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    POLY(5,5'BIS(THIOPHEN-2-YL)-BENZO[2,1-B;3,4-B']DITHIOPHENE) AND ITS USE AS HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMICONDUCTING POLYMER
    11.
    发明申请
    POLY(5,5'BIS(THIOPHEN-2-YL)-BENZO[2,1-B;3,4-B']DITHIOPHENE) AND ITS USE AS HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMICONDUCTING POLYMER 审中-公开
    POLY（5,5'BIS（THIOPHEN-2-YL）-BENZO [2,1-B; 3,4-B'] DITHIOPHENE）及其作为高性能溶液可处理的半导体聚合物

    公开(公告)号：WO2010000669A1

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：PCT/EP2009/057984

    申请日：2009-06-25

    Applicant: BASF SE ,  MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. ,  KASTLER, Marcel ,  KOEHLER, Silke ,  MUELLEN, Klaus ,  LIU, Miaoyin ,  BECKMANN, Dirk ,  RIEGER, Ralph

    Inventor： KASTLER, Marcel ,  KOEHLER, Silke ,  MUELLEN, Klaus ,  LIU, Miaoyin ,  BECKMANN, Dirk ,  RIEGER, Ralph

    IPC: H01B1/12 ,  C08G61/12 ,  C07D495/02 ,  H01L51/30

    CPC classification number: H01L51/0036 ,  C07D495/04 ,  C08G61/126 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

    Abstract: Poly(5,5'-bis(thiophen-2-yl)-benzo[2,1 -b;3,4-b']dithiophene) comprising as repeating units the group of the formula (I) wherein R is independently selected from a) a C 1-2O alkyl group, b) a C 2-20 alkenyl group, c) a C 2-20 alkynyl group, d) a C 1-20 alkoxy group, e) a -Y-C 3-10 cycloalkyl group, f) a -Y-C 6-14 aryl group, g) a -Y-3-12 membered cycloheteroalkyl group, or h) a -Y-5-14 membered het- eroaryl group, wherein each of the C 1-20 alkyl group, the C 2-20 alkenyl group, the C 2-20 alkynyl group, the C 3-10 cycloalkyl group, the C 6-14 aryl group, the 3-12 membered cycloheteroalkyl group, and the 5-14 membered heteroaryl group is optionally substituted with 1 -4 R 1 groups, R 1 is independently selected from a) a S(O) m -C 1-20 alkyl group, b) a S(O) m -OC 1-20 alkyl group, c) a S(O) m -OC 6-14 aryl group, d) a C(O)-OC 1-20 alkyl group, e) a C(O)-OC 6-14 aryl group, f) a C 1-20 alkyl group, g) a C 2-20 alkenyl group, h) a C 2-20 alkynyl group, i) a C 1-20 alkoxy group, j) a C 3-10 cycloalkyl group, k) a C 6-14 aryl group, I) a 3-12 membered cycloheteroalkyl group, or m) a 5-14 membered heteroaryl group, Y is independently selected from a divalent C 1-6 alkyl group, or a covalent bond; and m is independently selected from 0, 1, or 2, and having a number average molecular weight M n in the range of from 5,000 to 200,000 g/mol.

    Abstract translation: 包含作为重复单元的式（I）基团（其中R独立地选择）的聚（5,5'-双（噻吩-2-基） - 苯并[2,1-b; 3,4-b']二噻吩） 从a）C1-2O烷基，b）C2-20烯基，c）C2-20炔基，d）C1-20烷氧基，e）-Y-C3-10环烷基，f ）a -Y-C 6-14芳基，g）a -Y-3-12元环杂烷基，或h）a -Y-5-14元环芳基，其中C 1-20烷基， C2-20烯基，C2-20炔基，C3-10环烷基，C6-14芳基，3-12元环杂烷基和5-14元杂芳基任选被1〜 4个R 1基团，R 1独立地选自a）S（O）m -C 1-20烷基，b）S（O）m OC1-20烷基，c）S（O）m -OC 6 - 14芳基，d）C（O）-OC1-20烷基，e）C（O）-OC6-14芳基，f）C1-20烷基，g）C2-20烯基， h）C 2-20炔基，i）C 1-20烷氧基，j）C 3-10环烷基，k）C6 -14芳基，I）3-12元环杂烷基，或m）5-14元杂芳基，Y独立地选自二价C 1-6烷基或共价键; m独立地选自0,1或2，数均分子量Mn在5,000至200,000g / mol的范围内。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITENDEN SCHICHTEN
    15.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITENDEN SCHICHTEN 审中-公开
    用于生产半导体层

