-
公开(公告)号：CN108292705B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201680068794.2
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
Abstract: 本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。
-
公开(公告)号：CN113130736A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110338414.5
申请日：2017-10-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够容易地磁化反转的自旋轨道转矩型磁化反转元件。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸并与上述铁磁性金属层接合，在从上述第一方向观察时，以穿过上述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，上述自旋轨道转矩配线在上述第二方向为非对称，其中上述第二方向正交于上述第一方向及上述层叠方向。
-
公开(公告)号：CN108604604B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201780009223.6
申请日：2017-04-14
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L29/82 , G06N3/06 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明所涉及的磁壁利用型自旋MOSFET(100)的特征在于：具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；沟道层(5)；磁化自由层(6)，以被设置于沟道层的第1面的第1端部(5aA)并与所述磁壁驱动层的第3区域相接的形式被配置；磁化固定层(7)，被设置于第1端部的相反的第2端部(5aB)；栅极(8)，经由栅绝缘层(9)被设置于沟道层的第1端部与所述第2端部之间。
-
公开(公告)号：CN111279351A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201980005310.3
申请日：2019-02-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: G06G7/60 , G06N3/063 , H01L21/822 , H01L21/8239 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 本发明提供一种积和运算器(1)，其包括积运算部(10)以及和运算部(11)，所述积运算部(10)包括作为电阻变化元件的多个积运算元件(10AA、10AB)和至少一个参考元件(10AMAX、10AMIN)，所述和运算部(11)至少包括检测来自所述多个积运算元件的输出的合计值的输出检测器(11A)，所述多个积运算元件各自为磁阻效应元件，包括：具有磁壁的磁化自由层；磁化方向被固定的磁化固定层；和由所述磁化自由层与所述磁化固定层夹持的非磁性层，所述参考元件为包括不具有磁壁的磁化自由层的参考磁阻效应元件。
-
公开(公告)号：CN111226324A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201780095962.1
申请日：2017-10-16
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种TMR元件，该TMR元件(1)具备磁隧道接合元件部(2)和设置于磁隧道接合元件部的侧面且含有绝缘材料的侧壁部(17)，磁隧道接合元件部具有：参照层(3)、磁化自由层(7)、在层叠方向上层叠于参照层和磁化自由层之间的隧道势垒层(5)、以及层叠于磁化自由层的与隧道势垒层侧相反侧的盖层(9)，侧壁部含有绝缘材料，具有覆盖磁隧道接合元件部的参照层、隧道势垒层、磁化自由层、及盖层中的至少一个侧面的第一区域(R1)，第一区域含有构成磁隧道接合元件部的参照层，隧道势垒层，磁化自由层，及盖层中的至少一个层的元素(除氧以外)中的至少一种作为含有元素。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111226312A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201780095969.3
申请日：2017-10-16
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: TMR元件具备：参照层；隧道势垒层；垂直磁化感应层；以及在层叠方向上层叠于隧道势垒层和垂直磁化感应层之间的磁化自由层，垂直磁化感应层对磁化自由层赋予沿着层叠方向的方向的磁各向异性，磁化自由层具有比隧道势垒层的宽度和垂直磁化感应层的宽度的任一者都小的宽度。
-
公开(公告)号：CN110462814A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880006593.9
申请日：2018-12-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 一种自旋元件(100)，其具备：元件部，其包含第一铁磁性层(1)；通电部(5)，从第一铁磁性层(1)的层叠方向(Z方向)观察，其沿第一方向(X方向)延伸且面向第一铁磁性层(1)；电流路径(10)(10A、10B)，其从上述通电部(5)至半导体电路(30)(30A、30B)，在中途具有电阻调整部(11)(11A、11B)，电阻调整部(11)的电阻值比上述通电部(5)的电阻值大，构成电阻调整部(11)的材料的体积电阻率的温度系数比上述通电部(5)的材料的体积电阻率的温度系数小。
-
公开(公告)号：CN110352456A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880000800.X
申请日：2018-02-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，在具备沿第一方向延伸的通电部、和层叠于所述通电部的一面且含有非磁性层和铁磁性层的元件部的自旋元件中，在将施加脉冲的脉冲宽度设为t时，沿所述通电部的所述第一方向负载由规定的关系式(1)表示的能量E以下的能量。E＝(A+BtC)-1+D……(1)在所述关系式(1)中，A、B、C、D是根据所述非磁性层决定的常数。
-
公开(公告)号：CN110268530A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201880008927.6
申请日：2018-08-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H03B15/00
Abstract: 该自旋流磁化反转元件(10)具备：自旋轨道转矩配线(2)，其沿第一方向(X)延伸；和第一铁磁性层(1)，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向(Z)上，其中，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面(2a)和与所述第一表面相反的一侧的第二表面(2b)，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域(2A)；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域(2B)。
-
公开(公告)号：CN109937475A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780014410.3
申请日：2017-10-16
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
169
records
(took 0.054 seconds)
