한 트렌치 식각(trench etching)공정을 한다. 이 공정에서, 트렌치형상(trench pattern) 측면에 놓여 있는 필드영역(field area)이 노출되어 소자간의 완전한 격리가 않되는 것을 방지하기 위하여 트렌치형상 정의시 동시에 기둥형상의 구조물이 트렌치형상 측벽에 형상되도록 하여 소자간의 격리를 이루도록 한다. 또한 소자간의 격리를 위하여 절연막을 도포시 스텝 커버리지(step coverage)를 양호하게 하여 평탄한 구조를 이루도록 한다. 이어, 기계화학적 연마방법을 사용하여 평탄한 구조의 소자격리구조를 제작한다.-
公开(公告)号：KR1019960019764A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940031325
申请日：1994-11-26
IPC: H01L29/68
Abstract: 본발명은컴퓨터나통신기기등의차세대고속정보처리시스템에널리이용되고있는고속쌍극자(bipolar) 트랜지스터에관한것으로서, 실리콘에미터전극을선택적단결정과성장(epitaxial lateral overgr-owth)하여에미터와베이스가자기정렬되게하고금속성박막을이용하여베이스기생저항을크게감소시킨쌍극자트랜지스터제조방법에관한것이다. 본발명은비활성베이스로금속성박막인티타늄실리사이드를사용하기때문에소자의기생베이스저항이작으며, 에미터와베이스를자기정렬시킴으로서재현성이높고소자의크기를줄여집적도를높일수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种计算机或下一代高速信息广泛和高速双极（双极的）在处理系统中使用的晶体管，例如通信设备，米，以选择性地生长米电极上的单晶硅和（外延横向overgr-零增长）和碱 gajagi提出并涉及一种制造方法，通过使用金属薄膜装置，它大大减小了双极型晶体管基极的寄生电阻。 本发明具有的优点是集成度是nopilsu器件的寄生基极电阻小，因为它使用硅化钛的金属薄膜在惰性基质，具有高再现性，发射极和基sikimeuroseo自对准通过减小装置的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950021519A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026312
申请日：1993-12-03
IPC: H01L27/08
Abstract: 본 발명은 고속정보처리 시스템에서 사용 가능한 동종접합 및 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서; 종래의 이종접합소자는 베이스의 기생저항이 크고, 소자공정이 복잡한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 컬렉터용 규소박막층(50) (51)를 형성하고, 국부적으로 절연막(53)을 형성하고 그위에 반도체 박막 (55), 베이스 전극용 박막(56), 절연막(57, 58)을 형성하는 공정(a)과, 상기 절연막(57. 58), 금속성 베이스 전극용 박막(56)을 식각하는 공정 (b, c)과. 상기 노출된 반도체 박막(55)을 국부열산화시켜 산화막 (59)을 형성하는 공정(d)과, 상기 절연막(57, 58)과 산화막(59)을 제거하고, 베이스 박막(60)을 성장하고 절연막(11)을 증착하는 공정(e)과, 상기 절연막(53)상부의 박막(55, 56, 60, 61)을 식각하고, 베이스 전극부분을 격리시키기 위해서 측면절연막(62)을 형성하는 공정 (f)과, 에미터 영역을 정의하기 위해서 절연막(61)을 식각하고 에미터 박막(63)을 형성하는 공정 (g)과, 이 위에 소자를 보호하는 절연막(64)을 도포하고(공정 h) , 금속접촉영역을 정의하기 위해 절연막(61, 64)을 식각한 후에 금속(65)을 증착하는 공정 (i)을 제공하여 소자의 공정을 간단화함으로써 초고집적화가 가능하고, 고속정보 처리 및 저전력을 요하는 고속컴퓨터, 통신기기등에서 넓은 응용범위를 갖는 것이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1019940016951A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920024459
申请日：1992-12-16
IPC: H01L29/80
