公开(公告)号：JP6281490B2

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：JP2014525853

申请日：2013-07-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 元成 正之 ,  滝本 嘉夫 ,  溝口 勝久 ,  松村 裕史 ,  中藤 慎也 ,  香村 和彦 ,  村上 暁

IPC: H01L21/027 ,  C07C69/76 ,  C07C251/68 ,  C08G8/10 ,  G03F7/11

CPC classification number: C07C69/76 ,  C07C69/80 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

公开(公告)号：JP6160068B2

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：JP2012263224

申请日：2012-11-30

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中藤 慎也 ,  村上 暁 ,  香村 和彦 ,  松村 裕史 ,  元成 正之 ,  溝口 勝久

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276

公开(公告)号：JP5910500B2

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：JP2012536407

申请日：2011-09-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 峯岸 信也 ,  村上 暁 ,  松村 裕史 ,  香村 和彦 ,  滝本 嘉夫 ,  中藤 慎也 ,  保田 慶友

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/42 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/004 ,  C08G8/08 ,  C08G8/22 ,  C08G8/28 ,  C09D161/06 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

公开(公告)号：JP5776301B2

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：JP2011094448

申请日：2011-04-20

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  松村 裕史 ,  峯岸 信也 ,  庵野 祐亮 ,  出井 慧 ,  森 隆

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08K5/34 ,  C08K5/42 ,  C08G77/04 ,  C08L83/04

公开(公告)号：JP2018067696A

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：JP2016207390

申请日：2016-10-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 鄭 康巨 ,  松村 裕史 ,  松木 智裕 ,  青木 俊 ,  錦織 克聡 ,  滝本 嘉夫

IPC: C07C69/54 ,  C07C43/215 ,  C09D7/40 ,  C09D4/00 ,  C09D201/02 ,  C09D201/06 ,  C09D201/08 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】本発明は、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れる基板パターン倒壊抑制用処理材と、これを用いた基板の処理方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程を備える基板の処理方法に用いられ、熱又は光の作用により高分子量化する第1化合物と、溶媒とを含有することを特徴とする。上記第1化合物が、架橋基を有するとよい。上記架橋基が、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、置換若しくは非置換の環状エーテル基又はこれらの組み合わせであるとよい。上記第1化合物の有する上記架橋基の数としては、2以上が好ましい。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6064360B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2012098261

申请日：2012-04-23

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松村 裕史 ,  峯岸 信也 ,  村上 暁 ,  庵野 祐亮 ,  中藤 慎也 ,  香村 和彦 ,  保田 慶友

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/027 ,  B44C1/22 ,  C07D407/12 ,  C07D487/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H05K1/00

公开(公告)号：JP2016206676A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：JP2016085581

申请日：2016-04-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松村 裕史 ,  若松 剛史 ,  野坂 直矢 ,  阿部 翼 ,  滝本 嘉夫

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G8/22 ,  C08G8/30 ,  C09D161/14 ,  G03F7/094 ,  G03F7/0041 ,  H01L21/0271

Abstract: 【課題】エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法を提供する。 【解決手段】本発明は、レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を酸素濃度が1容量%未満の雰囲気中、450℃超800℃以下の温度で加熱する加熱工程とを備え、上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成方法である。上記酸素濃度は0.1容量%以下であることが好ましい。上記温度は500℃以上600℃以下であることが好ましい。上記芳香環を有する化合物は主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が600以上3,000以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせであることが好ましい。上記主鎖に芳香環を有する樹脂は重縮合化合物であることが好ましい。 【選択図】なし

Abstract translation: 提供一种抗蚀剂下层膜形成能够形成具有优异的耐蚀刻性的抗蚀剂下层膜的方法。 本发明涉及一种形成用于涂覆衬底，氧浓度的涂料组合物步骤的抗蚀剂下层膜和所得到的涂膜是由体积气氛小于1％，450℃下在超800℃以下的温度 和加热的加热步骤中，将抗蚀剂下层膜形成用组合物，抗蚀剂含有具有芳香环的化合物下层膜形成方法。 优选的氧浓度为不超过0.1体积％。 它说温度较好是在500℃以上600℃以下。 具有芳环化合物，优选为具有在主链上具有芳环，分子量的含芳环的化合物或其超过600的组合为3,000或更小的树脂。 它是具有在主链中的芳香环优选的树脂是缩聚化合物。 系统技术领域

公开(公告)号：JP6641879B2

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：JP2015207573

申请日：2015-10-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 若松 剛史 ,  野坂 直矢 ,  松村 裕史 ,  滝本 嘉夫 ,  阿部 翼 ,  木村 徹

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JPWO2018074535A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：JP2017037767

申请日：2017-10-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  鄭 康巨 ,  松村 裕史 ,  松木 智裕 ,  滝本 嘉夫

IPC: C09D201/02 ,  C09D7/63 ,  C09D7/20 ,  C09D201/04 ,  C09D201/06 ,  C09D201/08 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明は、基板パターンの倒壊抑制性に優れる処理剤と、これを用いた基板の処理方法との提供を目的とする。本発明の処理剤は、基板の表面に形成されたパターンの倒壊を抑制する処理剤であって、芳香環、及びこの芳香環に結合するヘテロ原子含有基を有する化合物と、溶媒とを含有することを特徴とする。上記ヘテロ原子含有基が、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アミノ基、スルホ基、カルボニル基、オキシ基、ハロゲン原子又はこれらの組み合わせを含むとよい。上記溶媒が極性溶媒であるとよい。

公开(公告)号：JPWO2017056746A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：JP2016073501

申请日：2016-08-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： ▲鄭▼ 康巨 ,  松村 裕史 ,  滝本 嘉夫

IPC: C11D3/43 ,  C11D3/37 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C08L67/02 ,  C08L67/04 ,  C08L2203/16 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2093 ,  C11D3/37 ,  C11D3/43 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31127

Abstract: 本発明は、極性基、下記式(i)で表される基又はこれらの組み合わせを有する分子量300以上の化合物と、溶媒とを含有する半導体基板洗浄用膜形成組成物である。下記式(i)中、R 1 は、加熱又は酸の作用により解離する基である。上記極性基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミド基、アミノ基、スルホニル基、スルホ基又はこれらの組み合わせが好ましい。上記化合物として重合体を含み、上記重合体の重量平均分子量が300以上50,000以下であることが好ましい。上記重合体が環状の重合体であり、上記環状の重合体の重量平均分子量が300以上3,000以下であることが好ましい。