Sputtering Target
    11.
    发明专利

    公开(公告)号:AT15356U1

    公开(公告)日:2017-07-15

    申请号:AT2292016

    申请日:2016-09-29

    Applicant: PLANSEE SE

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Sputtering Target das Molybdän sowie zumindest ein Metall aus der Gruppe (Tantal, Niob) enthält, wobei der mittlere Gehalt des Metalls aus der Gruppe (Tantal, Niob) 5 bis 15 at% und der Molybdängehalt ≥ 80 at% betragen. Das Sputtering Target weist zumindest eine Matrix mit einem mittleren Molybdängehalt von größer gleich 92 at% und in der Matrix eingebettete Partikel aus einem Mischkristall enthaltend zumindest ein Metall aus der Gruppe (Tantal, Niob) und Molybdän, mit einem mittleren Molybdängehalt von größer gleich 15 at% auf. Weiter betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Sputtering Targets.

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