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公开(公告)号：CN112599660B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011039475.3
申请日：2020-09-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供能够使磁畴壁的动作稳定的磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：配线层，其包括铁磁性体；非磁性层，其位于所述配线层的第一面上；第一导电层，其连接于所述配线层的所述第一面，并且包括铁磁性体；及第二导电层，其与所述第一导电层分隔，并且连接于所述配线层，所述第一导电层的连接面的第一部分与所述配线层直接连接，所述连接面的除了所述第一部分之外的第二部分经由所述非磁性层连接于所述配线层。
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公开(公告)号：CN109643690B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201780052563.7
申请日：2017-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L27/105 , H01L29/82 , H10N50/10
Abstract: 本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5)，第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。
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公开(公告)号：CN111279351B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201980005310.3
申请日：2019-02-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: G06G7/60 , G06N3/063 , H01L29/82 , H01L27/04 , H10B99/00 , H01L21/822 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种积和运算器(1)，其包括积运算部(10)以及和运算部(11)，所述积运算部(10)包括作为电阻变化元件的多个积运算元件(10AA、10AB)和至少一个参考元件(10AMAX、10AMIN)，所述和运算部(11)至少包括检测来自所述多个积运算元件的输出的合计值的输出检测器(11A)，所述多个积运算元件各自为磁阻效应元件，包括：具有磁壁的磁化自由层；磁化方向被固定的磁化固定层；和由所述磁化自由层与所述磁化固定层夹持的非磁性层，所述参考元件为包括不具有磁壁的磁化自由层的参考磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN111613721B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202010103970.X
申请日：2020-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
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公开(公告)号：CN108780779B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201780016326.5
申请日：2017-06-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中，具备：反铁磁性驱动层(1)，其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成；磁耦合层(2)，其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(1)磁耦合；第一电极层(5)，其与第一区域(1a)接合；以及第二电极层(6)，其与第二区域(1b)接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114639774A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111515848.4
申请日：2021-12-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁畴壁移动元件和磁阵列。该磁畴壁移动元件包括：层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；第1导电层；和第1表面层，所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。
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公开(公告)号：CN107919434B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201710914552.7
申请日：2017-09-30
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 柴田龙雄
Abstract: 本发明旨在提供一种频率特性稳定且工作能量被大幅度降低了的频率可变磁电阻效应元件及利用该元件的器件。本发明的频率可变磁电阻效应元件包括：磁电阻效应元件、对所述磁电阻效应元件施加磁场的磁场施加机构、对所述磁电阻效应元件施加电场的电场施加机构、及与所述电场施加机构连接并向所述电场施加机构供给大小及/或极性不同的电压的控制端子。所述磁电阻效应元件包含具有电磁效应的反铁磁性物质或亚铁磁性物质。所述磁电阻效应元件通过改变从所述控制端子供给的电压的大小及/或极性，控制所述磁电阻效应元件的自旋扭矩振荡频率或自旋扭矩共鸣频率。
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公开(公告)号：CN118176554A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280006598.8
申请日：2022-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G7/00
Abstract: 本发明提供可变电容器及集成电路。可变电容器具有第一导电层、第二导电层、以及被所述第一导电层和所述第二导电层夹持的电容层。所述第一导电层和所述第二导电层分别是含有铁磁性体的铁磁性层。所述第一导电层具有第一磁畴、和磁化在与所述第一磁畴不同的方向上取向的第二磁畴。可变电容器中，作为所述第一磁畴和所述第二磁畴的边界的磁畴壁构成为能够至少在所述第一导电层的与所述电容层在层叠方向上重叠的区域沿所述第一导电层的面内的第一方向移动。
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