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    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法
    12.
    发明专利
    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 审中-公开
    具有多层反射膜的基板，反射型掩模挡板，反射型掩模和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：JP2016122751A

    公开(公告)日：2016-07-07

    申请号：JP2014262460

    申请日：2014-12-25

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 兼子 祥治 ,  臼井 洋一 ,  作地 弘行

    IPC: G03F1/24 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】 マスク製造工程及びマスク使用時の洗浄等による吸収体膜の膜剥がれを防止し、吸収体膜の膜剥がれに起因する欠陥発生を低減することのできる反射型マスクを提供する。 【解決手段】 EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される多層反射膜付き基板を用いた反射型マスクであって、前記多層反射膜付き基板が、マスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の表面に形成されたEUV光を反射する多層反射膜とを備え、前記多層反射膜の外周領域に改質領域を有することを特徴とする多層反射膜付き基板を用いた反射型マスクである。 【選択図】 図3

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够防止在掩模制造步骤中和掩模使用期间由于清洁等而引起的吸收膜剥离的反射型掩模，并且能够减少由于吸收膜的剥离引起的缺陷产生。 解决方案：公开了一种使用具有多层反射膜的基板的反射型掩模，其用于制造用于EUV光刻的反射型掩模板。 具有多层反射膜的基板包括：掩模板的基板; 以及形成在掩模坯料的表面上并反射EUV光的多层反射膜。 该基板在多层反射膜的外周区域具有改质区域。图3：

    マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
    17.
    发明专利
    マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 有权
    用于掩模空白的基板，具有多层反射膜的基板，透射掩模层，反射掩模层，透射掩模，反射掩模和用于制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：JP2016014898A

    公开(公告)日：2016-01-28

    申请号：JP2015202958

    申请日：2015-10-14

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

    IPC: C03C19/00 ,  C03C15/02 ,  G03F1/60

    CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F1/60 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334

    Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于掩模坯料的基板，其能够通过防止由于基板和膜上的表面粗糙度而在检测到的缺陷检查中的缺陷检查中容易地检测诸如异物和瑕疵的关键缺陷 使用高灵敏度缺陷检查装置。解决方案：用于光刻的掩模板的基板被配置为使得通过用原子测量获得的轴承面积（％）和轴承深度（nm）之间的关系， 如果承载面积为30％的轴承面积定义为BA，轴承面积为70％，轴承深度相应为1×1μm的区域，则在其上形成有转印图案的基板的主表面上 作为BD和BD的轴承面积分别为30％和70％，基材的主表面满足关系式（BA-BA）/（BD-BD）≥350（％/ nm），最大高度为（ Rmax）≤1.2nm。

    導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
    18.
    发明专利
    導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 有权
    具有导电膜的衬底，具有多层反射膜的衬底，反射掩模层，反射掩模和用于制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：JP2015088742A

    公开(公告)日：2015-05-07

    申请号：JP2014194957

    申请日：2014-09-25

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 浜本 和宏 ,  臼井 洋一

    IPC: G03F1/24 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/24 ,  B32B7/02 ,  G03F1/38 ,  G03F7/20 ,  B32B2307/416 ,  B32B2551/00

    Abstract: 【課題】反射型マスクブランク及び多層反射膜付き基板の欠陥を欠陥検査装置及び座標計測機等によって検査・計測する際に、欠陥検査装置による検出欠陥の位置精度を向上することができる導電膜付き基板を提供する。 【解決手段】導電膜23が形成された導電膜付き基板50であって、前記導電膜23表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、前記導電膜表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )が15以上260以下(%/nm)の関係式を満たし、かつ最大高さ(Rmax)が1.3nm以上15nm以下であることを特徴とする。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有导电膜的基板，当在具有多层反射膜的反射掩模坯料和基板上进行缺陷检查和测量时，能够增加由缺陷检查装置检测到的缺陷的位置精度， 缺陷检查装置和坐标测量仪器等。解决方案：具有导电膜23的基板50在其中形成导电膜23。 对于通过用原子力显微镜测量导电膜23的表面中的1μm×1μm的区域获得的轴承面积（％）和轴承深度（nm）之间的关系，导电膜的表面满足 关系式（BA-BA）/（BD-BD）为15〜260（％/ nm）的条件; 最大高度（Rmax）为1.3〜15nm。

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