    公开(公告)号：WO2010125011A2

    公开(公告)日：2010-11-04

    申请号：PCT/EP2010/055499

    申请日：2010-04-26

    Applicant: BASF SE ,  KARPOV, Andrey ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

    Inventor： KARPOV, Andrey ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

    IPC: C23C18/12

    CPC classification number: C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Herstellen einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des wenigstens einen Metalloxids ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen,, Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon, in wenigstens einem Lösungsmittel, (B) Aufbringen der Lösung aus Schritt (A) auf das Substrat und (C) thermisches Behandeln des Substrates aus Schritt (B) bei einer Temperatur von 20 bis 200°C, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung in wenigstens ein halbleitendes Metalloxid zu überführen, wobei, falls in Schritt (A) elektrisch neutrales [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, als Vorläuferverbindung eingesetzt wird, dieses durch Umsetzung von Zinkoxid oder Zinkhydroxid mit Ammoniak erhalten wird, ein Substrat, welches mit wenigstens einem halbleitenden Metalloxid beschichtet ist, erhältlich durch dieses Verfahren, die Verwendung dieses Substrates in elektronischen Bauteilen, sowie ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch neutralem [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, durch Umsetzung von Zinkoxid und/oder Zinkhydroxid mit Ammoniak.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造至少包括以下步骤：在基材上含有至少一个半导电金属氧化物的层：（A）制备含有选自单 - 羧酸盐组成的组中的至少一种金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液中，二 - 或者具有至少三个碳原子，或单 - ，二 - 或多元羧酸，醇化物，氢氧化物，氨基脲衍生物的多羧酸，Carbaminaten，异羟肟酸盐，异氰酸酯，脒，氨基腙，脲衍生物，羟胺，肟，氨基甲酸乙酯，氨，胺，膦，铵 化合物,,相应金属的叠氮化物和它们的混合物，在至少一种溶剂中，（B）将来自步骤溶液（a）以20〜200的温度的基板和（C）热处理步骤（B）的基板 ℃，在wenigst所述至少一种前体化合物 到ENS转换半导体金属氧化物，其中，如果在步骤（A）是电中性的[（OH）X（NH 3）YZN】Z，其中x，y和z，各自独立地选自0.01通过使用10作为前体化合物，即 涂有至少一个半导电金属氧化物的基板，获得通过该方法，使用该基板的电子部件，以及用于产生电中性的方法[（OH）由氧化锌或者与氨，X氢氧化锌得到的（NH 3） YZN】Z，其中x，y和z独立地是从0.01到10，由氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应。

    METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
    18.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    用于生产有机半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2013113389A1

    公开(公告)日：2013-08-08

    申请号：PCT/EP2012/051738

    申请日：2012-02-02

    Applicant: BASF SE ,  VAIDYANATHAN, Subramanian ,  KASTLER, Marcel ,  TAN, Bertha ,  ZHOU, Mi

    Inventor： VAIDYANATHAN, Subramanian ,  KASTLER, Marcel ,  TAN, Bertha ,  ZHOU, Mi

    IPC: H01L51/00 ,  H01L51/10 ,  H01L51/05

    CPC classification number: H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/105

    Abstract: A method for producing an organic semiconductor device (110) having at least one organic semiconducting material (122) and at least two electrodes (114) adapted to support an electric charge carrier transport through the organic semiconducting material (122) is disclosed. The organic semiconducting material (122) intrinsically has ambipolar semiconducting properties. The method comprises at least one step of generating at least one intermediate layer (120) which at least partially is interposed between the organic semiconducting material (122) and at least one of the electrodes (114) of the organic semiconductor device (110). The intermediate layer (120) comprises at least one thiol compound having the general formula HS-R, wherein R is an organic residue. The thiol compound has an electric dipole moment pointing away from the SH-group of the thiol compound. The electric dipole moment has at least the same magnitude as the electric dipole moment in 4-Phenylthiophenol. By the intermediate layer (120) an ambipolar charge carrier transport between the electrodes (114) is suppressed in favor of a unipolar charge carrier transport.

    Abstract translation: 公开了一种用于制造具有至少一种有机半导体材料（122）和至少两个电极（114）的有机半导体器件（110）的方法，所述至少两个电极（114）适于支持通过有机半导体材料（122）传输的电荷载体。 有机半导体材料（122）本身具有双极性半导体性质。 所述方法包括产生至少一个中间层（120）的至少一个步骤，所述中间层至少部分地介于有机半导体材料（122）和有机半导体器件（110）的至少一个电极（114）之间。 中间层（120）包含至少一种具有通式HS-R的硫醇化合物，其中R是有机残基。 硫醇化合物具有指向远离硫醇化合物的SH基团的电偶极矩。 电偶极矩与4-苯基苯硫酚中的电偶极矩至少相同。 通过中间层（120），电极（114）之间的双极电荷载流子传输被抑制以有利于单极电荷载流子传输。

    DITHIENOBENZO-THIENO[3,2-B]THIOPHENE-COPOLYMER AND ITS USE AS HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMICONDUCTING POLYMER
    19.
    发明申请
    DITHIENOBENZO-THIENO[3,2-B]THIOPHENE-COPOLYMER AND ITS USE AS HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMICONDUCTING POLYMER 审中-公开
    二氢苯并噻喃[3,2-B]噻吩共聚物及其作为高性能溶液可加工的半导体聚合物

    公开(公告)号：WO2011067192A2

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：PCT/EP2010/068365

    申请日：2010-11-29

    Applicant: BASF SE ,  MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. ,  KASTLER, Marcel ,  KOEHLER, Silke ,  MUELLEN, Klaus ,  RIEGER, Ralph

    Inventor： KASTLER, Marcel ,  KOEHLER, Silke ,  MUELLEN, Klaus ,  RIEGER, Ralph

    IPC: C08G61/12

    CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549

    Abstract: Dithienobenzo-thieno[3,2-b]thiophene-copolymers of the formula (I) wherein: pi is a monocyclic or polycyclic moiety optionally substituted with 1-4 Ra groups, wherein R a , at each occurrence, is independently hydrogen or a) a halogen, b) -CN, c) -NO 2 , d) oxo, e) -OH, f) =C(R b ) 2 ; g) a C 1-20 alkyl group, h) a C 2-20 alkenyl group, i) a C 2-20 alkynyl group, j) a C 1-20 alkoxy group, k) a C 1-20 alkylthio group, I) a C 1-20 haloalkyl group, m) a -Y- C 3-10 cycloalkyl group, n) a -Y- C 6-14 aryl group, o) a -Y-3-12 membered cycloheteroalkyl group, or p) a -Y-5-14 membered heteroaryl group, wherein each of the C 1-20 alkyl group, the C 2-20 alkenyl group, the C 2-20 alkynyl group, the C 3-10 cycloalkyl group, the C 6-14 aryl or haloaryl group, the 3-12 membered cycloheteroalkyl group, and the 5- 14 membered heteroaryl group is optionally substituted with 1 -4 R b groups; Y, at each occurrence, is independently a divalent C 1-6 alkyl group, a divalent C 1-6 haloalkyl group, or a covalent bond; and R 1 , R 2 , R 3 , at each occurrence, are independently H, a halogen, CN, a C 1-30 alkyl group, a C 2-30 alkenyl group, a C 1-30 haloalkyl group, a C 2-30 alkynyl group, a C 1-30 alkoxy group, a C(O)-C 1-20 alkyl group, a C(O)-OC 1-20 alkyl group, a Y-C 3-10 cycloalkyl group, a -Y-3- 12 membered cycloheteroalkyl group, each optionally substituted with 1-5 substituents selected from a halogen, -CN, a C 1-6 alkyl group, a C 1-6 alkoxy group, and a C 1-6 haloalkyl group, -L-Ar 1 , -L-Ar 1 -Ar 1 , -L-Ar 1 -R 4 , or -L-Ar 1 -Ar 1 -R 4 and Y, at each occurrence, is independently a divalent C 1-6 alkyl group, a divalent C 1-6 haloalkyl group, or a covalent bond; n = 0, 1, 2; and o = 1 - 1000.

