公开(公告)号：CN101233590A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027392.4

申请日：2006-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 齐田仁 ,  内田清志 ,  堀野贤治 ,  相泽英里

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/016 ,  H01L28/55

Abstract: 在本发明中，其目的在于提供一种薄膜电容器的制造方法，可同时实现钛酸钡锶薄膜的容量密度的提高以及泄漏电流密度的降低。在薄膜电容器制造方法中具有，烧成有机电介质原料而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序，使烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，而形成具有比在氧氛围中烧成的钛酸钡锶薄膜的容量密度大的容量密度的钛酸钡锶薄膜。

公开(公告)号：CN1768167A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008878.4

申请日：2004-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田清志 ,  坂下幸雄 ,  大井户敦

IPC: C30B29/28 ,  C30B19/12 ,  G02F1/09

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B23/025 ,  C30B29/28

Abstract: 一种制造用以使磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板2的方法。首先，形成由对用以使液相外延生长使用的熔剂不稳定的石榴石系单晶构成的衬底基板10。接着，在衬底基板10的至少一个结晶培养面上形成由对熔剂稳定的石榴石系单晶薄膜构成的缓冲层11。在该衬底基板10上形成缓冲层11时无需主动地加热基板，用溅射法等薄膜形成法在衬底基板10上形成缓冲层11。

公开(公告)号：CN102087919B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010574437.8

申请日：2010-11-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 塚本直人 ,  内田清志 ,  长谷川浩昭

IPC: H01G11/74 ,  H01G11/82 ,  H01G11/84 ,  H01M2/20 ,  H01M2/34 ,  H01M2/08 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M2/0212 ,  H01G9/10 ,  H01M2/30 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058 ,  H01M10/0585 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/4911

Abstract: 本发明所涉及的电化学装置，具备：包含金属膜的封装体；被装入到封装体内的电池素体；至少被设置于封装体密封部内侧的树脂层、从电池素体通过封装体密封部的树脂层间而延伸至封装体外部的引线；引线的在密封部中的形状是表面和背面共同地由曲面所构成。密封部中的在引线宽度方向中央位置附近的引线的最大厚度Z1和在引线宽度方向端部位置上的厚度Z11满足Z11＜Z1的关系。该电化学装置为高质量的电子元件。

公开(公告)号：CN1768166A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008681.0

申请日：2004-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田清志 ,  坂下幸雄 ,  大井户敦

IPC: C30B29/28 ,  G02F1/09

CPC classification number: H01F41/28 ,  C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  G02F1/0036 ,  H01F10/24

Abstract: 用于液相外延生长不产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离等的厚膜状的磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用基板(2)。该基板(2)具备：基底基板(10)，其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶；缓冲层(11a)，其在基底基板(10)中结晶培育面(10a)上形成、且包含对于助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜；以及保护层(11b)，其至少在与基底基板(10)中结晶培育面交叉的所述基底基板的侧面(10b)形成、且对于助熔剂稳定。使用该基板，能够制备高质量的磁性石榴石单晶膜。该磁性石榴石单晶膜能够作为光隔离器、光环形器、光磁传感器等所用的法拉第元件等光学元件使用。

公开(公告)号：CN1547627A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02816498.9

申请日：2002-06-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 坂下幸雄 ,  川崎克己 ,  大井户敦 ,  守越广树 ,  内田清志 ,  山泽和人

IPC: C30B29/28 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B19/04 ,  C30B29/28

Abstract: 本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底，和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10)，和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。