公开(公告)号：JP2012056860A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：JP2010199972

申请日：2010-09-07

Applicant: Adeka Corp ,  株式会社Adeka

Inventor： WADA SENJI ,  SAKURAI ATSUSHI ,  SHIMIZU MASAKO ,  SHIRATORI TSUBASA ,  SAITO AKIO ,  YOSHINO TOMOHARU

IPC: C07F17/00 ,  C07C215/08 ,  C07F7/28 ,  C23C16/18

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a titanium precursor which excels in reactivity with a reactant suitable for a CVD method, an ALD method or the like, especially with an oxidant, and in which the improvement in film formation speed and the low-temperature thin film become possible.SOLUTION: The metal compound is expressed by general formula (1). In the formula, Rdenotes a hydrogen atom or a methyl group, Rdenotes a methyl group or an ethyl group, and Rdenotes a methyl group or an ethyl group.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种钛合金前体，它与适用于CVD法的反应物，ALD法等，尤其是氧化剂的反应性优异，其中成膜速度和低 温度薄膜成为可能。 解决方案：金属化合物由通式（1）表示。 在该式中，R 1 表示氢原子或甲基，R“表示甲基或乙基， 并且R 3 表示甲基或乙基。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT