公开(公告)号：KR1019930008526A

公开(公告)日：1993-05-21

申请号：KR1019910018988

申请日：1991-10-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종문 ,  최창억 ,  진영모 ,  현영철 ,  박희복 ,  임태영

IPC: G03F7/26

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 습식식각(wet etching)방법에 관한 것으로 특히, 암모늄프로라이드(NH
4 F)를 이용한 금속박막 식각방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래의 식각용액(인산 : 질산 : 초산 : 물=80 : 5 : 5 : 10)에 암모늄프로라이드(NH
4 F)를 전체용액의 0.5% 내지 1% 정도로 혼합하여 제조한 새로운 식각용액을 사용하여 금속 박막(4)을 식각 함으로써 별도의 실리콘 잔유물(5)을 제거하기 위한 공정이 필요치 않을 뿐만 아니라, 본 발명을 이온센서 반도체 장치의 제조방법에 적용하는 경우 금속 패턴을 형성하는 공정에서 발생되는 게이트 질화막의 표면 손상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019910010789A

公开(公告)日：1991-06-29

申请号：KR1019890016417

申请日：1989-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 임태영 ,  장기호 ,  진영모 ,  박희복

IPC: H02J7/00

Abstract: 내용 없음