公开(公告)号：CN116075735A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180056999.X

申请日：2021-08-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山地勇一郞 ,  原川修 ,  龟野诚

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明的磁传感器以将产品间的偏差收敛于一定的范围内的方式，基于集磁体的表面性，控制产生于元件形成面和集磁体之间的间隙的大小。具备以元件形成面(20a)相对于基板(2)垂直的方式搭载的传感器芯片(20)和以表面(31)与基板(2)相对且表面(32)与元件形成面(20a)相对的方式搭载的集磁体(30)。集磁体(30)中，表面(32)的算术平均波度Wa为0.1μm以下。这样，如果与元件形成面(20a)相对的集磁体(30)的表面(32)的算术平均波度Wa被平坦化为0.1μm以下，则能够大幅降低元件形成面(20a)和集磁体(30)的间隙引起的检测灵敏度的降低，并且可以大幅抑制产品间的检测灵敏度的偏差。

公开(公告)号：CN115113113A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210241929.8

申请日：2022-03-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山地勇一郎 ,  原川修 ,  龟野诚

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的技术问题在于，在具有用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体的磁传感器中，提高磁场的检测灵敏度。本发明的磁传感器(10)具备：传感器芯片(20)，其具有磁性体层(M1～M3)以及磁敏元件(R1～R4)；聚磁体(30)，其覆盖磁性体层(M1)；以及聚磁体(40)，其包含覆盖传感器芯片(20)的背面(22)的主体部(A)、覆盖传感器芯片的侧面(23、24)的突出部(B1、B2)、和覆盖磁性体层(M2、M3)的突出部(C1、C2)。突出部(C1、C2)具有面向磁性体层(M2、M3)的内面(47)，内面(47)的平坦性高于聚磁体(40)的其他至少一个表面。如上所述，由于聚磁体(40)的内面(47)的平坦性提高，因此，能够减小聚磁体(40)的内面(47)与传感器芯片(20)的间隙，由此能够提高磁场的检测灵敏度。

公开(公告)号：CN1573940A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410063945.4

申请日：2004-05-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高贯一明 ,  金子正明 ,  原川修

IPC: G11B5/455

CPC classification number: G11B5/41 ,  G01R27/08 ,  G11B5/60

Abstract: 提供一种检测磁头的污点的方法和装置，其中通过测量在集成有磁头主体部分的滑块的垫片和防护装置之间的电阻值，使得有可能在磁头装配之前检测污点产生，并且另外，吞吐量也会增加。检测磁头污点的方法包括：测量在具有集成磁头主体部分的滑块的垫片之间的，或者在垫片和与磁头主体部分的防护装置相连的导体部分之间的电阻值，以由此检测污点产生。