公开(公告)号：FR3086456B1

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：FR1858712

申请日：2018-09-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  IBM

Inventor： REBOH SHAY ,  COQUAND REMI ,  LOUBET NICOLAS ,  YAMASHITA TENKO ,  ZHANG JINGYUN

IPC: H01L21/328 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98

Abstract: Procédé de réalisation de premier et deuxième transistors (100.1, 100.2) superposés, comportant : - réalisation, sur un substrat (102), d'un empilement de plusieurs nanofils semi-conducteurs ; - gravure d'au moins un premier nanofil telle qu'une portion restante (116.1) du premier nanofil soit destinée à former un canal du premier transistor ; - gravure d'au moins un deuxième nanofil disposé entre le substrat et le premier nanofil, telle qu'une portion restante (116.2) du deuxième nanofil soit destinée à former un canal du deuxième transistor et ait une longueur supérieure à celle de la portion restante du premier nanofil ; - réalisation de deuxièmes régions de source et de drain (128) en contact avec des extrémités de la portion restante du deuxième nanofil ; - réalisation de premières régions de source et de drain (132) en contact avec des extrémités de la portion restante du premier nanofil.