公开(公告)号：CN110092656A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910072676.4

申请日：2019-01-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  佐佐木桃世 ,  兼子俊彦

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/465 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/49

Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，其在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，A进一步包含选自Ca及Sr中的至少1种，B包含Ti，由X射线衍射法求得的烧结体晶格体积为以下。

公开(公告)号：CN102190486B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110059754.0

申请日：2011-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  福冈智久 ,  前田信 ,  松永裕太 ,  石津谷正英 ,  石山保 ,  山田高裕

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

公开(公告)号：CN101549997A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910134079.6

申请日：2009-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  宫内真理 ,  森崎信人 ,  关秀明 ,  前田信 ,  山田高裕

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分、含有MgO的第1副成分、含有SiO2系烧结助剂的第2副成分、含有V2O5、Nb2O5和WO3中的至少一种的第3副成分、含有RA的氧化物(其中RA为选自Tb、Gd和Dy中的至少一种)的第4A副成分、含有RB的氧化物(其中RB为选自Ho、Y和Yb中的至少一种)的第4B副成分、以及含有MnO或Cr2O3的第5副成分。

公开(公告)号：CN101284732A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810082344.6

申请日：2008-02-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 阿满三四郎 ,  小岛隆 ,  宫内真理 ,  细野雅和 ,  樱井弹 ,  高野弘介 ,  森崎信人

IPC: C04B35/468 ,  H01L41/187 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79

Abstract: 本发明提供电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有BamTiO2+m(m满足0.99≤m≤1.01)、BanZrO2+n(n满足0.99≤n≤1.01)、Mg的氧化物、R的氧化物(R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)、选自Mn、Cr、Co和Fe中的至少一种元素的氧化物、选自Si、Li、Al、Ge和B中的至少一种元素的氧化物；相对于100mol上述BamTiO2+m，BanZrO2+n：35～65mol；Mg的氧化物：4～12mol；R的氧化物：4～15mol；Mn、Cr、Co和Fe的氧化物：0.5～3mol；Si、Li、Al、Ge和B的氧化物：3～9mol。本发明的目的在于提供耐压高、绝缘电阻的加速寿命优异、适合额定电压高(例如为100V以上)的中高压用途中使用的电介质陶瓷组合物。