公开(公告)号：CN108695036B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201810298482.1

申请日：2018-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 武田启司 ,  宫崎翔太

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供矫顽力及磁化磁场低且即使在磁化磁场低的状态下也具有高的剩余磁通密度且小曲线平坦性高的R‑T‑B系永久磁铁。R‑T‑B系永久磁铁具有：主相，其由具有R2T14B型四方晶结构的化合物构成；晶界相，其存在于主相间，R为选自包含钪及钇的稀土元素的1种以上，T为包含铁的1种以上的过渡金属元素或包含铁及钴的2种以上的过渡金属元素，晶界相包含R浓度、B浓度及C浓度比主相内的R浓度、B浓度及C浓度高且T浓度比主相内的T浓度低的R‑T‑B‑C系化合物。

公开(公告)号：CN108695036A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810298482.1

申请日：2018-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 武田启司 ,  宫崎翔太

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供矫顽力及磁化磁场低且即使在磁化磁场低的状态下也具有高的剩余磁通密度且小曲线平坦性高的R‑T‑B系永久磁铁。R‑T‑B系永久磁铁具有：主相，其由具有R2T14B型四方晶结构的化合物构成；晶界相，其存在于主相间，R为选自包含钪及钇的稀土元素的1种以上，T为包含铁的1种以上的过渡金属元素或包含铁及钴的2种以上的过渡金属元素，晶界相包含R浓度、B浓度及C浓度比主相内的R浓度、B浓度及C浓度高且T浓度比主相内的T浓度低的R‑T‑B‑C系化合物。