公开(公告)号：CN108701721B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201780011944.0

申请日：2017-11-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  佐佐木智生 ,  及川亨

IPC: H01L29/82 ,  G11B5/39 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。

公开(公告)号：CN108738371A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201880000876.2

申请日：2018-02-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 及川亨 ,  佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  柴田龙雄

IPC: H01L29/82 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。

公开(公告)号：CN105745761A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480063796.3

申请日：2014-11-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  及川亨

IPC: H01L29/82 ,  G11B5/39 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其具备：半导体通道层(7)，经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A)，经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B)，半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面的第1区域(7A)、包含了与第2隧道层的界面的第2区域(7B)、第3区域(7C)构成，第1区域和第2区域的杂质浓度为超过1×1019cm?3的浓度，第3区域的杂质浓度为1×1019cm?3以下，第1区域和第2区域隔着第3区域而分离，第1区域和第2区域的杂质浓度分别从半导体通道层与第1隧道层的界面以及半导体通道层与第2隧道层的界面单调地在半导体通道层的厚度方向上减少。

公开(公告)号：CN102194466B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201110045918.4

申请日：2011-02-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  及川亨 ,  野口洁

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G01R33/1284 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093

Abstract: 本发明提供一种磁性传感器、磁性检测装置以及磁头。本发明的磁性传感器具备第一强磁性体(12A)、第二强磁性体(12B)、从第一强磁性体(12A)延伸至第二强磁性体(12B)的通道(7)、覆盖通道(7)的隔磁套(S2)、被设置于通道(7)与隔磁套(S2)之间的绝缘膜(7b)；隔磁套(S2)具有朝着通道(7)延伸的贯通孔(H)。