Abstract: 본 발명은 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Hetero-junction Bipolar Transistor)에 관한 것으로, 더 구체적으로 AlGaAs/GaAs 메사(mesa) 이종접합 쌍극자트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, n-AlGaAs에 n+GaAs가 적층된 에미터메사와 n-GaAs에 P+GaAs가 적층된 베이스메사를 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 베이스메사의 표면에 Al 이온의 주입에 의해 형성되는 AlGaAs 보호층(12)을 포함하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020150057479A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130140887
申请日：2013-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G08G5/0034
Abstract: 본발명은비행계획상태추적장치및 그방법에관한것으로, 입력되는비행계획정보를근거로비행계획상태천이구조를생성하는비행계획구조생성부; 항공고정통신망을통해전달되는비행전문을근거로비행계획상태를설정하는비행계획설정부; 및설정된비행계획상태를토대로하여상기비행계획상태천이구조에포함된비행계획상태를추적하는비행계획추적부;를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于跟踪飞行计划状态的装置及其方法。 跟踪飞行计划的装置包括：飞行计划结构发生器，用于根据输入的飞行计划生成飞行计划的状态转换结构; 飞行计划设定单位，根据通过航空固定电信网转移的飞行计划全文和飞行计划跟踪单位设定飞行计划状态，该飞行计划跟踪单位根据飞行计划状态转移结构，包括飞行计划的状态 预先设定飞行状态。 本发明的目的是提供用于跟踪飞行计划状态的装置，其提供飞行计划的状态转换结构以实时跟踪飞行计划的生命周期及其方法。
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公开(公告)号：KR101327553B1
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：KR1020100103366
申请日：2010-10-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L31/074 , H01L31/02168 , H01L31/0328 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 태양전지가 제공된다. 태양전지는 광흡수층, 광흡수층 상의 p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층, 광흡수층 아래에 배치된 배면 전극 및 윈도우층 상에 배치된 투명 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101292615B1
公开(公告)日：2013-08-02
申请号：KR1020090128387
申请日：2009-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04L63/0227 , H04L41/046 , H04L63/1416 , H04L67/12 , H04W12/12 , H04W84/06
Abstract: 고위험 비행자료 패킷 역추적 및 차단 방법 및 이를 이용한 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 고위험 비행자료 패킷 역추적 및 차단 방법은, 비행자료 패킷 감시부가 비행자료 처리 장치로 전송되는 비행자료 패킷들 중 고위험 비행자료 패킷의 발생 여부를 감시하는 단계; 상기 고위험 비행자료 패킷이 발생한 경우, 경로 역추적부가 상기 고위험 비행자료 패킷에 대한 네트워크상 전달 경로를 역추적하는 단계; 및 차단 처리부가 상기 전달 경로로 상기 고위험 비행자료 패킷을 송신한 비행자료터미널을 항공종합통신망에서 고립시키는 단계를 포함한다. 따라서, 항공교통관제시스템에 대한 보안성, 신뢰성, 가용성을 높이고, 항공교통관제시스템의 정당한 이용자들에 대한 서비스가 중단 없이 이루어질 수 있도록 할 수 있다.
항공종합통신망, 비행자료처리시스템, 비행자료터미널, 역추적, 네트워크 고립Abstract translation: 公开了一种追踪和隔离高风险飞行数据分组的方法及其装置。 追踪和隔离高风险航班数据分组的方法包括由飞行数据分组监控单元监测在发送到飞行数据处理装置的飞行数据分组中是否产生高风险飞行数据分组; 当生成高风险航班数据包时，通过路径追溯单元跟踪网络上的高风险航班数据分组的传送路径; 以及通过隔离处理单元将从所述航空电信网络传送所述高风险航班数据分组的飞行数据终端隔离到所述传送路径。 本发明可以提高空中交通管制系统的安全性，可靠性和可用性，并且可以在不停止对空中交通管制系统的认证用户的服务分配的情况下进行。
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