    Abstract translation: 式（I）的二噻吩并噻吩并[3,2-b]噻吩 - 共聚物，其中：pi是任选被1-4个R a基团取代的单环或多环部分，其中R a在每次出现时独立地是氢或a） 卤素，b）-CN，c）-NO 2，d）氧代，e）-OH，f）= C（R b）2; g）C 1-20烷基，h）C 2-20烯基，i）C 2-20炔基，j）C 1-20烷氧基，k）C 1-20烷硫基，I）C1- 20个卤代烷基，m）a -Y-C 3-10环烷基，n）a -Y-C 6-14芳基，o）a -Y-3-12元环杂烷基，或p）a -Y-5- 14元杂芳基，其中C 1-20烷基，C 2-20烯基，C 2-20炔基，C 3-10环烷基，C 6-14芳基或卤代芳基中的每一个，3-12元 环杂烷基，5-14元杂芳基任选被1-4个Rb基团取代; Y在每次出现时独立地为二价C 1-6烷基，二价C 1-6卤代烷基或共价键; 并且R1，R2，R3各自独立地为H，卤素，CN，C1-30烷基，C2-30烯基，C1-30卤代烷基，C2-30炔基，C1 -30烷氧基，C（O）-C1-20烷基，C（O）-OC1-20烷基，Y-C3-10环烷基，-Y-3-12元环杂烷基，各自 任选被1-5个选自卤素，-CN，C 1-6烷基，C 1-6烷氧基和C 1-6卤代烷基的取代基取代，-L-Ar 1，-L-Ar 1 -Ar 1 - L-Ar1-R4或-L-Ar1-Ar1-R4和Y各自独立地为二价C 1-6烷基，二价C 1-6卤代烷基或共价键; n = 0,1,2; 并且o = 1-1000。

    THERMOLABILE VORLÄUFER-VERBINDUNGEN ZUR VERBESSERUNG DER INTERPARTIKULÄREN KONTAKTSTELLEN UND ZUM AUFFÜLLEN DER ZWISCHENRÄUME IN HALBLEITENDEN METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN
    20.
    发明申请
    THERMOLABILE VORLÄUFER-VERBINDUNGEN ZUR VERBESSERUNG DER INTERPARTIKULÄREN KONTAKTSTELLEN UND ZUM AUFFÜLLEN DER ZWISCHENRÄUME IN HALBLEITENDEN METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN 审中-公开
    不耐热的前体化合物用于改善间的联络点和填充房间之间的一半官员METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN

    公开(公告)号：WO2010146053A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：PCT/EP2010/058391

    申请日：2010-06-15

    Applicant: BASF SE ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

    Inventor： FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/368

    CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Aufbringen einer porösen Schicht aus mindestens einem halbleitenden Metalloxid auf ein Substrat, (B) Behandeln der porösen Schicht aus Schritt (A) mit einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids, so dass die Poren der porösen Schicht zumindest teilweise mit dieser Lösung gefüllt werden und (C) thermisches Behandeln der in Schritt (B) erhaltenen Schicht, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids in das halbleitende Metalloxid zu überführen, wobei die mindestens eine Vorläuferverbindung des mindestens einen halbleitenden Metalloxids in Schritt (B) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di-oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Oximaten, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen, Nitraten, Nitriten oder Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产包括在衬底上含有至少一个半导电金属氧化物的层的至少如下步骤：（A）在基材上沉积至少一种半导体金属氧化物的多孔层，（B）从步骤处理多孔层（ a）用含有溶液中的半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物，使得多孔层的孔至少部分地填充有该溶液和（C）热处理）到半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物在步骤（B中获得的层 在半导体金属氧化物，其中，在步骤（B）至少一种半导体金属氧化物的至少一种前体化合物选自具有至少三个碳原子，或单 - ，二 - 的衍生物选自单 - ，二 - 或多元羧酸的羧酸盐组成的组中转移 或pol ycarbonsäuren，醇化物，氢氧化物，氨基脲，Carbaminaten，异羟肟酸盐，异氰酸酯，脒，氨基腙，脲衍生物，羟胺，肟，Oximaten，氨基甲酸乙酯，氨，胺，膦，铵化合物，硝酸盐，亚硝酸盐或相应的金属的叠氮化物和它们的混合物。

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