下基板、面内切换模式液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1621924A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:CN200410055712.X

    申请日:2004-08-04

    Inventor: 金雄权

    CPC classification number: G02F1/134363 G02F1/136209 G02F2001/136222

    Abstract: 下基板、面内切换模式液晶显示器件及其制造方法。一种用于面内切换模式液晶显示器件的下基板,其包括:形成在第一基板上以限定像素区域的选通线和数据线;薄膜晶体管,与所述选通线和所述数据线连接;像素电极,形成在所述像素区域的中心部分并且与所述薄膜晶体管连接,所述像素电极具有多个第一条;公共电极,具有与所述像素电极的多个第一条呈叉指状的多个第二条,并且所述公共电极与所述选通线、所述数据线和所述薄膜晶体管交叠;滤色器层,形成在所述像素电极和所述公共电极的下面。

    下基板、面内切换模式液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100380215C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200410055712.X

    申请日:2004-08-04

    Inventor: 金雄权

    CPC classification number: G02F1/134363 G02F1/136209 G02F2001/136222

    Abstract: 下基板、面内切换模式液晶显示器件及其制造方法。一种用于面内切换模式液晶显示器件的下基板,其包括:形成在第一基板上以限定像素区域的选通线和数据线;薄膜晶体管,与所述选通线和所述数据线连接;像素电极,形成在所述像素区域的中心部分并且与所述薄膜晶体管连接,所述像素电极具有多个第一条;公共电极,具有与所述像素电极的多个第一条呈叉指状的多个第二条,并且所述公共电极与所述选通线、所述数据线和所述薄膜晶体管交叠;滤色器层,形成在所述像素电极和所述公共电极的下面;以及覆盖层,形成在所述滤色器层上。

    水平电场施加型液晶显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN100376996C

    公开(公告)日:2008-03-26

    申请号:CN200410085644.1

    申请日:2004-10-14

    CPC classification number: H01L27/124 H01L27/1288 H01L29/66765

    Abstract: 公开了一种形成有三个导电层的三掩模水平电场施加型薄膜晶体管基板。第一导电层包含平行的选通线和公共线以及选通电极和公共电极。在该结构上涂布的栅绝缘膜上形成半导体图案。第二导电层在该半导体图案上形成数据线、与该数据线相连的源极以及与该源极相对的漏极。在其上涂布保护膜。对该保护膜和栅绝缘膜进行构图,以露出漏极的一部分和像素孔。对第三导电层进行构图,以提供在该像素孔内与该被露出的漏极相连并与该保护膜形成界面的像素电极。

    水平电场施加型液晶显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1614484A

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN200410085644.1

    申请日:2004-10-14

    CPC classification number: H01L27/124 H01L27/1288 H01L29/66765

    Abstract: 公开了一种形成有三个导电层的三掩模水平电场施加型薄膜晶体管基板。第一导电层包含平行的选通线和公共线以及选通电极和公共电极。在该结构上涂布的栅绝缘膜上形成半导体图案。第二导电层在该半导体图案上形成数据线、与该数据线相连的源极以及与该源极相对的漏极。在其上涂布保护膜。对该保护膜和栅绝缘膜进行构图,以露出漏极的一部分和像素孔。对第三导电层进行构图,以提供在该像素孔内与该被露出的漏极相连并与该保护膜形成界面的像素电极。

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